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公开(公告)号：CN101469414B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710303894.1
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应室结构，涉及微电子技术，是由内真空室与外腔室嵌套组成；内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接；内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接，以堵转电机控制内真空室上段的升降；内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与内真空室下段的侧壁不接触，避免载片台上的热量向外壁传导，以便载片台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的影响，明显地改善淀积薄膜的质量，降低粉尘；有利于提高衬底温度和新材料的生长。
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公开(公告)号：CN103206552A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210011850.2
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北京泰龙电子技术有限公司
Abstract: 公开了一种真空隔离阀装置，包括：设置有方孔结构的阀体、密封部件、连接过渡部件及活动阀板；所述密封部件设置在所述阀体上端中央位置，用于半导体真空腔室之间连通时的密封；所述连接过渡部件通过所述密封部件与所述活动阀板连接，通过外力作用控制所述活动阀板的升降。本发明提供的一种真空隔离阀装置，能缩小硅片传输距离或使传输距离可调整，便于装配、维修；结构简单，节约材料及生产加工成本，可实现同不同腔体连接，机构简单、成本经济、稳定性高、便于维护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101471395B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710303893.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46 , C23F4/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种太阳能电池刻边机反应室结构，它的腔壁与太阳电池片形状相似，呈方形，四角处可呈切角状或弧形，并作为产生辉光放电的射频供电的一个电极接地，腔室中间有一个金属电极接射频输出，该金属射频电极上放置有一结构特殊的载片架。在载片架中重叠在一起的硅片的边沿与腔壁之间的空间产生等离子体辉光，从而对载片架上的硅片边沿进行腐蚀。该反应室结构可使太阳能电池片的边沿钻蚀明显地减小，因而可提高太阳能电池片的转换效率和每批产品的一致性，同时它还有载片量大、刻蚀均匀性好等优点。
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公开(公告)号：CN101399184A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810223342.4
申请日：2008-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。
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公开(公告)号：CN100595886C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810223342.4
申请日：2008-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。
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公开(公告)号：CN101471395A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710303893.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46 , C23F4/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种太阳能电池刻边机反应室结构，它的腔壁与太阳电池片形状相似，呈方形，四角处可呈切角状或弧形，并作为产生辉光放电的射频供电的一个电极接地，腔室中间有一个金属电极接射频输出，该金属射频电极上放置有一结构特殊的载片架。在载片架中重叠在一起的硅片的边沿与腔壁之间的空间产生等离子体辉光，从而对载片架上的硅片边沿进行腐蚀。该反应室结构可使太阳能电池片的边沿钻蚀明显地减小，因而可提高太阳能电池片的转换效率和每批产品的一致性，同时它还有载片量大、刻蚀均匀性好等优点。
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公开(公告)号：CN101469414A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710303894.1
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应室结构，涉及微电子技术，是由内真空室与外腔室嵌套组成；内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接；内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接，以堵转电机控制内真空室上段的升降；内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与内真空室下段的侧壁不接触，避免载片台上的热量向外壁传导，以便载片台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的影响，明显地改善淀积薄膜的质量，降低粉尘；有利于提高衬底温度和新材料的生长。
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