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公开(公告)号：CN113130376B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN116774469A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310737309.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构，得到器件。本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
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公开(公告)号：CN110601674B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910925098.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10
Abstract: 本发明提供一种高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器至少包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上表面的图案化介质层；位于所述图案化介质层表面的压电膜；位于所述压电膜表面的图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下方形成图案化介质层，可极大减少压电膜中传播的高频声波能量向衬底泄露，从而形成高频谐振，并使高频声波谐振器保持较高的Q值，并且由于图案与介质材料的可调整性，使得高频声波谐振器综合性能可以根据实际情况进行参数选择。
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公开(公告)号：CN113130376A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN109166792A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810942371.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/34 , H01L21/425 , H01L21/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118112716A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410058957.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122 , G02F1/00 , G02F1/03 , G02F1/35 , G02F1/365 , G02F1/355 , G02F1/035 , G02B6/136 , G02B6/13 , G02B6/12
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种集成光子芯片及其制备方法。本申请实施例提供的集成光子芯片具有同一支撑衬底，还包括位于所述支撑衬底上的钽酸锂光子系统，所述钽酸锂光子系统包括光传输波导；位于所述钽酸锂光子系统上的电互联系统，所述电互联系统包括行波电极、焊接电极和用于连接所述行波电极、所述焊接电极的引线。从而使得该集成光子芯片兼具成本低和优异的光学性能。
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公开(公告)号：CN117950214A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058124.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种基于钽酸锂的电光调制器件及制备方法，所述电光调制器件包括：衬底；位于所述衬底上的光学器件层；所述光学器件层为对形成在所述衬底上的钽酸锂薄膜层进行刻蚀得到；位于所述光学器件层上的保护层；位于保护层上的槽型电极层；其中，所述槽型电极层的槽型电极设置有至少两个空气槽，相邻两个所述空气槽的间距为10um～100um，所述空气槽的宽度为2～30um，所述空气槽的长度为4～30um。通过在电光调制器中的行波电极设计空气槽对微波的有效折射率进行调控，使其能够与光波的有效折射率匹配。
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公开(公告)号：CN117908186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410104574.7
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片集成高速调制硅基光芯片及制备方法，从下至上依次包括硅基光电子层(I)、中间层(II)、铌酸锂层或钽酸锂层(III)；所述硅基光电子层(I)从下至上包括衬底(1)、绝缘层(2)、硅波导(3)、InP激光器(4)、硅锗光电探测器(5)和热光移相器(6)。本发明基于铌酸锂(或钽酸锂)优良的电光调制性能，聚焦于特殊的键合方法和CMOS兼容的硅光子流片工艺，获得了铌酸锂(或钽酸锂)‑硅多层结构，进一步地实现了激光器、光电探测器、电光调制器全集成的收发一体光芯片，其能够满足当前片上光系统对于高紧凑性和低功耗的要求。
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公开(公告)号：CN117872530A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410059037.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子芯片的制备方法及光子芯片。通过提供一光子结构；所述光子结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述钽酸锂层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成钽酸锂波导；去除所述光刻胶，得到光子芯片。通过对钽酸锂层进行深刻蚀，使得得到的条形波导可以有效改善水平方向的光场限制，降低波导弯曲半径大小的限制，从而获得更高集成密度的钽酸锂光子芯片。
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公开(公告)号：CN117572561A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311597089.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请公开了一种异质集成结构及制备方法，包括提供第一衬底，所述第一衬底包括光电层、光学隔离层和基底，所述光学隔离层位于所述基底与所述光电层之间；在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层；所述光电层和所述光场调控层中二者择一的热光系数为正值，另一的热光系数为负值。本申请采用其一热光系数为正值、另一为负值的光电层和光场调控层相结合，调节异质集成结构中的光场分布，以修正温度变化带来的光学性能改变及器件性能抖动，大大降低异质集成材料整体的温度敏感性，热稳定性好。
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