公开(公告)号：CN1592871A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02821984.8

申请日：2002-11-05

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 新堀博 ,  菅田祥树 ,  金子文武 ,  立川俊和

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0277

Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，特征在于重复进行以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和除去所述用于图案细微化的涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以提供这样一种细微图案的形成方法，即在图案尺寸的控制性方面优良，可以用于形成具有良好外形和半导体器件所要求特性的细微图案，即使在使用具有膜厚为1.0μm左右以上的厚膜光刻胶图案的基板时，也可以得到具有良好外形的细微图案。

公开(公告)号：CN1469432A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03147903.0

申请日：2003-06-25

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 菅田祥树 ,  金子文武 ,  立川俊和

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0035

Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，包括以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；除去附着在基板的端缘部和/或里面部的不需要的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂热收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和实质上完全除去所述涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以很好地控制图案尺寸，同时可以得到外形良好和具有半导体器件所要求特性的细微图案，还可以防止导致器件污染的颗粒的发生。

公开(公告)号：CN1396627A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02140154.3

申请日：2002-07-04

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 菅田祥树 ,  金子文武 ,  立川俊和

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 本发明涉及在用于降低基质上的光刻胶层的图案大小的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案大小，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。