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公开(公告)号：CN101841124A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910080071.6
申请日：2009-03-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其中包括：一衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作在衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下波导层，制作在N型下限制层上；一有源区，制作在下波导层上；一界面层，制作在有源区上；一P型上限制层，制作在界面层上；一过渡层，制作在P型上限制层上；一电极接触层，制作在过渡层上；一双沟，刻蚀在电极接触层上，刻蚀深度至下波导层以内，在双沟之间形成脊型台面；一钝化膜层，制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧，所述脊型台面上的钝化膜层为断开的；一P面电极，制作在脊型台面上，与电极接触层接触；一N面电极，制作在衬底的下面。
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公开(公告)号：CN100349271C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200410056958.9
申请日：2004-08-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/365 , C30B25/00 , C30B25/18 , C30B29/16
Abstract: 本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底硅(001)晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长的氧化锌薄膜为高结晶质量薄膜，晶体结晶质量高且表面光滑。XRD曲线半峰宽小于0.3度。其表面粗糙度Rms小于1.2nm。RHEED图像为规则点带状。
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公开(公告)号：CN1741258A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410056958.9
申请日：2004-08-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/365 , C30B25/00 , C30B25/18 , C30B29/16
Abstract: 本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在大失配衬底硅(001)晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长的氧化锌薄膜为高结晶质量薄膜，晶体结晶质量高且表面光滑。XRD曲线半峰宽小于0.3度。其表面粗糙度Rms小于1.2nm。RHEED图像为规则点带状。
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公开(公告)号：CN115522263B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211219510.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S4，采用湿法化学腐蚀对S3所得的砷化铟单晶片进行氧化、清洗；S5，将S4所得的砷化铟单晶片甩干，得到薄氧化层界面的砷化铟衬底。本公开的方法能够得到薄的III族铟和V族砷氧化物层，在砷化铟衬底外延时易于使该氧化物层脱附，且外延的缺陷密度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115522263A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211219510.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S4，采用湿法化学腐蚀对S3所得的砷化铟单晶片进行氧化、清洗；S5，将S4所得的砷化铟单晶片甩干，得到薄氧化层界面的砷化铟衬底。本公开的方法能够得到薄的III族铟和V族砷氧化物层，在砷化铟衬底外延时易于使该氧化物层脱附，且外延的缺陷密度低。
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公开(公告)号：CN102148478B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110051837.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；步骤3：采用光刻技术，在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；步骤4：在P型帽层上向下刻蚀，形成脊形波导结构，同时在脊形波导结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构，刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面，完成器件的制备。
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公开(公告)号：CN102206856B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110113282.2
申请日：2011-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3：关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5：待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。
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公开(公告)号：CN101888056A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910084036.1
申请日：2009-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。
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公开(公告)号：CN101841123A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910080070.1
申请日：2009-03-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一第一N型下限制层，该第一N型下限制层制作在缓冲层上；一倒V型耦合光波导层，该倒V型耦合光波导层制作在第一N型下限制层上；一第二N型下限制层，该第二N型下限制层制作在倒V型耦合光波导层上；一下波导层，该下波导层制作在第二N型下限制层上；一有源区，该有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在有源区上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上。
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