公开(公告)号：CN101937825A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010211047.4

申请日：2010-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  兵库县

Inventor： 成岛正树 ,  森晃一 ,  山田公 ,  丰田纪章

IPC: H01J49/26 ,  B07C5/34

CPC classification number: H01J49/282

Abstract: 本发明要解决的问题是提供可使离子化的气体团簇适当地发生偏转的电荷粒子分选装置以及电荷粒子照射装置。本发明通过提供下述用于分选离子化的气体团簇的电荷粒子分选装置来解决上述问题。该电荷粒子分选装置包括：电场施加部，所述电场施加部沿所述气体团簇的前进方向排列，用于施加电场；以及狭缝，用于分选所述气体团簇；所述电场施加部由两片电极构成，通过向所述电极施加交流电压来使离子化的气体团簇发生偏转，其中所述电极具有开口部或间隙。

公开(公告)号：CN101496147A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028267.X

申请日：2007-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有low－k膜和配线膜的晶片(W)收容在热处理炉(41)内的工序；利用质量流量控制器(44d)对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉(41)内供给的工序；和利用设置在热处理炉(41)中的加热器(41b)对供给气相醋酸酐后的热处理炉(41)内的晶片(W)进行加热的工序。

公开(公告)号：CN1763242A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510109502.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 成岛正树 ,  松泽兴明 ,  小宫隆行 ,  近藤英一

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C18/08

Abstract: 本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法，包括以下步骤：使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中，而该前体是溶解于有机溶剂中的。