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公开(公告)号：CN111446309B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010206294.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18 , G02B6/12 , G02B6/124 , G02B6/125
Abstract: 本发明公开一种波导集成型光电探测器及其制作方法，涉及光电技术领域。所述波导集成型光电探测器包括衬底、至少一条光波导、以及光电转换结构。光波导形成在衬底上方。每条光波导包括导向部。导向部具有多个导向结构，多个导向结构中的至少两个沿着衬底的厚度方向分布，相邻两个导向结构在衬底上的正投影边缘接合。光电转换结构形成在光波导背离衬底的上方。本发明提供的波导集成型光电探测器中导向部包括呈台阶状分布的多个导向结构。多个导向结构可以对光线进行传输和导向，使得这些光线可以导入至光电转换结构，完成光电转换过程，从而实现由波导材料形成的光波导与光电转换结构的集成化，提高波导集成型光电探测器的单片集成度。
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公开(公告)号：CN114334628A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111593926.2
申请日：2021-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种新型半导体结构的制备方法，包括：形成第一半导体材料层；采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；在浸润处理后的表面形成第二半导体材料层；其中，所述第二半导体材料层中的第一元素含量大于所述第一半导体材料层中的第一元素含量；所述浸润气体包括形成Ⅳ族或者Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料时使用的气态反应前驱体。本发明提供的技术方案能够通过浸润处理，形成具有垂直陡峭界面的高质量半导体异质结结构。
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公开(公告)号：CN108878263B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201810664093.6
申请日：2018-06-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，形成第一待键合结构和第二待键合结构，第一待键合结构包括牺牲层和预定键合的结构层，结构层和牺牲层形成异质结；步骤S2，向第一待键合结构和/或第二待键合结构施加作用力F并保持预定时间，使得第一待键合结构和第二待键合结构贴合，且结构层与第二待键合结构接触，对第一待键合结构和第二待键合结构进行加热，形成预半导体结构；步骤S3，去除牺牲层，形成半导体结构。该制作方法将应变施加引入到结构层中，形成质量较好的应变的结构层，进而形成性能较好的半导体结构。
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公开(公告)号：CN111834286B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010722513.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种半导体绝缘衬底的制备方法、半导体绝缘衬底、晶体管以及晶体管的制备方法。其中，半导体绝缘衬底的制备方法，包括：提供键合基片以及支撑基片；在支撑基片上形成沟道材料层；在沟道材料层上形成钝化层；将键合基片与支撑基片键合以形成键合衬底，键合后沟道材料层以及钝化层位于键合基片与支撑基片之间；将键合衬底自支撑基片一侧减薄至沟道材料层。本申请可以有效提高半导体绝缘衬底以及应用其制备的晶体管的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN113314396A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110414209.2
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底及半导体结构的制备方法。一种半导体衬底的制备方法，包括：在硅衬底上外延锗缓冲层，在所述锗缓冲层表面生长第一绝缘层；图形化刻蚀所述第一绝缘层，形成多个凹槽；第一次外延生长Ge1‑x‑ySnxSiy层，0≤x
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582258A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011323338.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大的问题。本发明的纯化硅衬底包括依次层叠的自然硅衬底、绝缘层和纯化硅层。本发明的形成方法包括提供一基础衬底，在基础衬底上外延形成纯化硅层，得到施主衬底；提供一自然硅衬底；在施主衬底和/或自然硅衬底上形成至少一层绝缘层；将施主衬底与自然硅衬底键合，基础衬底和自然硅衬底均位于表面，去除基础衬底或去除基础衬底和部分纯化硅层，得到纯化硅衬底。本发明的纯化硅衬底及其形成方法可用于半导体量子计算。
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公开(公告)号：CN111668090A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010760375.3
申请日：2020-07-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上可以外延形成缓冲层，缓冲层可以包括锗膜和/或砷化镓膜，在缓冲层上外延形成磷化铟层。这样锗膜和/或砷化镓膜可以作为硅衬底和磷化铟层之间的缓冲层，改善硅衬底和磷化铟层之间的晶格失配，减少磷化铟层中的反向畴，减少磷化铟层中的缺陷，提高基于磷化铟层的器件的性能。
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公开(公告)号：CN111599758A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010494868.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层，第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中，包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层，之后，可以在第一堆叠层中形成第一器件，以及在第二堆叠层中形成第二器件。这样，源漏之间存在纵向的沟道层，沟道层的长度与膜层的厚度相关，无需高成本高精度的刻蚀，因此能够利用较低的成本和简易的工艺得到小尺寸高性能的器件，此外，能够提供多样化的器件结构，更能满足用户需求。
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公开(公告)号：CN111599757A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010494852.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层和第二堆叠层之间的介质层可以作为隔离层，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层，第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中，包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层，之后，可以在第一堆叠层中形成第一器件，以及在第二堆叠层中形成第二器件。衬底上可以包括不同材料构成的第一器件和第二器件，因此能够提供多样化的器件结构，更能满足用户需求。
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公开(公告)号：CN109725384A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910185469.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层，第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠；S2，在第二氮化硅层中形成与锗籽晶层连通的第一凹槽，并在第一凹槽中填充锗材料以形成脊形波导芯层；S3，形成覆盖第二氮化硅层和脊形波导芯层的第三氮化硅层，第二氮化硅层与第三氮化硅层构成锗基光波导的上包层，第一氮化硅层为锗基光波导的下包层，脊形波导芯层位于上包层和下包层之间。上述结构能够实现锗基波导的透光波段延伸到红外波的7.5μm左右，使具有该锗基光波导的光子集成芯片的工作波长能够扩展至中红外波段。
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