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公开(公告)号：CN109786233A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910044410.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
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公开(公告)号：CN109682510A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811494579.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种GaN高温压力传感器及制备方法，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于压力检测区，引脚在压力检测区之外；硅基座下表面设有第一刻蚀凹槽，第一刻蚀凹槽的槽底设有第二刻蚀凹槽和通孔；硅基座与硅衬底通过玻璃浆料烧结密封连接，压阻器件位于第二刻蚀凹槽内，引脚位于第二刻蚀凹槽之外，通孔内填充用于将引脚引出的金属。本发明提供的GaN高温压力传感器，具有较强的压电极化效应，具备在高温、辐照环境下工作的能力，在硅衬底上外延GaN，可以制备较大的晶圆，且加工工艺比碳化硅材料容易。
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公开(公告)号：CN109668661A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811494577.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种GaN高温压力传感器及制备方法，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于压力检测区，引脚在压力检测区之外，引脚对应的位置设有贯穿GaN外延层和硅衬底的通孔，通孔内填充用于将引脚从硅衬底的下表面引出的金属；硅基座下表面设有刻蚀凹槽，硅基座与硅衬底通过玻璃浆料烧结实现密封连接，压阻器件和引脚密封于刻蚀凹槽内。本发明提供的GaN高温压力传感器具有较强的压电极化效应，具备在高温、辐照环境下工作的能力，在硅衬底上外延GaN，可以制备较大的晶圆，且加工工艺比碳化硅材料容易。
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公开(公告)号：CN109269687A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811125179.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于压力传感器技术领域，提供了一种GaN微压压力传感器，包括：Si衬底；AlN形核层，位于Si衬底的上表面；GaN缓冲层，位于AlN形核层的上表面；和压力敏感单元，位于GaN缓冲层的上表面；其中，Si衬底上与压力敏感单元对应的位置设有腔体，腔体贯穿Si衬底的上表面和下表面。AlN形核层不与Si衬底腐蚀液或刻蚀气体反应，可以作为刻蚀终止层，以控制Si衬底刻蚀的均匀性，GaN材料具有优良的机械性能，因此在同样条件下更容易获得高线性的输出。通过此种方式解决传统扩散硅压力传感器在厚度降至微米级时出现严重非线性的问题，实现微小压力量程下，压力信号高灵敏、度高线性度的输出。
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公开(公告)号：CN106130501B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610608482.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630779A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810421559.X
申请日：2018-05-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了碳化硅探测器及其制备方法，碳化硅探测器包括：晶片，所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P+层、N型碳化硅插入层、N+型碳化硅倍增层、N型碳化硅吸收层和碳化硅N+层；所述N型碳化硅插入层的掺杂浓度从下至上递增，所述N型碳化硅吸收层的掺杂浓度从下至上递减；所述晶片上刻蚀有台面，所述台面刻蚀至所述碳化硅P+层上表面；所述台面上表面设有N型电极，非台面区的上表面设有P型电极。本发明能够降低器件的暗电流，进而提高器件的信噪比，并保证了较高的量子效率。
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公开(公告)号：CN108630778A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810420959.9
申请日：2018-05-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种倾斜台面的制备方法及探测器的制备方法，倾斜台面的制备方法包括：在晶片的台面区涂覆光刻胶层，将涂覆光刻胶层后的晶片从第一预设温度加热至第二预设温度，对经过加热后的晶片进行刻蚀处理，制备具有预设倾斜角度的台面，去除制备台面后的晶片台面区的光刻胶层。本发明能够使台面的侧壁非常平滑，从而降低器件表面的漏电流。
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公开(公告)号：CN107910377A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711118404.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。
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公开(公告)号：CN107464844A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710596165.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/0615 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域对应的氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、掺杂氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；去除所述氧化镓外延片的栅区对应的重掺杂氧化镓层；分别在源区和漏区的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；所述源区和所述漏区分别位于所述栅区的两侧；在所述栅区的上表面覆盖第二金属层形成栅极。本发明能够避免降低氧化镓场效应晶体管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN107093629A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710308243.5
申请日：2017-05-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种增强型HFET，涉及半导体开关器件技术领域。所述HFET，包括HFET器件本体，所述HFET器件本体的漏电极与源电极之间的沟道层上存在无二维电子气区，且栅电极以外的沟道层上存在无二维电子气区，无二维电子气区之外的漏电极与源电极之间的沟道层上设有二维电子气区，且栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间的沟道层上均存在二维电子气区，栅电极正下方的沟道层在二维电子气层的位置部分或全部存在二维电子气。所述HFET具有饱和电流大、阈值电压可控性强、响应速度快以及能耗低等优点。
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