一种基于信号特征计算的滤波器件抑制作用评估方法

    公开(公告)号:CN111931636B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202010786882.4

    申请日:2020-08-07

    Abstract: 本发明实施例公开了一种基于信号特征计算的滤波器件抑制作用评估方法,涉及信号测试技术领域,该方法包括:获取待进行评估的输入信号以及所述输入信号通过滤波器件后产生的畸变信号;分别计算所述输入信号和所述畸变信号在时域范围上波形的最大值、最小值、信号能量以及趋势相关性;基于所述输入信号和所述畸变信号在最大值、最小值、信号能量以及趋势相关性上的比值,形成骚扰相似度计算公式;基于所述骚扰相似度计算公式得到的计算结果,对所述滤波器件的抑制作用进行评估。通过本发明实施例的方案,能通过量化的方式对滤波器件的抑制作用进行评估。

    一种用于双脉冲测试的可调负载电感及调整方法

    公开(公告)号:CN115656756A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211286367.5

    申请日:2022-10-20

    Abstract: 本申请提出一种用于双脉冲测试的可调负载电感及调整方法,所述可调负载电感包括:电感线圈以及可移动单元;在缠绕所述电感线圈的起始处设置起始端;在缠绕所述电感线圈的末尾处设置末尾端;若所述可移动单元为滑动触头,则在所述起始端与末尾端之间设置滑动触头,并且所述滑动触头与所述电感线圈外表面滑动接触。若所述可移动单元为磁芯,则在所述电感线圈的中间设置磁芯,所述起始端与末尾端之间组成可调负载电感,通过改变所述磁芯在电感线圈中间的插入深度来调整负载电感的电感值。本申请能够实现调整步长很小的连续可调,或者能够实现完全连续的调整,为双脉冲测试系统提供了更丰富的测试条件。

    一种硅材料少数载流子寿命检测设备及方法

    公开(公告)号:CN115389422A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210974848.9

    申请日:2022-08-15

    Inventor: 赵昭 李洁 沙长涛

    Abstract: 本发明公开了硅材料检测技术领域的一种硅材料少数载流子寿命检测设备及方法,包括夹持单元,用于通过直线模组控制夹持板对待检测硅材料进行夹持;调节单元,用于通过旋转组件和横向移动组件控制检测单元在横向架上同步沿待检测硅材料的长度方向或者周向方向运动;检测单元,用于通过光源、探测器和处理控制器对待检测硅材料进行检测,检测单元在横向架上可以实现旋转运动和横向移动的相互切换,不但能够对硅材料的不同侧面进行检测,而且能够对硅材料长度方向的不同位置进行检测,不需要对硅材料进行重复调节放置,大大提高了对硅材料少数载流子寿命检测的效率。

    基于分立设备的微波器件直流参数测试系统及测试方法

    公开(公告)号:CN114646852A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202011501607.X

    申请日:2020-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种基于分立设备的微波器件直流参数测试系统及测试方法,测试系统包括笔记本电脑、USB转换器、可编程线性直流电源、可编程数字万用表、测量夹具、Bias Tee模块和匹配负载,所述笔记本电脑通过所述USB转换器与可编程线性直流电源、可编程数字万用表连接,所述可编程线性直流电源、可编程数字万用表与测量夹具连接,所述测量夹具上连接有被测器件且与Bias Tee模块、匹配负载连接。测试方法利用该测试系统对微波器件的直流参数进行测试。本申请的目的在于提供一种能够获得准确、可靠、稳定的测量结果的基于分立设备的微波器件直流参数测试系统及测试方法。

    一种制备太赫兹透镜喇叭天线的方法

    公开(公告)号:CN113823916A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111013252.4

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本发明属于太赫兹波通信天线技术领域,具体地说,涉及一种制备太赫兹透镜喇叭天线的方法,该太赫兹透镜喇叭天线包括:喇叭天线(1)和太赫兹透镜(2);将太赫兹透镜(2)覆盖在喇叭天线(1)的喇叭开口处,且二者为一体式结构,不可拆卸;该方法包括:步骤1)计算喇叭天线的参数;步骤2)计算太赫兹透镜的外部参数;步骤3)计算太赫兹透镜的内部参数;步骤4)根据步骤1)‑步骤3)的结果,得到太赫兹透镜喇叭天线,利用蒙特卡洛法,对得到的太赫兹透镜喇叭天线进行公差调整;步骤5)利用口径场积分法,计算透镜喇叭天线的远场增益,并判断计算结果是否符合要求。

    一种射频阻抗测量方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113325237A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110557461.9

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 本发明涉及电子测量领域,具体涉及一种射频阻抗测量方法。本发明方法包括以下步骤:测试信号产生、射频阻抗测量和测量结果修正。测试信号产生用于生成频率范围9kHz~3.6GHz,最大输出功率10dBm的射频信号;射频阻抗测量用于测量被测件的阻抗;测量结果修正用于测量电路中的残余参量,并对实际测量结果进行补偿修正。采用本方法可以实现频率范围9kHz~3.6GHz,阻抗模值范围1mΩ~100kΩ射频阻抗的准确测量,性能稳定且操作使用方便。

    一种射频阻抗测试座
    28.
    实用新型

    公开(公告)号:CN215641510U

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202121098632.8

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 本实用新型涉及电子测量领域,其目的是为了提供一种性能稳定,测量可靠性高好且操作使用方便的射频阻抗测试座。本实用新型的射频阻抗测试座包括带有屏蔽罩的测试电路板,所述测试电路板上设有三个3.5mm同轴连接器和一个7mm同轴连接器,其中,三个3.5mm连接器分别为测试信号输入端口、电压信号输出端口和电流信号输出端口,所述7mm连接器为测量夹具端口;所述测试信号输入端口分别与初级射频传输线变换器、次级射频传输线变换器、电压信号输出端口和测量夹具端口电连接;所述初级射频传输线变换器接地;所述次级射频传输线变换器与1kΩ采样电阻电连接,所述1kΩ采样电阻与电流信号输出端口电连接。

    射频芯片测试夹具
    29.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206684193U

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201720367270.5

    申请日:2017-04-10

    Abstract: 本实用新型公开了一种射频芯片测试夹具,属于射频芯片领域,所述射频芯片测试夹具包括底座和上盖,所述底座上设置有第一微带线、第二微带线、第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器,所述第一同轴/微带转换器与所述第一微带线连接,所述第二同轴/微带转换器与所述第二微带线连接,所述上盖内侧设置有用于将射频芯片的引脚压接在所述第一微带线和第二微带线上的顶针。本实用新型的射频芯片测试夹具通过顶针快速压接射频芯片,无需焊接即可保证电接触良好,测试时不会损伤射频芯片和测试夹具,操作方便快捷。

    一种高低温在片散射系数校准件

    公开(公告)号:CN215494077U

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202121082118.5

    申请日:2021-05-20

    Inventor: 赵飞 裴静 沙长涛

    Abstract: 本实用新型涉及微波毫米波在片散射参数测试及校准装置技术领域,特别涉及一种高低温在片散射系数校准件。该高低温在片散射系数校准件包括衬底,所述衬底上表面设有一个直通标准件、一对反射标准件和2个传输线标准件;在所述衬底下表面设有背面金属层;直通标准件、反射标准件和传输线标准件中均包括地压点和中心导带;地压点通过贯穿衬底的接地柱与所述背面金属层连接。所述衬底材料为近零温度系数的低损耗介质材料。本实用新型提供的校准件能够在低温‑55℃至高温125℃的温度范围内的任意温度下保证校准后的在片散射参数保持准确。

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