一种扫描近场光学检测台

    公开(公告)号:CN103558419A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310574080.7

    申请日:2013-11-15

    Abstract: 本发明提供一种扫描近场光学检测台,包括:本体(22);所述本体包括相互垂直的XOY面、YOZ面以及ZOX面;所述XOY面、YOZ面以及ZOX面围成一个收容空间;收容于所述收容空间内用于放置工件(17)的矩形工作台(18);所述矩形工作台包括底面以及相互垂直相邻的四个侧面;所述矩形工作台的底面四角设有与所述本体XOY面固定的四个液压驱动单元(21);所述矩形工作台相邻的两个侧面分别设有与所述本体YOZ面以及ZOX面固定的两个液压驱动单元(11);所述本体YOZ面上设有位于所述工件上方的用于实现所述工件在Z轴方向上的定位的喷嘴单元。本发明支柱伸长量可调、可测,因此工作台的位移精度较高且控制较为简单;工作台运动的有效行程较大。

    一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统

    公开(公告)号:CN112200289B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202011284812.5

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统,所述条码识别装置包括衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,且相邻的硅导线之间距离相等,每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连,所述电位测量计与处理器相连;所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔,所述激光器相对于所述衬底固定;所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时,硅导线与衬底之间发生近场耦效应,并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制,所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本发明能够为微纳米器件提供条码标识。

    一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构

    公开(公告)号:CN112240748B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202011284773.9

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构,其中刚性底板的上表面固定有衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组,所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,且相邻的硅导线之间距离相等;所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面;所述刚性上板的下表面设置有散射光源;所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时,所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应,并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。

    一种波长复用的全息图超表面及其制作方法

    公开(公告)号:CN118363285A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202310068543.6

    申请日:2023-01-18

    Abstract: 本发明提供一种波长复用的全息图超表面,其由多个亚波长尺度的功能基元在平面上有序排布形成,每个功能基元由衬底材料与所述衬底材料的第一表面上的纳米柱组成;每个功能基元的结构是中心对称的且其纳米柱为根据编码矩阵得到的多边形柱,且所述功能基元包括多种构型,不同构型的功能基元具有相同的衬底尺寸、相同的纳米柱的高度和不同的纳米柱截面的几何形状,以形成随机对称多边形编码型功能基元;波长复用的全息图超表面中所分布的各功能基元的构型根据全息图超表面的相位分布确定。本发明还提供相应的制作方法。本发明的超表面及其制作方法能兼顾功能基元构型的多样性与随机性,提高透过率。

    一种大口径多波长偏振复用超透镜设计方法

    公开(公告)号:CN117539058A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311682449.6

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 本发明涉及一种大口径多波长偏振复用超透镜设计方法,包括以下步骤:采用偏振敏感型超构表面结构作为超构表面单元;通过仿真软件进行参数扫描,得到所述超构表面单元的相位调控、透过率调控能力与所述超构表面单元参数的关系,并形成参数空间;计算超透镜上给定位置(x,y)处的相位,并从所述参数空间中寻找合适的结构进行填充,得到工作在单个波长的超构表面阵列;将两个工作在单个波长的超构表面阵列稀疏化,并集成到一片超构表面上,得到在两个工作波长下均实现预期功能的多波长偏振复用超构表面透镜。本发明能够在不增加系统复杂度的情况下扩大超透镜的口径。

    一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114236880A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111455348.6

    申请日:2021-12-01

    Abstract: 本发明涉及一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用,包括硅层(1‑9),其特征在于:所述硅层(1‑9)上依次包括P型重掺杂区(1‑5)、P型中等掺杂区(1‑3)、P型轻掺杂区(1‑1)、N型轻掺杂区(1‑2)、N型中等掺杂区(1‑4)和N型重掺杂区(1‑6);所述P型轻掺杂区(1‑1)与N型轻掺杂区(1‑2)形成至少两个纵向PN结,至少三个横向PN结。本发明通过控制离子注入的比例和位置,实现高效调制的硅基耗尽型调制器,且在低压下具有高带宽的优势,可实现低功耗大规模数据传输。

    一种微小空间三维形貌测量装置

    公开(公告)号:CN112240754A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202011284798.9

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种微小空间三维形貌测量装置,包括光源组件和至少两组探测组件,所述探测组件包括衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,且相邻的硅导线之间距离相等,每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连,所述电位测量计与处理器相连;所述光源组件通过激光对被测样品表面进行逐行扫描,被测样品反射的激光照射到所述探测组件上时,硅导线与衬底之间发生近场耦效应,并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制,所述处理器根据与硅导线相连的电位测量计输出的连续信号计算出被测样品表面反光点的位置信息。本发明具有体积小、精度高、非接触等优点。

    一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统

    公开(公告)号:CN112200289A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011284812.5

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统,所述条码识别装置包括衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,且相邻的硅导线之间距离相等,每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连,所述电位测量计与处理器相连;所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔,所述激光器相对于所述衬底固定;所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时,硅导线与衬底之间发生近场耦效应,并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制,所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本发明能够为微纳米器件提供条码标识。

    一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪

    公开(公告)号:CN112462469B

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202011479959.X

    申请日:2020-12-15

    Abstract: 本发明涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪,包括输入Y分支波导和输出Y分支波导,所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同,所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连;所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连,所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连,所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连;所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同,并沿着第二直波导的中线对称。本发明能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。

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