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公开(公告)号：CN119694864A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411865617.X
申请日：2024-12-18
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开一种无线驱动寻址的冷阴极平板X射线源，包括：阳极基板，所述阳极基板包括阳极靶和与所述阳极靶连接的阳极电极；阴极基板，所述阴极基板包括多个电子源单元，其中，每一个电子源单元包括无线驱动接收器和冷阴极电子源，所述无线驱动接收器与所述冷阴极电子源连接；隔离体，所述隔离体设置于所述阳极基板和阴极基板间，使所述阳极基板和阴极基板保持预设距离；多个无线驱动发射器，每一个所述无线驱动发射器对应一个所述无线驱动接收器；驱动电路，所述驱动电路与多个所述无线驱动发射器连接。本发明规避了传统平板X射线源引线多、封装难的缺点，降低了布线复杂度和维护成本，有利于冷阴极平板X射线源的智能化和便携化，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN119361410A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411478010.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种红外特征响应的光电倍增管。该光电倍增管包括透镜系统(1)、红外特征响应光阴极(2)、电子倍增系统(3)、阳极接收板(4)、外壳(5)、电极线和偏置电压源。外壳(5)设置有开口，透镜系统(1)设置在开口处，形成真空；红外特征响应光阴极(2)、电子倍增系统(3)、阳极接收板(4)均设置在外壳(5)内部；红外特征响应光阴极(2)表面设置有微纳结构，微纳结构具有等离激元特性；透镜系统(1)用于聚焦红外光，并将聚焦后的红外光发射至红外特征响应光阴极(2)的微纳结构上；红外特征响应光阴极(2)用于产生光电子，并将光电子发射至电子倍增系统(3)；电子倍增系统(3)用于接收光电子并产生增殖电子；阳极接收板(4)用于收集所述增殖电子，产生阳极电流；电极线穿过所述外壳(5)，电极线的一端分别与红外特征响应光阴极(2)、电子倍增系统(3)连接，电极线的另一端与偏置电压源连接。该光电倍增管能有效响应红外光的波段。
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公开(公告)号：CN114188198B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111228022.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种环形可寻址冷阴极X射线源器件，包括呈环状或多边形状的阳极、阴极，阳极包括阳极基板及透射靶薄膜，阴极包括阴极基板、阴极电极、绝缘层、栅极电极及多个低维纳米冷阴极；阴极基板，阴极电极、绝缘层及栅极电极设置在阴极基板的内壁上，绝缘层设置在阴极电极与栅极电极之间；低维纳米冷阴极设置在阴极电极上；透射靶薄膜设置在阳极基板的外壁上；阳极与阴极之间还设置有若干用于绝缘的隔离件。本发明中的环形可寻址冷阴极X射线源器件能够在没有机械旋转结构的情况下，对物体进行全方位全角度辐照，克服了现有分立式X射线管阵列的成像精度低、控制系统复杂，以及平板X射线源的有限成像角度等问题。
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公开(公告)号：CN117373569A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311170371.X
申请日：2023-09-12
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种基于准正则模式的光学分析方法、系统、装置及存储介质，方法包括：获取纳米结构的结构信息和材料信息，构建纳米结构的三维或二维模型；获取辅助公式，通过辅助公式求解特征方程组，得到纳米结构的谐振子的本征谐振模式；获取入射光的参数；调用本征谐振模式，求得第m阶本征谐振模式的场激发系数和频率依赖系数；通过本征谐振模式、场激发系数和频率依赖系数计算得到纳米结构的电场和总极化电流场；通过场激发系数、频率依赖系数和总极化电流场计算得到纳米结构的消光截面、吸收截面和散射截面。本发明实施例实现了高效的光学分析计算，且避免了本征谐振模式之间的串扰，可广泛应用于光学技术领域。
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公开(公告)号：CN117174552A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310962245.1
申请日：2023-08-01
