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公开(公告)号：CN117702080A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311551858.2
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种基材表面高通量制备SiC纳米线的沉积装置及制备SiC纳米线的方法。所述基材表面高通量制备SiC纳米线的沉积装置包括：至少2个以上石墨板，所述石墨板中设置有多个通孔；用于支撑并固定石墨板用的支撑装置；以及设置在石墨板上表面且用于放置基材的基材支撑装置或设置在石墨板下表面且用于悬挂基材的基材悬挂装置。
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公开(公告)号：CN115784749B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111056523.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN116199519A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310057159.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用低温或者高温化学气相沉积工艺在纤维预制体表面沉积第一层BN界面层并在沉积结束后对纤维预制体进行第一次热处理，或者仅采用高温化学气相沉积工艺在预先制备好的纤维预制体表面沉积第一层BN界面层，得到沉积第一层BN界面层的纤维预制体；采用化学气相沉积工艺在所述沉积第一层BN界面层的纤维预制体表面连续依次沉积第二层BN界面层和陶瓷基体，得到沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体；对所述沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体进行第二次热处理；致密化，得到所述双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115385712A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110569439.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B38/00 , C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，具体涉及一种Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C‑SiC高熵超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体，以及依次形成在碳纤维预制体中(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体和SiC陶瓷基体组成，其中a=18～22%、b=18～22%、c=18～22%、d=18～22%、e=18～22%，且a+b+c+d+e=1；所述(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体的含量为40～60wt%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109608208B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811542939.5
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/628 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种多层界面涂层及其制备方法和应用，所述多层界面涂层包括依次交替形成在所述基底表面的SiBN涂层和Si3N4涂层，所述SiBN涂层的层数n≥1，优选为2～5。
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公开(公告)号：CN113526972A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110856783.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/628 , C04B35/84
Abstract: 本发明涉及一种抗强烧蚀的稀土改性超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述稀土改性超高温陶瓷基复合材料包括：纤维预制体、依次形成在纤维预制体表面的超高温陶瓷和稀土氧化物的混合相及碳化物基体；所述纤维预制体的含量为15vol%～50vol%，所述超高温陶瓷和稀土氧化物的混合相的体积含量为16vol%～50vol%，碳化物基体的含量为10vol%～40vol%。
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公开(公告)号：CN113334271A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110570008.1
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B25B11/00 , C04B35/56 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/80
Abstract: 本发明提供一种单束纤维增强陶瓷基复合材料制备用工装夹具，是在纤维束的表面进行界面相制备及基体致密化处理时对纤维束进行固定的工装夹具，包括一对底座、一对螺杆和多个螺母；底座上设置有通过在底面上沿长度方向开设第一凹槽而形成的安装部和通过在底面上沿宽度方向开设第二凹槽而形成的缠绕部，第二凹槽的深度在第一凹槽以下；在第一凹槽与第二凹槽重叠的区域上开设有用于通过气流的通气孔，安装部在通气孔的两侧形成有对称分布的一对贯通孔；一对螺杆以分别插通一对底座上的一对贯通孔，且在一对贯通孔的两侧通过螺母进行紧固的形式设置；纤维束缠绕于一对底座的缠绕部的外周缘上。
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公开(公告)号：CN110894164B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811068099.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/50 , C04B35/16
Abstract: 本发明涉及一种稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料包括纤维预制体、用于填充纤维预制体的SiC基体、环状分布在纤维预制体中纤维表面和SiC基体之间的至少2层稀土硅酸盐层、以及位于相邻稀土硅酸盐层之间的SiC层；优选地，所述稀土硅酸盐层的层数为2～3层。
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公开(公告)号：CN112898023A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110125659.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体、填充在碳纤维预制体中的SiC基体，以及分布在SiC基体和碳纤维预制体之间的Ta4HfC5基体。
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