公开(公告)号：CN107123581B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201710224057.3

申请日：2017-04-07

Applicant: 中山大学

Inventor： 佘峻聪 ,  李炫廷 ,  邓少芝 ,  许宁生 ,  陈军

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J9/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种基于二维层状材料的器件及其制备方法，器件由电极一和电极二构成；所述电极一为二维层状材料；所述电极一由辅助部件支撑，悬空摆放；所述电极一和电极二顶端之间形成缝隙一；所述电极二顶端面积小于电极一悬空部分的面积；所述电极二的侧边与辅助部件的侧边之间形成缝隙二；器件工作时电极一和电极二之间施加电压；该器件可实现二维层状材料平面端面的低压场致电子发射，可应用于低压驱动、低真空条件下工作的微纳真空三极管或光电探测器。

公开(公告)号：CN108509794A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810196118.4

申请日：2018-03-09

Applicant: 中山大学

Inventor： 陈军 ,  龙冬阳 ,  于跃 ,  熊绘

IPC: G06F21/56

Abstract: 本发明提供一种基于分类学习算法的恶意网页防御检测方法，该方法充分分析大量网页的内容特征、DOM树特征、视觉特征、邻居特征、页面代码类特征、脚本类特征、网址属性特征等。根据各类特征所表征网页特性的优缺点，从中选取出极有代表性的20多种特征，再利用三种不同的分类学习算法(KNN最近邻算法、朴素贝叶斯算法、决策树算法)分别构建分类器。通过增量学习，对待检测网页做出判别。

公开(公告)号：CN107195542A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710399401.2

申请日：2017-05-31

Applicant: 中山大学

Inventor： 邓少芝 ,  祝威威 ,  许宁生 ,  张宇 ,  陈军 ,  佘峻聪

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，本方法基于化学气相沉积原理直接在具有催化元素的金属衬底上外延生长碳纳米管。通过热氧化还原反应在衬底表面形成催化元素的氧化物层，通过氧化物层晶面间距与碳纳米管晶面间距的匹配，碳原子以有序结构方式在金属衬底上外延生长碳纳米管；碳纳米管与氧化物层之间依靠化学键方式结合在一起，形成欧姆接触特性。本发明方法技术实现简单，可实现碳纳米管与衬底的直接互联，在电子器件中有重要应用。

公开(公告)号：CN107123581A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710224057.3

申请日：2017-04-07

Applicant: 中山大学

Inventor： 佘峻聪 ,  李炫廷 ,  邓少芝 ,  许宁生 ,  陈军

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J9/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/025 ,  H01J9/18

Abstract: 本发明公开一种基于二维层状材料的器件及其制备方法，器件由电极一和电极二构成；所述电极一为二维层状材料；所述电极一由辅助部件支撑，悬空摆放；所述电极一和电极二顶端之间形成缝隙一；所述电极二顶端面积小于电极一悬空部分的面积；所述电极二的侧边与辅助部件的侧边之间形成缝隙二；器件工作时电极一和电极二之间施加电压；该器件可实现二维层状材料平面端面的低压场致电子发射，可应用于低压驱动、低真空条件下工作的微纳真空三极管或光电探测器。

公开(公告)号：CN104122075B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201410355284.6

申请日：2014-07-24

Applicant: 中山大学

Inventor： 陈军 ,  陈福豪

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明公开了一种基于运动方块宽度的直接测量显示器运动模糊的方法，通过在显示器上显示运动的方块，并采用亮度计直接记录方块运动过程中对应区域的亮度变化，使用亮度阈值得到方块通过测量区域的时间，结合方块的运动速度可以计算出表征运动模糊的评价指标。相对于通常的仿真法，本发明的方法更接近主观评价结果，而且方法简单，适用范围广。

公开(公告)号：CN106383250A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610887440.2

