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公开(公告)号：CN104516051A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410499703.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/12014 , G02B6/2813
Abstract: 一种多模干涉(MMI)器件，包括：基底层；沉积在所述基底层上用以传播光学信号的芯层；以及沉积在所述芯层上用于引导所述光学信号的覆层。所述芯层包括适于传播具有不同波长的多个光学信号的芯分区。所述芯分区包括用于均匀相移所述多个光学信号的偏移段。所述偏移段包括具有不同有效折射率的分区、倾斜的分区、弯曲分区和具有宽度、厚度或有效折射率变化的波导中的至少一种或其组合。
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公开(公告)号：CN101632013B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200880007794.7
申请日：2008-01-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/774
Abstract: 本发明提供一种光纤传感器，可以通过简单的结构，在宽的折射率范围中灵敏度良好地计测被测量介质的折射率。本发明提供一种光纤传感器，其特征在于具备：光纤(1)，在形成有布拉格光栅(9)的芯(4)以及包层(5)的部分中产生由于包层传输模式的泄漏而引起的透射损耗；光源(2)，将包层传输模式的波长波段的光射入给光纤(1)；以及受光部(3)，接收经由形成有布拉格光栅(9)的位置处的芯(4)以及包层(5)的光的透射光或反射光，根据受光部(3)接收的总受光强度，对与包层(5)相接触的被测量介质的折射率进行检测，其中，布拉格光栅(9)相对于光纤(1)的长度方向的垂直线具有规定的倾斜角度。
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公开(公告)号：CN101883978A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880119063.1
申请日：2008-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01N21/431 , G01D5/35383 , G01N2021/433 , G02B6/02085
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够以简单的结构在宽的折射率范围内高灵敏度地测量被测定媒质的折射率的光纤传感器。本发明的光纤传感器具备：光纤，具备形成短周期光栅的芯和包层，在形成短周期光栅的包层部分产生由包层传输模式的泄漏所引起的透射损耗；光源，使包层传输模式的波长范围的光入射到光纤中；以及受光部，接收经过形成短周期光栅的位置的包层的光的透射光或者反射光，其中，根据受光部所接收的总受光强度来检测与包层接触的被测定媒质的折射率，光纤是多模光纤，短周期光栅具有多个周期。
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公开(公告)号：CN101632013A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880007794.7
申请日：2008-01-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/774
Abstract: 本发明提供一种光纤传感器，可以通过简单的结构，在宽的折射率范围中灵敏度良好地计测被测量介质的折射率。本发明提供一种光纤传感器，其特征在于具备：光纤(1)，在形成有布拉格光栅(9)的芯(4)以及包层(5)的部分中产生由于包层传输模式的泄漏而引起的透射损耗；光源(2)，将包层传输模式的波长波段的光射入给光纤(1)；以及受光部(3)，接收经由形成有布拉格光栅(9)的位置处的芯(4)以及包层(5)的光的透射光或反射光，根据受光部(3)接收的总受光强度，对与包层(5)相接触的被测量介质的折射率进行检测，其中，布拉格光栅(9)相对于光纤(1)的长度方向的垂直线具有规定的倾斜角度。
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公开(公告)号：CN117981186A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280061351.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半导体激光元件(100)具备：半导体激光部(1)；过渡部(2)，在第一方向(Y)上与半导体激光部邻接，且入射从半导体激光部出射的光；以及光点尺寸变换部(3)，在第一方向(Y)上与过渡部邻接，且入射从过渡部出射的光。半导体激光部、过渡部以及光点尺寸变换部分别包括：半导体基板(5)，具有沿着第一方向(Y)和第二方向(X)延伸的第一面(5A)；以及在与第一面正交的第三方向(Z)上从第一面侧起依次层叠在第一面上的第一包层(6)、活性层(11)以及第二包层(12、22、32)。过渡部和光点尺寸变换部分别还包括与第二包层的上表面的一部分相接、且具有比活性层及第二包层高的折射率的波导层(23、33)。
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公开(公告)号：CN111684344B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880088214.5
申请日：2018-10-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN111989832B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880092469.9
申请日：2018-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体放大器和多个半导体激光器被单片集成于同一导电性的半导体基板，半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层通过第一电绝缘层及第二电绝缘层被电绝缘，该第一电绝缘层形成于半导体基板和多个半导体激光器的n侧包层之间，该第二电绝缘层形成于半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层之间，并且用于与多个半导体激光器的n侧包层电连接的n侧接触层设置于多个半导体激光器的n侧包层和所述第一电绝缘层之间，构成为n侧接触层和半导体放大器的p侧包层电连接。
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公开(公告)号：CN110168824B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201780082399.4
申请日：2017-10-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西川智志
Abstract: 本发明涉及半导体光放大器，具备：串联地排列的多个光放大区域；无源波导区域，设置于光放大区域之间；以及第1及第2电极，设置于光放大区域的上表面，无源波导区域使相邻的光放大区域的第1电极之间及第2电极之间电气地绝缘，并且将相邻的光放大区域之间光学地连接，在半导体光放大器中，通过对相邻的光放大区域的第1电极与第2电极之间进行电连接，多个光放大区域被级联电连接，通过向多个光放大区域的排列的两端的光放大区域的供电，驱动多个光放大区域。
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