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公开(公告)号：CN109811401A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201711160851.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种用于长晶的坩埚装置，所述坩埚装置包括：支撑装置；石英坩埚，所述石英坩埚设置于所述支撑装置内部，所述石英坩埚的边缘高于所述支撑装置的边缘；以及防变形环，所述防变形环具有凹槽，所述石英坩埚的边缘卡合在所述防变形环的所述凹槽中，所述防变形环由耐高温材料制成。本发明提供的用于长晶的坩埚装置，其中的防变形环能够避免石英坩埚发生塌边，对热场温度分布影响较小，并且与石英坩埚及支撑装置配合良好。
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公开(公告)号：CN109811400A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201711160854.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种长晶炉及长晶炉的水冷套，所述长晶炉包括炉体，所述炉体上部设置有水冷套，所述水冷套由下至上依次包括第一水冷部分、非水冷部分和第二水冷部分。本发明提供的长晶炉及长晶炉的水冷套，通过三段式结构的水冷套控制晶体缺陷形核和长大过程，热历史活动空间大，充分保证水冷套的作用。
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公开(公告)号：CN112680788B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN111519241B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201910104706.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置，所述装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及热屏装置，所述热屏装置包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布；其中，所述热屏装置还包括在所述导流筒下端内侧设置的调整装置，用以调整所述热屏装置与所述硅晶棒之间的最小距离。根据本发明，通过在导流筒下端内侧设置调整装置，在不改变导流筒形状、位置的情况下调整硅晶棒和与其靠近热屏装置之间的距离，提升了晶体生长速度和质量。
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公开(公告)号：CN112095143B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910527727.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113046833A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911381171.2
申请日：2019-12-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：坩埚，用以容纳硅熔体；和水平磁场施加装置，用以产生水平磁场；其中，所述水平磁场施加装置包括位于所述坩埚的相对的两侧的至少两个单线圈超导磁体，每一个所述单线圈超导磁体包括沿着所述水平磁场的方向绕制的线圈，以使所述单线圈超导磁体产生串联的所述水平磁场水平穿过所述坩埚内的硅熔体。根据本发明的半导体晶体生长装置，使单线圈超导磁体中线圈产生的水平磁场串联穿过坩埚内的硅熔体，串联的磁场使得磁场发生装置有较小的磁漏，提升磁场发生装置的电磁转换效率，减小了半导体晶体生长装置的制造和使用成本。同时，采用本发明，线圈绕制简单，也大大降低了半导体晶体生长装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN107779945B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201610725182.8
申请日：2016-08-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构，所述异型加热器适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分的厚度由上至下逐渐增大。本发明的异型加热器根据实际温度分布的需要将加热器主体不同位置的厚度设置为不同，可以有效降低加热器材料的损耗；通过设置延伸至坩埚底部的凸部，使用凸部与具有不同厚度的加热器主体组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布，且不需要底部加热器配合使用，减少了一路控制系统。
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公开(公告)号：CN111519241A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910104706.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置，所述装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及热屏装置，所述热屏装置包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布；其中，所述热屏装置还包括在所述导流筒下端内侧设置的调整装置，用以调整所述热屏装置与所述硅晶棒之间的最小距离。根据本发明，通过在导流筒下端内侧设置调整装置，在不改变导流筒形状、位置的情况下调整硅晶棒和与其靠近热屏装置之间的距离，提升了晶体生长速度和质量。
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公开(公告)号：CN110735179A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810804122.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉，用于拉制高质量单晶硅棒，其特征在于，所述冷却装置包括：水冷套，所述水冷套包括设置在所述水冷套中的环形冷却水循环管路；导热附件，固定连接在所述水冷套的底端并向下延伸部分长度，用于吸收单晶硅棒的热量并传导至所述水冷套进行冷却，其中，所述导热附件的中心设置有空腔，以允许所述单晶硅棒通过，合理控制液面上部温度分布调节单晶硅棒的冷却速率以控制单晶硅棒内部缺陷。
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公开(公告)号：CN110512276A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910841934.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶体生长的坩埚底座装置，包括:底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。根据本发明提供的一种用于晶体生长的坩埚底座装置，通过使底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触，减少坩埚底座装置与坩埚的接触面积，从而减少了通过固固传热的方式散失的热量，提高了热场的保温性，减少电能的消耗，延长了设备的使用寿命，降低了生产成本。
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