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公开(公告)号：CN114068321A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010751670.2
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/308 , H01J37/32 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种硬掩模去除方法和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的去除硬掩膜方法需要设置保护层否则会导致下层损害或损失。硬掩模去除方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方自下而上顺序形成基底材料层、待刻蚀层和硬掩模层图案，其中，基底材料层的材料与硬掩模层的材料为相同或相似物质；以硬掩模层图案为掩模，刻蚀待刻蚀层以形成接触孔，其中，接触孔为高横竖比孔；以及通过等离子体刻蚀去除硬掩模层的剩余材料，并且保持基底材料层未被刻蚀。不需要高横竖比孔中的保护层来保护基底材料层的情况下，在刻蚀后去除硬掩模层时也能够保持基底材料层未被刻蚀。
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公开(公告)号：CN113948493A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010695472.9
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L27/11502 , H01L27/11585
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，存储器件包括：存储单元，该存储单元包括从下至上依次堆叠的底电极、介质层以及顶电极；底部金属线，与底电极连接；顶部金属线，与顶电极连接，且顶部金属线包括从顶部金属线沟槽向下纵向延伸的第一部分以及位于顶部金属线沟槽中的第二部分；层间介质层，环绕在存储单元和顶部金属线周围。本发明能够增加顶部金属线沟槽底部到存储单元介质层的距离。
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公开(公告)号：CN113380942A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110610839.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成感光层，在牺牲层中形成第一沟道，在感光层中形成第二沟道；衬底在第一沟道、第二沟道处形成衬底暴露区；在衬底暴露区、感光层表面形成第一超导金属材料层；氧化第一超导金属材料层，形成第一绝缘材料层；去除牺牲层和感光层；去除第一超导金属材料层表面的第一绝缘材料层；氧化第一超导金属材料层，形成第二绝缘材料层；在第二绝缘材料层表面、衬底表面形成第二超导金属材料层；图形化第二超导金属材料层，刻蚀至第二绝缘材料层，第二超导金属材料层与带有第二绝缘材料层的第一超导金属材料层交叉形成约瑟夫森结。
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公开(公告)号：CN111577915A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010419429.X
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: F16K3/30 , F16K3/314 , F16K31/122 , F16K31/126 , F16K51/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种隔离阀及半导体制造装置，隔离阀包括阀体、阀轴、阀门和唇形密封圈，阀门设置在阀轴的第一端，阀轴通过阀体提供的动力带动阀门沿轴向运动，唇形密封圈设置在阀体的动力部件与目标部件的接触部位，目标部件为阀门移动时相较于动力部件运动的部件。这样，将隔离阀中原有的密封件由橡胶制的密封圈替换为唇形密封圈，由于隔离阀中的阀轴需要进行往复的运动来控制阀门开启或关闭，导致密封介质压力会随之变化。采用唇型密封圈进行密封时，唇形密封圈的密封压紧力是随介质压力的改变而变化的。可以通过唇部撑开、变形补偿小的磨损量，保证隔离阀的密封效果和使用寿命。
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公开(公告)号：CN101399184A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810223342.4
申请日：2008-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520138B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011297698.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置，涉及半导体技术领域，以解决由于陶瓷窗表面温度不均匀，生成聚合物颗粒，影响刻蚀工艺的良率和性能的问题。所述绝缘窗包括：绝缘窗本体、加热组件和温度控制组件。绝缘窗本体具有腔体结构。加热组件均匀的设置在腔体结构中，用于对绝缘窗本体进行加热。温度控制组件与加热组件相连接，用于调节加热组件的加热温度。所述反应腔包括上述技术方案所提的绝缘窗。所述电感耦合等离子体处理装置包括上述技术方案所提的绝缘窗。本发明提供的电感耦合等离子体处理装置用于处理晶圆。
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公开(公告)号：CN114695050B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011628567.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及陶瓷窗口的温控方法，属于半导体制造技术领域，解决了陶瓷窗口温度会随着工艺前后而变化，会产生工艺的再现性与重复性不良的问题。本发明等离子体刻蚀设备包括陶瓷窗口及用于维持陶瓷窗口温度稳定的加热装置和冷却装置；加热装置包括灯座和紫外线灯，紫外线灯设置有1个以上，且均匀设置在灯座上，灯座设置在陶瓷窗口上方；冷却装置包括多个冷却喷嘴，冷却喷嘴用于喷射冷却气体，多个冷却喷嘴均匀设置在陶瓷窗口的外围。
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公开(公告)号：CN117580360A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210934853.7
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于在确保半导体器件具有较高良率的情况下，增大电容器的电容量，提升电容器的数据存储性能。所述半导体器件包括：基底、金属互连层、连接结构和电容器。基底具有有源区。金属互连层形成在基底上。连接结构贯穿金属互连层。电容器形成在金属互连层上。电容器所包括的下电极通过连接结构与有源区电连接。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
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公开(公告)号：CN114975198A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110206132.X
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆传送机械臂、晶圆制造设备以及晶圆传送方法，属于半导体工艺技术领域，解决了现有技术中晶圆在晶圆传送机械臂上的传送过程中大气环境中的各种污染物会对晶圆造成污染导致晶圆在后续的制造过程中产生不良的问题。本发明的晶圆传送机械臂包括叶片基体以及用于提供保护气的供气单元，叶片基体上开设与供气单元连接的通孔，使得保护气通过通孔喷吹叶片基体的上表面。本发明的晶圆传送方法包括如下步骤：保护气喷吹在晶圆传送机械臂的叶片基体的上表面；晶圆从设备前端模块传送至叶片基体上，保护气始终对晶圆进行保护；叶片基体将晶圆传送至传输模块内。本发明的晶圆传送机械臂、晶圆制造设备以及晶圆传送方法可用于晶圆制造。
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公开(公告)号：CN114864431A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110157594.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种槽式清洗设备的快排冲洗槽，包括：槽体、第一供气管路、第二供气管路、鼓泡装置和下供水管路，鼓泡装置与第一供气管路和第二供气管路连接，用于将第一供气管路通入的小分子氮气处理为小分子氮气气泡，以及将第二供气管路通入的常规氮气处理为常规氮气气泡，小分子氮气气泡在常规氮气气泡的冲击下会发生破裂；下供水管路用于向槽体内通入去离子水。本发明利用小分子氮气发生破裂，能够改善晶圆的清洁效果，并减少清洗时间。
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