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公开(公告)号：CN105470105A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410465852.8
申请日：2014-09-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种提高高阻衬底电感性能的方法，包括：提供高阻硅衬底，并且在高阻硅衬底上的中间层中的电感区域中形成有电感；在中间层上形成钝化层；减薄电感区域上的钝化层的厚度。在本发明的提高高阻衬底电感性能的方法中，对电感区域的钝化层的厚度减薄，使得电感性能得到显著提高。
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公开(公告)号：CN101924054B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010173276.1
申请日：2010-05-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法，所述方法通过在所述高阻值半导体衬底上制备一简单电感器，测量所述简单电感器在不同热预算下的Q值，同时采用高频结构仿真器对所述电感器进行模拟，模拟该电感器在不同衬底电阻下的Q值变化率，并与所述测量得到的不同热预算下的Q值进行对比，从而通过非接触的方式得到所述不同热预算下的Q值对应的高阻值半导体衬底的电阻值。本发明所提供的方法可有效地测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算的变化，并且简单可靠。
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公开(公告)号：CN104091781A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410352936.0
申请日：2014-07-23
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10
Abstract: 本发明提供一种电感结构的制作方法和电感结构，本发明电感结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于所述介质层中的电感线圈，介质层覆盖所述电感线圈；对介质层表面进行平坦化处理；在位于电感线圈内部区域的介质层中形成第一凹槽；在第一凹槽内形成磁性层。本发明电感结构包括上表面齐平的介质层；位于介质层中的电感线圈；位于所述电感线圈内部区域的介质层中的磁性层，磁性层能够增加电感线圈的感值，由于对介质层表面进行平坦化处理，能够使介质层上表面保持齐平，不会因为电感线圈的影响而产生台阶，去除介质层上的磁性材料层后，不会在台阶产生环状残留，从而能够减小涡流，提高电感线圈的Q值，进而提高电感线圈的性能。
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公开(公告)号：CN107611028B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710885058.2
申请日：2017-09-26
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明提供的一种超低寄生电容二极管的制备工艺，包括：提供高阻值的P型半导体衬底；在部分所述P型半导体衬底的表面形成P型掺杂区；对所述P型半导体衬底进行热退火工艺处理，所述P型半导体衬底转变为N型半导体衬底，所述P型掺杂区与所述N型半导体衬底形成超低寄生电容二极管。本发明中，通过对热退火工艺温度、时间的调节，衬底中的氧施主浓度逐渐增加，使得超低掺杂的P型衬底逐渐转变为N型，不断地测量PN结的漏电流或电容可以使得低掺杂P型衬底在刚转变成N型衬底时便停止退火工艺，从而形成高阻值的N型衬底，使得先前形成的P型掺杂区和N型半导体衬底形成超低寄生电容二极管。
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公开(公告)号：CN105470152B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410465845.8
申请日：2014-09-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种提高整合被动高阻衬底铜电感的射频性能的方法，包括：在高阻衬底上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成介质层，并且在介质层中形成凹槽；在凹槽的侧壁形成侧壁阻挡层，并且在凹槽的底部形成底部阻挡层；在形成有侧壁阻挡层和底部阻挡层的凹槽中填充用于形成电感的铜材料；其中，底部阻挡层的厚度被控制成使得所述铜材料能够透过层间绝缘层扩散至高阻衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107946279A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711132888.4
申请日：2017-11-15
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L23/522 , H01F21/02
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F21/02 , H01L28/10
Abstract: 本发明提供了一种调节电感结构感值的方法，所述电感结构包括衬底、形成于衬底上的导电层和形成于所述导电层上的第一介质层，所述第一介质层中形成有电感线圈，所述衬底和所述电感线圈之间形成有一导电层，当所述电感线圈上有电流时，衬底会感应出感应电荷，该感应电荷产生一个与线圈电流相反的镜像电流，而在所述导电层上施加电压，电压的增大和减小可以改变所述衬底上感应出的感应电荷，从而控制所述镜像电流的大小，最终改变有效磁场强度和有效的电感结构感值。
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公开(公告)号：CN103390543B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310320984.7
申请日：2013-07-26
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 一种增加电感的表面面积的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的硅片，其中第一区域包括第一氧化物层和第二氧化物层的叠层，第二区域包括第一氧化物层、中间金属层和第二氧化物层的叠层；在第二区域中刻蚀电路引线孔的同时，在第一区域的第二氧化物层中刻蚀长条形引线槽；在电路引线孔中沉积钨的同时，在长条形引线槽的底部和侧壁上形成钨层；在对钨层进行化学机械研磨之后沉积铝从而在第二氧化物层上形成铝层，同时对所述长条形引线槽进行填充，以使得被所述长条形引线槽隔开的所述第二氧化物层由于对所述长条形引线槽的填充而连接，其中所述长条形引线槽在所述第二氧化物层中形成的间隙不被完全填充。
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公开(公告)号：CN102800648B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201210313065.2
申请日：2012-08-29
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供了一种半导体电感器结构以及半导体电路装置。根据本发明的半导体电感器结构包括：第一金属叠层以及第二金属叠层；其中，所述第一金属叠层和所述第二金属叠层通过一个或多个通孔连接；所述通孔中填充有金属；所述第一金属叠层和所述第二金属叠层具有不同的叠层结构；其中，所述第一金属叠层由自上而下依次层叠的第三上叠层金属层、第四上叠层金属层、以及第五上叠层金属层组成；并且其中，所述第二金属叠层包括：自上而下依次层叠的第一下叠层金属层、第二下叠层金属层、第三下叠层金属层、第四下叠层金属层、以及第五下叠层金属层。
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公开(公告)号：CN103811308B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410080810.2
申请日：2014-03-06
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
Abstract: 一种电感的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底第一区域内形成有焊垫，第二区域内形成有与焊垫齐平的电感金属层，焊垫和电感金属层被介质层覆盖并包围；在衬底表面形成钝化层；在钝化层表面形成掩膜层，掩膜层具有第一开口和第二开口；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀钝化层、介质层，暴露出部分焊垫表面及部分电感金属层表面；去除所述掩膜层，以所述钝化层为掩膜刻蚀焊垫以及电感金属层，在所述焊垫内形成第一凹槽，同时在电感金属层内形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于焊垫的厚度，第二凹槽的深度小于电感金属层的厚度。上述方法可以提高电感的性能。
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公开(公告)号：CN103811309B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410080852.6
申请日：2014-03-06
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域，所述衬底的第二区域表面高于第一区域表面，所述第二区域内形成有平面电感，所述平面电感包围第一区域；在所述第一区域内形成第一凹槽；在所述衬底上以及第一凹槽内形成磁性材料层；采用无掩膜刻蚀工艺，去除位于所述衬底上的部分磁性材料层，形成位于所述第一凹槽内的磁性层，所述磁性层能提高通过所述平面电感的磁通量。上述方法可以提高平面电感的性能。
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