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公开(公告)号：CN107919856B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710909111.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及具有场效应晶体管的半导体装置，其目的在于得到能够抑制基板的面积的增加的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：晶体管，其设置于第1基板；栅极焊盘，其与该晶体管的栅极电极连接；导电性凸块，其设置于该栅极焊盘之上；第2基板，其设置于该第1基板的上方，具有第1面和第2面；第1电极，其从该第1面贯穿至该第2面，在该第2面侧与该导电性凸块连接；电阻，其一端连接于该第1电极的该第1面侧，另一端连接于输入端子；以及第2电极，其与该第1电极相邻设置在该第1面，以不经由该电阻的状态连接于该输入端子，该晶体管的栅极泄漏电流从该第1电极通过该第2基板的该母材及该第2电极而流动至该输入端子。
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公开(公告)号：CN107045978B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201710069042.4
申请日：2017-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 得到一种即使在形成通路孔后进行加热，也能够确保基板表面侧和背面侧的导通的半导体装置。在半导体基板(1)设置有从背面起贯穿至表面的通路孔(2)。电极(3)以将通路孔(2)堵塞的方式设置于半导体基板(1)的表面。金属膜(4)设置于半导体基板(1)的背面、通路孔(2)的侧壁(2a)以及电极(3)的下表面。在半导体基板(1)的背面，在金属膜(4)设置有开口(5)。开口(5)仅与通路孔(2)的外周的一部分接触。在开口(5)露出通路孔(2)的侧壁(2a)和金属膜(4)之间的界面(A)。
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公开(公告)号：CN106133887B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201480077591.0
申请日：2014-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西泽弘一郎
IPC: H01L21/3205 , C23C18/50 , C23C28/00 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体衬底，其由GaAs形成；密接层，其在该半导体衬底之上由Pd或者包含Pd的合金而形成；阻挡层，其在该密接层之上由Co或者包含Co的合金而形成；以及金属层，其在该阻挡层之上由Cu、Ag、或者Au而形成。
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公开(公告)号：CN109863590A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201680090274.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
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公开(公告)号：CN105374743A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510484072.2
申请日：2015-08-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/76801
Abstract: 本发明得到一种半导体装置的制造方法，其能够防止寄生电容的增加。首先，在半导体衬底(1)的主面形成半导体器件(2)。然后，在半导体衬底(1)的主面上，形成与半导体器件(2)的栅极电极(3)分离并对栅极电极(3)的侧部进行包围的第1树脂膜(6)。然后，使与半导体器件(2)的栅极电极(3)分离并对栅极电极(3)的上方进行覆盖的第2树脂膜(7)与第1树脂膜(6)的上表面接合，在半导体器件(2)的栅极电极(3)的周围形成中空构造(8)。
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