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公开(公告)号：CN104124287B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410278075.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102358938B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110197552.2
申请日：2011-07-14
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法，该方法以钨薄膜作为源材料，金属纳米粒子薄膜作为催化剂，包括(a)催化剂薄膜定域合成：即陶瓷模板和衬底材料固定在一起或使用微加工工艺中的曝光技术实现薄膜的图案化，然后在真空镀膜设备中实现催化剂纳米粒子膜的定域生长；(b)化学气相沉积技术：在反应气体的气氛下，在400-800℃的温度将W薄膜放入CVD设备中，经过1～8小时的生长后，打开固定装置或去除光刻胶后，最终形成图案化的氧化钨纳米线阵列。本制备方法不仅可以容易获得不同生长密度的图案化氧化钨纳米线阵列，而且具有反应温度低(＜500℃)，可适合于低熔点衬底生长的优点。
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公开(公告)号：CN102358938A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110197552.2
申请日：2011-07-14
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法，该方法以钨薄膜作为源材料，金属纳米粒子薄膜作为催化剂，包括(a)催化剂薄膜定域合成：即陶瓷模板和衬底材料固定在一起或使用微加工工艺中的曝光技术实现薄膜的图案化，然后在真空镀膜设备中实现催化剂纳米粒子膜的定域生长；(b)化学气相沉积技术：在反应气体的气氛下，在400-800℃的温度将W薄膜放入CVD设备中，经过1～8小时的生长后，打开固定装置或去除光刻胶后，最终形成图案化的氧化钨纳米线阵列。本制备方法不仅可以容易获得不同生长密度的图案化氧化钨纳米线阵列，而且具有反应温度低(＜500℃)，可适合于低熔点衬底生长的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103066135A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310016810.1
申请日：2013-01-17
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法，该选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银前电极，所述银前电极上设有置于底部的主栅线图案和细栅线图案，所述硅片的背面依次为铝背场及铝背电极。本发明采用前电极主栅线与硅衬底隔离技术，可以有效减少前表面重掺区域比例，降低栅线底部区域的缺陷复合，同时可增加硅片前表面氮化硅钝化区域，避免主栅线金属银与硅衬底的欧姆接触造成的复合，有效提高开路电压、短路电流及电池转化效率。该技术工艺简单，制造成本较低，适合规模化生产，具有很大的市场前景。
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公开(公告)号：CN104022306B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410208140.8
申请日：2014-05-16
Applicant: 中山大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯/聚酯类多孔聚合物电解质的制备方法，以聚偏氟乙烯和聚己内酯为例,过程包括：将聚偏氟乙烯与聚己内酯按照不同的比例进行复配后在密炼机或者双螺杆挤出机中共混后得到聚偏氟乙烯/聚己内酯的复合材料，接着这个复合材料通过超临界二氧化碳发泡方法得到多孔材料,多孔材料经过电解液活化后变成多孔聚合物电解质,最后将这个电解质组装成电化学器件。本发明制备的聚偏氟乙烯/聚己内酯多孔聚合物电解质,具有较高的离子电导率,组装成的电化学元件具有较高的比电容和能量密度,并且这种聚合物电解质生产过程简单环保,材料作为电解质具有安全,不会产生漏液事故等特性,能替代液态的电解质溶液。
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公开(公告)号：CN103066135B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310016810.1
申请日：2013-01-17
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法，该选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银前电极，所述银前电极上设有置于底部的主栅线图案和细栅线图案，所述硅片的背面依次为铝背场及铝背电极。本发明采用前电极主栅线与硅衬底隔离技术，可以有效减少前表面重掺区域比例，降低栅线底部区域的缺陷复合，同时可增加硅片前表面氮化硅钝化区域，避免主栅线金属银与硅衬底的欧姆接触造成的复合，有效提高开路电压、短路电流及电池转化效率。该技术工艺简单，制造成本较低，适合规模化生产，具有很大的市场前景。
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公开(公告)号：CN104124287A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410278075.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0682
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104022306A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410208140.8
申请日：2014-05-16
Applicant: 中山大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0565 , H01M10/0525 , H01M2300/0082
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯/聚酯类多孔聚合物电解质的制备方法，以聚偏氟乙烯和聚己内酯为例,过程包括：将聚偏氟乙烯与聚己内酯按照不同的比例进行复配后在密炼机或者双螺杆挤出机中共混后得到聚偏氟乙烯/聚己内酯的复合材料，接着这个复合材料通过超临界二氧化碳发泡方法得到多孔材料,多孔材料经过电解液活化后变成多孔聚合物电解质,最后将这个电解质组装成电化学器件。本发明制备的聚偏氟乙烯/聚己内酯多孔聚合物电解质,具有较高的离子电导率,组装成的电化学元件具有较高的比电容和能量密度,并且这种聚合物电解质生产过程简单环保,材料作为电解质具有安全,不会产生漏液事故等特性,能替代液态的电解质溶液。
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