公开(公告)号：CN115216812A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210976087.0

申请日：2022-08-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蔡涵 ,  丁桂甫 ,  孙云娜 ,  吴永进

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/20

Abstract: 本发明涉及一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法，包括：交替进行第一阶段电镀和第二阶段电镀填充三维微结构模具以形成三维银基微结构，其中第一阶段电镀沉积的镀层的晶粒的尺寸大于第二阶段电镀沉积的镀层的晶粒的尺寸。该方法通过低应力电镀体系与高整平性电镀体系周期性交替变换沉积的无氰电镀银工艺填充三维微结构模具，能够制备高深宽比的三维银基微结构。

公开(公告)号：CN111081660B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201911273193.7

申请日：2019-12-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王艳 ,  郭展锋 ,  孙云娜 ,  巫永鹏 ,  王广元 ,  丁桂甫

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本发明提供一种堆叠型微通道散热装置，包括：入口卡槽，所述入口卡槽包含工质入口、第一空腔和第一凹槽结构；出口卡槽，所述出口卡槽包含工质出口、第二空腔和第二凹槽结构；以及堆叠型微通道散热器，所述堆叠微通道散热器通过所述第一凹槽结构和所述第二凹槽结构固定设置在所述入口卡槽和所述出口卡槽之间；所述入口卡槽的工质入口、第一空腔、堆叠型微通道散热器、第二空腔和工质出口连通构成流体通道；所述堆叠微通道散热器包括第一盖板、位于所述第一盖板下方的第一通道层、位于所述第一通道层下方的缓冲层、位于所述缓冲层下方的第二通道层和位于所述第二通道层下方的第二盖板。

公开(公告)号：CN109244053B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201811079630.7

申请日：2018-09-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚明山 ,  王艳 ,  孙云娜 ,  丁桂甫

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种TSV复合结构，包括：形成在晶圆上的盲孔；设置在所述盲孔内表面上的绝缘层；以及填充所述盲孔的导电金属，所述导电金属包括处于顶部的细晶区以及处于中部和底部为粗晶区，所述细晶区的晶粒直径不大于所述粗晶区的晶粒直径。

公开(公告)号：CN105529299B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201510582137.7

申请日：2015-09-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚舟 ,  孙云娜 ,  丁桂甫 ,  汪红 ,  任宇芬 ,  陈明明

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，步骤包括：1)制备的带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，在其单面粘贴绝缘膜；2)单面电镀；3)去除步骤1)中的单面绝缘膜；4)将步骤3)中去除单面绝缘膜的一面对应阳极；5)继续填充未被填充的部分；6)去除光刻胶、种子层，制备无暇连接的Cu‑TSV与Cu‑Pad。通过本发明可以将TSV盲孔填充工艺移植到TSV通孔电镀填充工艺中，大大降低了TSV通孔电镀填充的难度；以更高的效率、更低的成本填充硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN105679701B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201610030998.9

申请日：2016-01-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙云娜 ,  王艳 ,  王博 ,  牛迪 ,  罗江波 ,  丁桂甫

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种高效电镀填充硅基TSV的方法，具体为：在晶圆上刻蚀制备TSV；在刻蚀TSV的晶圆上制备绝缘层；在含有绝缘层的晶圆上制备种子层；接着在晶圆双面贴干膜，单面光刻、显影；去除TSV侧壁端口部位的种子层；在图形化的一面粘贴干膜、另一面光刻显影；再次去除另一端口部位的种子层；再次通过光刻、显影；接着双向同步电镀填充铜，使TSV‑Cu与TSV‑pad一体成型无分离界面；去除干膜光刻胶、种子层。本发明将TSV通孔电镀填充工艺转化为两个类盲孔电镀填充工艺，TSV结构结合牢固且工艺更为灵活、方便，大大降低了高深宽比TSV通孔电镀填充难度，同时有效提高电镀速率，使低成本高效制备TSV成为可能。

公开(公告)号：CN106987791A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610038578.5

申请日：2016-01-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 牛迪 ,  丁桂甫 ,  姚锦元 ,  孙云娜 ,  赖丽燕

IPC: C23C4/02 ,  C23C4/134 ,  C23C4/11

CPC classification number: C23C4/02

Abstract: 本发明公开一种基于MEMS微结构结合力强化的涂层制备方法，所述方法步骤包括：1)将高温合金基片表面打磨平整，去除表面氧化层；2)采用微加工工艺在基片表面加工形成规则的阵列微结构，微结构最小尺寸为1μm以上；3)将基片依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗干净，烘干；4)采用等离子喷涂技术在基片表面喷涂得到陶瓷涂层，涂层厚度为1μm以上。本发明能以高效率制备一种在高温下仍具有良好结合力和热稳定性的功能性涂层，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN105679701A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610030998.9

申请日：2016-01-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙云娜 ,  王艳 ,  王博 ,  牛迪 ,  罗江波 ,  丁桂甫

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明公开一种高效电镀填充硅基TSV的方法，具体为：在晶圆上刻蚀制备TSV；在刻蚀TSV的晶圆上制备绝缘层；在含有绝缘层的晶圆上制备种子层；接着在晶圆双面贴干膜，单面光刻、显影；去除TSV侧壁端口部位的种子层；在图形化的一面粘贴干膜、另一面光刻显影；再次去除另一端口部位的种子层；再次通过光刻、显影；接着双向同步电镀填充铜，使TSV-Cu与TSV-pad一体成型无分离界面；去除干膜光刻胶、种子层。本发明将TSV通孔电镀填充工艺转化为两个类盲孔电镀填充工艺，TSV结构结合牢固且工艺更为灵活、方便，大大降低了高深宽比TSV通孔电镀填充难度，同时有效提高电镀速率，使低成本高效制备TSV成为可能。

公开(公告)号：CN104966712A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510308558.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王艳 ,  孙云娜 ,  丁桂甫

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开一种固态绝缘介质脉冲功率开关及其制备方法，包括：固态绝缘介质层，辅助气固击穿结构，气体绝缘孔隙，顶电极。辅助气固击穿结构位于固态绝缘介质层上表面，首先与上方顶电极之间通过气体绝缘孔隙实现绝缘。其次与顶电极，气体绝缘孔隙一起构成低电压触发回路。镂空式辅助气固击穿结构采用镂空式金属结构，该结构使部分固态绝缘介质直接裸露在气体绝缘孔隙中，气体绝缘孔隙中形成的高热量气体能够快速高效的到达下方固态绝缘介质层表面并使之击穿。本发明解决了微型化脉冲功率开关辅助气固击穿结构结构复杂和工艺可行性差等问题。

公开(公告)号：CN218932335U

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202223272641.1

申请日：2022-12-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 尹谭 ,  王艳 ,  孙云娜 ,  丁桂甫

IPC: C25D5/00 ,  C25D17/12

Abstract: 本实用新型公开一种使用辅助阴极的微电镀装置，包括：电镀池；阳极金属板，其位于所述电镀池的顶部；金属电镀液，其分布于所述电镀池中；片外辅助阴极，其设置在所述电镀池的下部，且被配置为分散阴极基板的电流；阴极基板，其位于所述电镀池的底部，并且其上具有器件微结构图形；片内辅助阴极，其设置在所述器件微结构图形的拐角处，且被配置为分散器件微结构图形拐角处的电流。通过在该装置中添加片内和片外辅助阴极，分散阴极表面和电镀池内部的电流，提升电镀的器件微结构的镀层均匀性。