申请日：2016-10-11

Applicant: 中山大学

Inventor： 邓少芝 ,  唐帅 ,  张宇 ,  许宁生 ,  陈焕君 ,  陈军 ,  佘峻聪

IPC: G01Q60/16

Abstract: 本发明涉及一种采用二维原子晶体材料的扫描隧道显微镜探针。二维原子晶体材料按欧姆接触方式垂直固定在导电杆端面上，利用二维原子晶体材料的原子层厚度实现原子级尖端，利用二维结构的线状束电子发射来获得线扫描，利用二维原子晶体材料的高导电性实现微弱信号采集。本发明技术实现方法简单，能够实现高分辨成像和快速扫描成像功能。

公开(公告)号：CN103515180B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310182432.4

申请日：2013-05-16

Applicant: 中山大学

Inventor： 刘飞 ,  许宁生 ,  莫富尧 ,  郭同义 ,  邓少芝 ,  陈军

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极，并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴?栅或阴?阳极之间施加高电压实现场致电子发射，再将重原子质量的气体（例如Ar）和强还原性的气体（例如H2）先后引入到纳米材料薄膜和阳极之间，保持一定的工作气压，再利用高电压形成等离子体辉光放电，在场发射的过程中对氧化钨纳米材料薄膜样品进行原位处理，最终达到提高其场发射特性的目的。该方法具有使用设备简单、处理气体廉价的特点。经过本方法处理后的氧化钨纳米材料薄膜其开启电场和阈值电场变低，场发射址的分布均匀性和亮度分布均匀性获得有效改善。

公开(公告)号：CN103762251B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410030072.0

申请日：2014-01-22

Applicant: 中山大学

Inventor： 王凯 ,  陈军 ,  欧海

IPC: H01L31/0224 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种可以用于间接探测型数字X-射线探测仪器的双栅极光电薄膜晶体管。在用于间接X射线探测的像素单元中，光电探测元件与信号读取的薄膜晶体管集成在一个双栅极光电薄膜晶体管中。双栅极光电薄膜晶体管既可实现了薄膜晶体管的开关和信号放大性能，也可以实现光电晶体管的感应功能和信号电荷的储存功能。这种方案具有高信噪比、高分辨率、制作工艺简单、集成度高的优点，可以充分利用像素面积，从而可以实现高灵敏度的探测。

公开(公告)号：CN102358938B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110197552.2

申请日：2011-07-14

Applicant: 中山大学

Inventor： 许宁生 ,  刘飞 ,  李力 ,  邓少芝 ,  陈军

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法，该方法以钨薄膜作为源材料，金属纳米粒子薄膜作为催化剂，包括(a)催化剂薄膜定域合成：即陶瓷模板和衬底材料固定在一起或使用微加工工艺中的曝光技术实现薄膜的图案化，然后在真空镀膜设备中实现催化剂纳米粒子膜的定域生长；(b)化学气相沉积技术：在反应气体的气氛下，在400-800℃的温度将W薄膜放入CVD设备中，经过1～8小时的生长后，打开固定装置或去除光刻胶后，最终形成图案化的氧化钨纳米线阵列。本制备方法不仅可以容易获得不同生长密度的图案化氧化钨纳米线阵列，而且具有反应温度低(＜500℃)，可适合于低熔点衬底生长的优点。

公开(公告)号：CN102243974B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110137365.5

申请日：2011-05-25

Applicant: 中山大学

Inventor： 许宁生 ,  陈军 ,  罗杰 ,  邓少芝 ,  佘峻聪

IPC: H01J29/04 ,  H01J29/46 ,  H01J31/12

Abstract: 本发明提供一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构。该结构包括阴极基板，栅极基板和阳极基板。本发明的场发射显示器的像素单元的开关状态由第一栅极电极和第二栅极电极控制，驱动电压低，结构中不需制作薄膜绝缘层，利于降低成本。本发明中的电极结构能确保阴极电极、第一栅极电极和第二栅极电极三者之间具有高强度的电绝缘特性，利于提高场发射显示器结构的工作可靠性。