公开(公告)号：CN118139514A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410255214.7

申请日：2024-03-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  樊涛 ,  黄阳 ,  肖克来提 ,  谢晓明

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/82

Abstract: 本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板，形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔，自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔；形成覆盖通孔内壁及第一面、第二面的第一绝缘层；于第一绝缘层表面依次形成覆盖第一绝缘层表面的第一超导金属层、覆盖第一超导金属层表面的第二绝缘层及覆盖第二绝缘层表面的第二超导金属层；基于第一超导金属层形成地线层，基于第二超导金属层形成信号线层；形成填充通孔的剩余部分的填充层。本发明的超导电路基板结构及其制备方法保证了超导电路基板结构的高频传输性能，能够实现超导集成电路弱信号的高频传输。

公开(公告)号：CN116631978A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310484725.1

申请日：2023-05-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖克来提

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种半超导TSV转接板结构及制造方法。该方法包括：(1)将铜晶圆机械加工，预留腔体空间；(2)另一芯片晶圆上生长铜柱，贴膜，切割；(3)将单颗芯片嵌入铜晶圆腔体内，塑封；(4)将晶圆机械研磨；(5)晶圆正面形成第1绝缘层图形；(6)晶圆上形成第1层金属化布线；(7)形成第2层绝缘层和布线层；(8)晶圆背面机械研磨；(9)晶圆背面制作绝缘层和布线层；(10)芯片Pad位置植球；(11)贴芯片。该转接板以铜晶圆为框架制作TSV垂直连接柱，并在封装体内预埋芯片，缩短芯片垂直连接的路径，降低芯片见延迟，提高封装体整体量子通讯和超级计算能力。该方法制作工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN116631977A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310484722.8

申请日：2023-05-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖克来提

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种全超导TSV转接板结构及制造方法。该制造方法包括：(1)选择超导载体晶圆，机械加工；(2)在晶圆平整面一侧贴上一层耐高温膜，塑封；(3)对晶圆正面研磨，形成TSV柱+线路的结构，清洗；(4)晶圆正面形成绝缘层的图形层，光刻图形；(5)在晶圆上形成金属连接线；(6)将晶圆正面重复步骤(4)‑(5)；(7)将晶圆背面重复步骤(4)‑(5)；(8)使用超导球，在上述晶圆对应的芯片Pad位置进行植球；(9)贴芯片。该转接板以全超导材料为封装电连接材料，可实现量子通讯和超级计算的低延迟需求，而且制作工艺简单、成本低廉，可以解决多元素合金超导材料无法使用电镀方式形成电连接线路的弊端。

公开(公告)号：CN116313829A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310314051.0

申请日：2023-03-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖克来提

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明提供一种封装转接板及其制备方法，该方法包括：提供掺杂的半导体晶圆；自半导体晶圆的第一表面沿其厚度方向刻蚀形成至少一个环形凹槽，环形凹槽中限定出电连接柱；采用绝缘材料层填充满环形凹槽；于半导体晶圆的第一表面形成第一重新布线层；自半导体晶圆的第二表面减薄半导体晶圆直至露出环形凹槽；于半导体晶圆的第二表面形成第二重新布线层。以绝缘材料填充物包围掺杂的低阻半导体取代金属柱作为转接板的电连接线，避免了钝化层、阻挡层、导电层及金属层的填孔沉积以及后续对表面金属层、阻挡层及钝化层的CMP，在保证形成的电连接线导电性能的前提下，有效降低了转接板制备工艺复杂度，避免了昂贵设备的使用，且产品结构质量稳定。

公开(公告)号：CN2626974Y

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN03231290.3

申请日：2003-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王立春 ,  罗乐 ,  肖克来提 ,  周萍

IPC: B81C5/00

Abstract: 本实用新型涉及一种实现微机电系统(MEMS)器件气密密封装的结构，其特征在于：(1)晶片上每个MEMS器件的周边上有一个焊料封环，键合区分布在焊料封环周边的一侧，并与MEMS器件通过介质下的导体形成电连接；(2)盖板基片上腔体与晶片上MEMS器件相对应，每个腔体周边有一凸凹相同结构的焊料封环，晶片上MEMS器件周边的焊料封环相对应，在四角上各有一限位块；焊料封环周边一侧上有一孔洞框，它与晶片上键合区相对应，它与外围配置电路构成集成化的MEMS；(3)晶体上焊料封环和腔体的封环夹层间形成气孔通道，分布于两封环夹层的四周。键合过程腔体内表面释放的气体从夹层的通道逃逸出去。

公开(公告)号：CN2626973Y

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN03231289.X

申请日：2003-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖克来提 ,  罗乐

IPC: B81C5/00

Abstract: 本实用新型涉及一种控制键合过程中熔融玻璃或有机胶塌陷的支撑体，其特征在于支撑体放置在芯片和盖板之间；或位于盖板上；或位于芯片上，所述支撑体的高度略低于键合前有机胶或熔融玻璃的高度，从而为微机械芯片的动件提供一个不受外界环境干扰或使后续的灌封和塑封工艺不影响芯片动件的密封腔体。相对其他微机械密封方法而言，本结构通过控制胶体的塌陷和铺张及胶体的体积，使最后获得的腔体尺寸小且均一性高，同时简化了微机械芯片和盖板制造工艺。