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公开(公告)号：CN101577294A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910303615.0
申请日：2009-06-25
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法，其特征在于，依次由疏松层TiO2薄膜、致密层TiO2薄膜和SiO2钝化层组成；所述的SiO2钝化层处于致密层TiO2薄膜和硅基衬底之间。制备方法包括以下步骤：在硅基衬底正表面上依次沉积一层致密层TiO2薄膜和一层疏松层TiO2薄膜；电极银浆印刷后，经400℃～900℃的常规烧结，在硅衬底与致密TiO2界面处生成SiO2钝化层。本发明中TiO2/TiO2准双层减反膜通过改变沉积条件一次完成，在工艺和设备上得到优化，且比单层减反射膜具有更好的减反射效果。
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公开(公告)号：CN101295750A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810031499.7
申请日：2008-06-16
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落，更重要的是原料成本低、工艺简单并便于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN101295749A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810031498.2
申请日：2008-06-16
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN115101621B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210573101.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供一种P‑topcon电池及其制备方法，方法包括以下步骤：(1)对P型单晶硅片进行抛光；(2)在P型单晶硅片背面隧穿氧化层和多晶硅层，在P型单晶硅片正面蚀刻并制绒；(3)在P型单晶硅片正面沉积氧化铝；按任意先后顺序进行正面激光掺杂和正、背面镀钝化层和/或减反层；所述激光掺杂利用氧化铝形成图案化的p+掺杂正面场；(4)在P型单晶硅片背面印刷银浆主栅和副栅，正面和激光掺杂区域对应位置印刷银浆主栅和银浆或铝浆副栅，烧结得到P‑topcon电池。利用沉积的钝化层氧化铝作为掺杂源对需要印刷金属化的区域激光掺杂，实现该位置的重掺，无需高温硼扩+掩膜+清洗的复杂工艺，极大降低工艺复杂性以及成本。
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公开(公告)号：CN115094521A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210744882.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种硼扩散反应系统及其工艺方法，硼扩散反应系统的原料管路与进气管路相连接，通过进气管路向反应炉管内输送原料气体；抽气管设置在反应炉管的炉尾处，抽气管位于反应炉管的管轴线位置；进气管路包括第一进气管路和第二进气管路，第一进气管路和第二进气管路的出气口位于炉口处，且第一进气管路和第二进气管路的出气口在反应炉管的竖直方向中分面内上下对称分布。本发明的供气系统结合工艺方法，通过优化硼源管道设置和工艺步骤，通过多次吹扫步骤，尤其是有氧推进后回压前具有吹扫步骤，减少粘附在反应室内壁上酸性气体，降低酸性气体对反应室的污染，提高了方阻均匀性、钝化效果、电池片电性能参数和良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112981529A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110300558.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开一种多晶硅铸锭炉用铸锭装置，包括石英坩埚，所述石英坩埚内部两侧可拆卸连接有石英板，所述石英坩埚顶部可拆卸连接有盖体，所述石英坩埚外部套设有石墨护板，所述石墨护板外部套设有加热器，所述石墨护板与所述加热器之间设有石墨炭毡套。本发明有效减少了硅晶体凝固膨胀时受到坩埚约束产生的热应力，缓解了硅锭四周位错的产生与增殖，并且，由于石英坩埚开口逐渐扩大，更利于硅锭脱模。在取出炉中硅锭，放置在环境中冷却时，热应力的减小使硅锭四周开裂的可能性减小。最终使得硅锭四周区域少子寿命提高，杂质含量降低，优化了太阳能电池的输出性能。
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公开(公告)号：CN108190961B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810046595.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 中南大学
IPC: C01G45/00
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用闪锌矿结构Cu2MnSnS4粉末材料及其液相制备方法，包括如下步骤：按CuCl2•2H2O：MnCl2•4H2O：SnCl4•5H2O：硫脲=（1.5‑2）：1：（0.8‑1）：（4‑5）的摩尔比称取原料后放入圆底三口烧瓶中混合，然后加入以氯化胆碱和尿素形成的深共晶溶液（DES）作为反应溶剂；通入氮气作为保护气体，置于恒温油浴中加热至180‑200℃，并保持2‑24 h，使用无水乙醇和去离子水依次洗涤样品，然后过滤，干燥，得到黑色粉末。本发明公开的液相制备方法可以在低温常压条件下安全高效地生产Cu2MnSnS4粉末材料，设备要求低，工艺流程简单，绿色环保。
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公开(公告)号：CN111690913A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010710368.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/511
Abstract: 本发明涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本发明提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
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公开(公告)号：CN111663180A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010709409.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开一种多晶硅铸锭炉，包括炉体和设置在炉体内的保温罩，所述保温罩内设置有坩埚、底板、加热器、隔热块及热交换装置；所述底板安装在所述热交换装置上，所述坩埚放置在所述底板上，所述坩埚外壁上安装有坩埚护板，所述底板的侧壁上安装有角度调节机构，所述隔热块安装在所述角度调节机构上，所述隔热块末端与所述保温罩接触连接。本发明通过改变碳毡隔热块的放置方式，即调节其与底部石墨护板间所成夹角，可以有效控制热量散失途径与方式，实现对热场的调控，以满足铸锭各工艺的不同需求。
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公开(公告)号：CN108190961A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810046595.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 中南大学
IPC: C01G45/00
CPC classification number: C01G45/006 , C01P2002/30 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用闪锌矿结构Cu2MnSnS4粉末材料及其液相制备方法，包括如下步骤：按CuCl2•2H2O：MnCl2•4H2O：SnCl4•5H2O：硫脲=（1.5-2）：1：（0.8-1）：（4-5）的摩尔比称取原料后放入圆底三口烧瓶中混合，然后加入以氯化胆碱和尿素形成的深共晶溶液（DES）作为反应溶剂；通入氮气作为保护气体，置于恒温油浴中加热至180-200℃，并保持2-24 h，使用无水乙醇和去离子水依次洗涤样品，然后过滤，干燥，得到黑色粉末。本发明公开的液相制备方法可以在低温常压条件下安全高效地生产Cu2MnSnS4粉末材料，设备要求低，工艺流程简单，绿色环保。
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