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公开(公告)号：CN102356470B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080012074.7
申请日：2010-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/02021 , H01L31/02165 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L31/056 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块，以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴，具有多个配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成的光电转换元件对，所有的所述光电转换元件被电串联连接。
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公开(公告)号：CN100397576C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200480001234.2
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域的宽度方向上与下一个定时的照射区域重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光对第1照射区域照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域部分重合的第2照射区域照射紫外光脉冲激光。
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公开(公告)号：CN1197127C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01802773.3
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热单元后形成有源半导体膜，对有源半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。
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公开(公告)号：CN1573876A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047670.5
申请日：2004-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/325 , G09G3/3283 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2310/027 , G09G2320/043 , G09G2330/028
Abstract: 提供一种具有电流驱动型发光元件的显示装置。根据生成对应于低位数据的第一输出电流(Io1)的模拟电流源电路(100)、和依据对应的数据位进行或停止对应于高位数据位的第二及第三输出电流(Io2及Io3)的生成的两个模拟电流源电路(70)的输出电流之和，供给与4位的显示信号对应的全部灰度范围的显示电流。模拟电流源电路(100)具有利用第一输出电流(Io1)的控制范围内的一点，补偿由晶体管特性离散引起的输出电流离散的校正功能。由此，在备有电流驱动型发光元件的显示装置中，不使制造工艺增加太多，通过抑制电路面积，能高精度地生成灰度显示用的显示电流。
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公开(公告)号：CN1162829C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN00137093.6
申请日：2000-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G3/2074 , G09G2300/0828 , G09G2300/0842 , G09G2330/021
Abstract: 一种液晶显示装置，配置成矩阵状的各个像素20分割为多个副像素。由于对应于副像素的各行以及各列配置水平扫描线60以及垂直扫描线70，因此能够独立地进行各个副像素的导通/断开控制。各个像素20包括设置在副像素之间的副像素连接电路25。副像素连接电路25与垂直扫描线70的激活相同步，响应从数据线65输入的副像素连接信号，把对应的副像素的像素电极之间进行连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1408122A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Applicant: 三菱电机株式会社 , 精工爱普生股份有限公司
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN117044096A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202180095067.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02N11/00
Abstract: 热电变换控制装置(12)具备：电流电压测定部(12b)，测量从热电变换装置(11)输入到功率变换部(12a)的电流及电压；以及功率变换控制部(12c)，控制被输入到功率变换部(12a)的电流及电压。功率变换控制部(12c)基于使输入到功率变换部(12a)的电流变化一定值后立即测量出的电压与电压稳定之后测量出的电压之差和电流的变化量，计算热电变换装置(11)的最大输出负载电阻值，对输入到功率变换部(12a)的电流及电压进行控制，以使从功率变换部(12a)的输入端子侧观察到的负载电阻值为最大输出负载电阻值。
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公开(公告)号：CN113906670A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201980096892.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02S50/00
Abstract: 太阳能电池串(10)的劣化诊断装置(30)及太阳能发电系统(100)具有：阻抗测定器(32)，其对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和另一端之间的第1阻抗的频率特性进行测定，并且对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和框架(13d)之间的第2阻抗的频率特性进行测定；解析部(34)，其基于第1阻抗的频率特性，对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和另一端之间的串联电阻成分的从初始值起的第1增量进行计算，并且基于第2阻抗的频率特性，对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和框架(13d)之间的电阻成分的从初始值起的第2增量进行计算；以及劣化判定部(36)，其基于由解析部(34)计算出的第1增量及第2增量，对太阳能电池串(10)内的电阻增加的太阳能电池模块(13)的位置进行判定。
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公开(公告)号：CN102422435B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080020426.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/046 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 在薄膜太阳能电池(10)中，在透光性绝缘基板(2)上配置将由透明导电膜构成的第1电极层(3)、进行光电变换的光电变换层(4、14)、以及由反射光的导电膜构成的第2电极层(5)按照这个顺序进行层叠而成的多个薄膜太阳能电池单元(1)，并且邻接的所述薄膜太阳能电池单元(1)彼此串联电连接，其中，所述第1电极层(3)具有凹陷部(3a、D1)，所述凹陷部(3a、D1)的底部被绝缘材料填埋。由此，可得到防止由在透光性绝缘基板(2)上层叠的第1电极层(3)的凹陷部(3a、D1)所引起的特性变差的光电变换特性优良的薄膜太阳能电池。
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