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公开(公告)号：CN1825723A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610008808.X
申请日：2006-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 在设有包含分别具有5nm膜厚的两个InGaN阱层的2重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在3.0％以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于1.5％时，阈值电流显著增大，且微分效率的改善量也小。因而，其光封闭系数Γ的下限最好为1.5％左右，若光封闭系数Γ在3.0％以下，则得到的微分效率为1.6W/A以上，且通过设光封闭系数Γ为2.6％以下，得到1.7W/A以上的微分效率。从而得到具有高微分效率的使用氮化物类III－V族化合物的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN111937257A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091961.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。
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公开(公告)号：CN107181164B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710137479.7
申请日：2017-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01S5/022
Abstract: 得到一种能够增宽1个半导体激光器元件的发光波长的半高宽而减轻散斑噪声的半导体激光器装置。半导体激光器元件(1)具有：多个发光区域(24、25)，它们被注入电流而发出激光；以及彼此相对的第1及第2主面。多根第1导线(8)被导线键合至半导体激光器元件(1)的第1主面。半导体激光器元件(1)的第1主面具有：第1条带区域(26)，其与多个发光区域(24、25)中的一个相对应；以及第2条带区域(27)，其与多个发光区域(24、25)中的其他发光区域相对应。相比于第2条带区域(27)，多根金线(8)被更多地导线键合至第1条带区域(26)。
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公开(公告)号：CN107181164A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710137479.7
申请日：2017-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
IPC: H01S5/022
Abstract: 得到一种能够增宽1个半导体激光器元件的发光波长的半高宽而减轻散斑噪声的半导体激光器装置。半导体激光器元件(1)具有：多个发光区域(24、25)，它们被注入电流而发出激光；以及彼此相对的第1及第2主面。多根第1导线(8)被导线键合至半导体激光器元件(1)的第1主面。半导体激光器元件(1)的第1主面具有：第1条带区域(26)，其与多个发光区域(24、25)中的一个相对应；以及第2条带区域(27)，其与多个发光区域(24、25)中的其他发光区域相对应。相比于第2条带区域(27)，多根金线(8)被更多地导线键合至第1条带区域(26)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105264726A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380077142.1
申请日：2013-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S3/109 , G02F1/3558 , H01S3/063 , H01S3/08009 , H01S3/08059 , H01S3/08086
Abstract: 可得到一种波导型激光装置，该波导型激光装置具有：波长选择元件(14)，其选择性地反射通过波长转换元件(13)后的激光的基波振荡波长中的激光振荡模式不同的波长λ＝λ0、λ1、λ2、···、λn(n≥2)的激光；以及波长转换元件(13)，其将由波长选择元件(14)反射后的激光振荡模式不同的波长λ＝λ0、λ1、λ2、···、λn(n≥2)的激光转换成谐波，在使用增益波段较宽的材料作为固体激光元件(12)的激光介质(121)的情况下，能够以该增益波段中的多个波长高效地进行波长转换。
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公开(公告)号：CN105210246A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201380076542.0
申请日：2013-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02236 , H01S5/022 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02469 , H01S5/06817 , H01S5/3214 , H01S5/32316
Abstract: 在设副固定件厚度为t时，在多个开口部(10a、10b)中的至少1个开口部的开口端与副固定件(8)端的水平方向最短距离x是，且与开口部不同的其它开口部中的至少1个是。
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公开(公告)号：CN104838549A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201280077449.7
申请日：2012-12-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S3/109 , H01S3/063 , H01S3/0632 , H01S3/08054 , H01S3/0941 , H01S3/09415 , H01S3/10061 , H01S5/14
Abstract: 激光介质(21)呈平板状，在与光轴垂直的面的厚度方向上具有波导构造。非线性材料(31)在激光介质(21)的光轴上接近激光介质(21)配置，在与激光介质(21)的波导构造相同的方向上具有波导构造。在该非线性材料(31)的垂直于光轴的面中、与接近激光介质(21)的面相反侧的面接近地配置1/4波长板(41)。
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公开(公告)号：CN101800399A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910207382.4
申请日：2009-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。作为半导体层叠结构(16)，在GaN衬底(14)上依次形成n型AlGaN覆盖层(18)、有源层(24)、p型AlGaN覆盖层(34)、及p型GaN接触层(36)。在半导体层叠结构(16)的顶面形成条形波导区域(38)。在半导体层叠结构(16)的顶面与波导区域(38)相离地形成凹部(40)。n型电极(50)与GaN衬底(14)电连接。p型电极(46)与p型GaN接触层(36)电连接。在p型电极(46)上形成有焊盘电极(48)。隔着SiO2膜(44)在凹部(40)内部形成凹部内电极(52)。
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公开(公告)号：CN100435364C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510131574.3
申请日：2005-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S2301/18 , H01S2304/12
Abstract: 提供一种不产生向GaN衬底进行光渗出、以及发生n型覆盖层的破裂或位错的问题，且垂直方向的FFP(远场图样)全半高宽较小的半导体发光元件。具有在n型覆盖层(3)和p型覆盖层(10)之间夹持了活性层(6)的结构的半导体发光元件中，使用Al组成比x为0.01≤x＜0.06的AlxGa1-xN层(AlGaN)层作为n型覆盖层。当Al组成比x小于0.06时，由于AlGaN层的折射率变大，所以可以使垂直方向的NFP(近场图样)变宽，使垂直方向的FFP的全半高宽减小。此外，当Al组成比变小时，由于与GaN衬底的晶格不匹配变小，所以可以不产生破裂和位错问题而厚厚地形成AlGaN层，并可以抑制向GaN衬底的光渗出。
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