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公开(公告)号：CN105261638A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510472392.6
申请日：2015-08-04
Applicant: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 , 中山大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开一种具有鳍型沟道结构的薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：（a）在基板上沉积并刻蚀底栅极；（b）在由步骤（a）获取的结构的上部沉积底部介电层，在所述底部介电层上连续沉积半导体薄膜层；（c）对半导体薄膜层进行刻蚀得到鳍型沟道；（d）在位于鳍型沟道两侧的半导体薄膜层上分别沉积欧姆接触层及源极和漏极并刻蚀；（e）在由步骤（d）获取的结构的上部沉积顶部介电层和顶栅极；（f）刻蚀顶栅极，完成制备具有双栅极鳍型沟道薄膜晶体管。采用本发明获取的晶体管增加了沟道区域半导体薄膜的厚度，将源漏区域半导体薄膜的厚度减薄。
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公开(公告)号：CN119694865A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411795811.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种X射线产生装置。该装置包括：固定铜块、旋转转子、旋转部件、多个微纳结构阳极靶、电子枪、控制单元；所述旋转转子和固定铜块同轴设置；所述旋转转子上沿轴向设置有多个微纳结构阳极靶，且多个微纳结构阳极靶与旋转转子轴心距离相等，均为第一距离；所述固定铜块沿轴向设置有第一通道，所述第一通道与固定铜块轴心的距离为第二距离，所述第一距离和第二距离相等；每个所述微纳结构阳极靶与固定铜块的端面接触；所述电子枪的发射端与第一通道位于相同水平线上；所述旋转部件与旋转转子的轴心连接，带动旋转转子沿轴心转动；所述控制单元分别与旋转部件、电子枪连接，用于控制旋转部件的旋转和电子枪的开关。该装置性能好、体积小、散热佳。
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公开(公告)号：CN119694864A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411865617.X
申请日：2024-12-18
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开一种无线驱动寻址的冷阴极平板X射线源，包括：阳极基板，所述阳极基板包括阳极靶和与所述阳极靶连接的阳极电极；阴极基板，所述阴极基板包括多个电子源单元，其中，每一个电子源单元包括无线驱动接收器和冷阴极电子源，所述无线驱动接收器与所述冷阴极电子源连接；隔离体，所述隔离体设置于所述阳极基板和阴极基板间，使所述阳极基板和阴极基板保持预设距离；多个无线驱动发射器，每一个所述无线驱动发射器对应一个所述无线驱动接收器；驱动电路，所述驱动电路与多个所述无线驱动发射器连接。本发明规避了传统平板X射线源引线多、封装难的缺点，降低了布线复杂度和维护成本，有利于冷阴极平板X射线源的智能化和便携化，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN114188198B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111228022.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种环形可寻址冷阴极X射线源器件，包括呈环状或多边形状的阳极、阴极，阳极包括阳极基板及透射靶薄膜，阴极包括阴极基板、阴极电极、绝缘层、栅极电极及多个低维纳米冷阴极；阴极基板，阴极电极、绝缘层及栅极电极设置在阴极基板的内壁上，绝缘层设置在阴极电极与栅极电极之间；低维纳米冷阴极设置在阴极电极上；透射靶薄膜设置在阳极基板的外壁上；阳极与阴极之间还设置有若干用于绝缘的隔离件。本发明中的环形可寻址冷阴极X射线源器件能够在没有机械旋转结构的情况下，对物体进行全方位全角度辐照，克服了现有分立式X射线管阵列的成像精度低、控制系统复杂，以及平板X射线源的有限成像角度等问题。
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公开(公告)号：CN116364524A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211579660.0
申请日：2022-12-08