Applicant: 中山大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种电子束形可调控的共面四极聚焦结构冷阴极电子枪，包括阴极、栅极、下聚焦极、共面四极聚焦结构、上聚焦极、阳极和隔离体；所述阴极、栅极、下聚焦极、共面四极聚焦结构、上聚焦极、阳极的中心位于同一轴心上，且由下到上依次设置，并通过隔离体将各个电极结构组合为一体结构；共面四极聚焦结构可设置不同电压值，通过调控电压参数组合形成非均匀截面空间电场；通过调节施加于共面四极聚焦结构的电压值组合，产生非均匀截面电场，实现对电子束进行束形、焦斑径向移动调控。本发明技术实现方法简单，能够根据应用对象需求产生不同形状要求的电子束，在微波太赫兹波真空电子器件、电子束曝光、电子显微成像等中有应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110228811B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201910410160.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种低维稀土硼化物纳米材料及其固相制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1催化剂薄膜合成：将催化剂沉积到衬底上；S2固相源热蒸发沉积：在载气的保护下，将硼源、无水稀土卤化物和衬底置于生长温度为700～1200℃，生长气压为0.1～100kPa下，蒸发、生长0.5～4h，在衬底上获得低维稀土硼化物纳米材料。可以使用不同催化剂在各种衬底上实现大面积、高密度、单晶稀土硼化物纳米结构的可控制备。
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公开(公告)号：CN114999876A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210623505.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极X射线源及其应用。该冷阴极X射线源所述阳极包括依次叠设的阳极衬底和透射阳极靶层；所述阴极包括依次叠设的阴极衬底和用于发射电子束的纳米冷阴极电子源层；所述透射阳极靶层与所述纳米冷阴极电子源层相对设置，且同心真空嵌套。该冷阴极X射线源中，纳米冷阴极电子源层在电场作用下发射电子束，由于透射阳极靶层与所述纳米冷阴极电子源层相对设置，且同心真空嵌套，故电子束会沿垂直方向轰击在透射阳极靶层上，并形成与透射阳极靶层方向垂直的X射线，从而实现了冷阴极X射线源在各面方向上均匀出射X射线，使得冷阴极X射线源可应用于适形成像或适形放疗中。
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公开(公告)号：CN113471052B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110729927.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 中山大学
IPC: H01J40/06 , H01J40/16 , H01L31/118 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，所述X射线探测器包括阳极基板和冷阴极基板，所述阳极基板包括阳极衬底、制备在阳极衬底上的阳极电极、制备在阳极电极上的半导体层；所述冷阴极基板包括冷阴极衬底、制备在冷阴极衬底上的冷阴极电极、制备在冷阴极电极上的光电导体、制备在光电导体上的冷阴极发射体；所述半导体层和所述光电导体通过隔离体相互绝缘地固定在一起，所述阳极基板上的半导体层与所述冷阴极发射体相对。本发明通过在阳极基板上设置半导体层、冷阴极基板上设置光电导体，降低了X射线探测器的暗电流，提高了X射线探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN113471052A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110729927.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 中山大学
IPC: H01J40/06 , H01J40/16 , H01L31/118 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，所述X射线探测器包括阳极基板和冷阴极基板，所述阳极基板包括阳极衬底、制备在阳极衬底上的阳极电极、制备在阳极电极上的半导体层；所述冷阴极基板包括冷阴极衬底、制备在冷阴极衬底上的冷阴极电极、制备在冷阴极电极上的光电导体、制备在光电导体上的冷阴极发射体；所述半导体层和所述光电导体通过隔离体相互绝缘地固定在一起，所述阳极基板上的半导体层与所述冷阴极发射体相对。本发明通过在阳极基板上设置半导体层、冷阴极基板上设置光电导体，降低了X射线探测器的暗电流，提高了X射线探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110333564B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910200073.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种基于聚焦离子束刻蚀制备的范德华激元材料微纳结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：S1：利用聚焦离子束对范德华层状材料进行刻蚀得到微纳结构；S2：将所制得的微纳结构置于100～1000℃下退火2～3h，即得到所述范德华激元材料微纳结构。本发明利用退火工艺对刻蚀后的微纳结构进行处理，可有效地使得样品表面的激元效应恢复。本发明提供的制备方法工艺简单，可以有效减少离子轰击对激元材料表面的影响，使得微纳结构仍然具有激元效应，为制备激元材料的微纳结构提供了一种新的手段。
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