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公开(公告)号：CN1408122A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Applicant: 三菱电机株式会社 , 精工爱普生股份有限公司
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN112368908A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980045532.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种整流天线控制器(20)，与进行高频的受电并变换为直流电力的整流天线(10)连接，控制从整流天线(10)输入的直流电力，提供给负载(30)，具备：输入端子(42)，被输入用整流天线(10)变换的直流电力；输出端子(52)，将控制的直流电力提供给负载；第1开关元件(Q1、Q3)，设置于连结输入端子(42)和输出端子(52)的电流路径；以及控制部(70)，控制第1开关元件(Q1、Q3)，第1开关元件(Q1、Q3)在控制部(70)未动作时成为导通状态，使电流路径(P1)成为导通状态。
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公开(公告)号：CN100555380C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200410047588.2
申请日：2004-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/2018 , G09G3/2022 , G09G3/2081 , G09G3/325 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , G09G2330/028
Abstract: 在本发明的各像素具备了电流驱动型发光元件的图像显示装置中，能够谋求产生基于数字信号的灰度等级电流的电路的小型化。电流供给电路(10)包含根据控制信号(SD)有选择地输出8位图像数据(DIN)的偶数位和奇数位的一方的位选择电路(40)，并向像素(100)供给与从位选择电路(40)输出的位相应的灰度等级电流(Idat)。在像素(100)的1帧期间，向电流驱动型发光元件(110)供给与偶数位相应的电流的时间被设定为供给与奇数位相应的电流的时间的2倍。通过4位的灰度等级电流的设定(16等级)，能够分为8位的256等级控制在1帧期间内流过电流驱动型发光元件(110)的电流的电流×时间的积。
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公开(公告)号：CN100517441C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03814148.5
申请日：2003-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/3241 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , G09G2310/0297 , G09G2320/0242
Abstract: 配置对具有发光元件的各像素电路(32～34)供给信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)用的信号线(28～30)。信号线驱动电路通过利用根据对应的比特被导通、截止的开关电路(18～20，21～23，24～26)切换从与图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])的每一个比特对应地设置的比特加权电流源电路(9～11，12～14，15～17)输出的比特加权电流，在信号线上产生与图像数据对应的信号电流。由于各电流源电路具有根据从基准电流线(5～7)供给的比特加权电流的基准电流校正从自身输出的比特加权电流的电平的功能，故即使是构成各电流源电路的TFT的特性离散大的情况，也能抑制每条信号线的信号电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100355026C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN1287381A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN00118744.9
申请日：2000-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B33/02
CPC classification number: B23K26/0732 , B23K2101/40 , H01L21/02675 , H01L21/2026
Abstract: 在激光热处理方法中,提供控制形成高性能薄膜用的激光照射剖面的光学系统。在向形成于基板上的膜上照射长方形束的光学系统中,通过用强度分布成形装置使长度方向的强度分布均匀,短边方向保持振荡激光的定向性等向的结构,能在振荡激光性质限制的界限内进行聚光,在基板上的膜上得到最大限度的强度梯度。因此,可在基板上的膜上形成陡峻的温度分布,其结果,可形成高性能薄膜。
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公开(公告)号：CN113906670B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201980096892.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02S50/00
Abstract: 太阳能电池串(10)的劣化诊断装置(30)及太阳能发电系统(100)具有：阻抗测定器(32)，其对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和另一端之间的第1阻抗的频率特性进行测定，并且对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和框架(13d)之间的第2阻抗的频率特性进行测定；解析部(34)，其基于第1阻抗的频率特性，对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和另一端之间的串联电阻成分的从初始值起的第1增量进行计算，并且基于第2阻抗的频率特性，对太阳能电池串(10)的被串联连接的多个太阳能发电部(13a)的一端和框架(13d)之间的电阻成分的从初始值起的第2增量进行计算；以及劣化判定部(36)，其基于由解析部(34)计算出的第1增量及第2增量，对太阳能电池串(10)内的电阻增加的太阳能电池模块(13)的位置进行判定。
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公开(公告)号：CN112368908B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201980045532.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种整流天线控制器(20)，与进行高频的受电并变换为直流电力的整流天线(10)连接，控制从整流天线(10)输入的直流电力，提供给负载(30)，具备：输入端子(42)，被输入用整流天线(10)变换的直流电力；输出端子(52)，将控制的直流电力提供给负载；第1开关元件(Q1、Q3)，设置于连结输入端子(42)和输出端子(52)的电流路径；以及控制部(70)，控制第1开关元件(Q1、Q3)，第1开关元件(Q1、Q3)在控制部(70)未动作时成为导通状态，使电流路径(P1)成为导通状态。
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公开(公告)号：CN108604870A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081655.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。
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