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线阳极真空红外探测器件及制备方法，其包括：冷阴极点阵基板和阳极基板，冷阴极点阵基板包括阴极衬底、阴极电极层、阴极薄膜点阵、阴极发射体点阵；阳极基板包括的阳极衬底、第一阳极电极层、阳极铜衬底、阳极纳米线薄膜；冷阴极点阵基板和阳极基板之间通过高压绝缘的隔离体平行隔开固定，冷阴极点阵基板与阳极基板之间留有真空间隙。真空间隙可有效降低红外探测器的暗电流，提高电流增益；阴极发射体点阵电子源发射的电子在高压下获得较高能量，轰击光电导体纳米线，碰撞电离产生大量电子空穴对，也即EBIPC效应。当外加电场选在未光照时，施加在冷阴极上的电场不足以引起EBIPC效应，光照时，EBIPC效应启动，便可实现高灵敏度探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110228811B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201910410160.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种低维稀土硼化物纳米材料及其固相制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1催化剂薄膜合成：将催化剂沉积到衬底上；S2固相源热蒸发沉积：在载气的保护下，将硼源、无水稀土卤化物和衬底置于生长温度为700～1200℃，生长气压为0.1～100kPa下，蒸发、生长0.5～4h，在衬底上获得低维稀土硼化物纳米材料。可以使用不同催化剂在各种衬底上实现大面积、高密度、单晶稀土硼化物纳米结构的可控制备。
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公开(公告)号：CN114999876A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210623505.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极X射线源及其应用。该冷阴极X射线源所述阳极包括依次叠设的阳极衬底和透射阳极靶层；所述阴极包括依次叠设的阴极衬底和用于发射电子束的纳米冷阴极电子源层；所述透射阳极靶层与所述纳米冷阴极电子源层相对设置，且同心真空嵌套。该冷阴极X射线源中，纳米冷阴极电子源层在电场作用下发射电子束，由于透射阳极靶层与所述纳米冷阴极电子源层相对设置，且同心真空嵌套，故电子束会沿垂直方向轰击在透射阳极靶层上，并形成与透射阳极靶层方向垂直的X射线，从而实现了冷阴极X射线源在各面方向上均匀出射X射线，使得冷阴极X射线源可应用于适形成像或适形放疗中。
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公开(公告)号：CN113471052B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110729927.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 中山大学
IPC: H01J40/06 , H01J40/16 , H01L31/118 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，所述X射线探测器包括阳极基板和冷阴极基板，所述阳极基板包括阳极衬底、制备在阳极衬底上的阳极电极、制备在阳极电极上的半导体层；所述冷阴极基板包括冷阴极衬底、制备在冷阴极衬底上的冷阴极电极、制备在冷阴极电极上的光电导体、制备在光电导体上的冷阴极发射体；所述半导体层和所述光电导体通过隔离体相互绝缘地固定在一起，所述阳极基板上的半导体层与所述冷阴极发射体相对。本发明通过在阳极基板上设置半导体层、冷阴极基板上设置光电导体，降低了X射线探测器的暗电流，提高了X射线探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN113471052A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110729927.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 中山大学
IPC: H01J40/06 , H01J40/16 , H01L31/118 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，所述X射线探测器包括阳极基板和冷阴极基板，所述阳极基板包括阳极衬底、制备在阳极衬底上的阳极电极、制备在阳极电极上的半导体层；所述冷阴极基板包括冷阴极衬底、制备在冷阴极衬底上的冷阴极电极、制备在冷阴极电极上的光电导体、制备在光电导体上的冷阴极发射体；所述半导体层和所述光电导体通过隔离体相互绝缘地固定在一起，所述阳极基板上的半导体层与所述冷阴极发射体相对。本发明通过在阳极基板上设置半导体层、冷阴极基板上设置光电导体，降低了X射线探测器的暗电流，提高了X射线探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110600350B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910834161.3
申请日：2019-09-04
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源，包括衬底、绝缘层、底部阴极电极、底部分段环状栅极电极、刻蚀通孔、顶部阴极电极、顶部环状栅极电极、生长源薄膜、纳米线冷阴极，所述顶部环状栅极电极通过刻蚀通孔分别与底部分段环状栅极电极相连，还公开了一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源的制备方法，包括以下步骤：制作底部阴极电极、底部分段环状栅极电极、绝缘层、刻蚀通孔、顶部阴极电极、顶部环状栅极电极，沉积生长源薄膜，热氧化生长纳米线冷阴极。该纳米冷阴极电子源具有强栅控电子发射能力且是具有可行列寻址双环栅结构。
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