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公开(公告)号：CN104750923B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510136875.9
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种MOSFET的建模方法，包括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数的拟合满足精度要求，建立RF模型，生成模型卡。本发明通过将源漏寄生电阻加入DC模型和射频模型中，可以提高射频模型的建模精度，并且本发明将DC模型和射频模型相结合，可以减少射频模型建模的工作周期。
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公开(公告)号：CN105870186A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610237267.1
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和体区，同时形成PN结器件；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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公开(公告)号：CN105845734A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610236465.6
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所述体区为P型重掺杂区；两个二极管共用P区，并以两个PMOS管共用的体区作为P区；所述第一二极管的P区与所述第一PMOS管的栅连接，所述第二二极管的P区与所述第二PMOS管的栅连接。本发明通过在两个PMOS管的栅体连接通路上各形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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公开(公告)号：CN103325788B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310242397.0
申请日：2013-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。本发明与常规CMOS工艺兼容，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN104409503A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410674653.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0684 , H01L29/42356
Abstract: 本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容。相比较普通的体接触器件，其有源区的利用率高，在相同总的栅宽条件下，体接触区域面积减小了一半，可以集成度提高。因为中间体区为两侧有源区公用，金属连线所占面积降低，可以降低寄生电容。在不增加布线难度的情况下实现两侧栅极的并联，减小了栅极电阻。在不增加布线难度的情况下实现两侧漏极的并联，减小了漏极电阻。器件版图结构该设计方法在射频电路领域具有一定的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104362174A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410675314.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/0684 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。
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公开(公告)号：CN103325788A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310242397.0
申请日：2013-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。本发明与常规CMOS工艺兼容，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN103311250A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196617.0
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元，所述存储器单元至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。本发明与常规CMOS工艺兼容，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN106991201B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201610038229.3
申请日：2016-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。
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公开(公告)号：CN110890418A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911214247.2
申请日：2019-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有双埋氧层的晶体管结构及其制备方法，自上而下依次包括：顶层硅层，有源区，浅沟槽隔离区，有源区包括：位于顶层硅层上方的栅极、栅介质层，位于顶层硅层横向两端的源极和漏极；第一埋氧层；第二硅层；第二埋氧层；衬底硅层；还包括：依次贯穿浅沟槽隔离区、第一埋氧层的通孔，该通孔通过粒子注入或者掺杂，在第二硅层与通孔的界面处形成欧姆接触区；依次贯穿浅沟槽隔离区、第一埋氧层以及第二硅层形成的深沟槽隔离区；以及在衬底硅层与第二埋氧层的界面处形成的缺陷层。根据本发明提供的晶体管结构能够实现较低的衬底损耗和谐波噪声，使得器件在恶劣情况下实现较高的射频特性，与数字电路、模拟电路实现集成。
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