公开(公告)号：CN1393032A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802773.3

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 次六宽明 ,  宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。

公开(公告)号：CN1197127C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01802773.3

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 次六宽明 ,  宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热单元后形成有源半导体膜，对有源半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。

公开(公告)号：CN1252893A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98804239.8

申请日：1998-12-25

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  坂本孝雄

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C14/10 ,  C23C14/58 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种氧化硅膜的制造方法,其特征在于,包括利用气相淀积法形成氧化硅膜的工序以及对该氧化硅膜照射红外光的工序。因此,按照本发明,可将在较低的温度下形成的质量较低的氧化硅膜改善为质量高的氧化硅膜。在将本发明应用于薄膜半导体装置的情况下,可制造工作可靠性高的高性能半导体装置。

公开(公告)号：CN1304548A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800825.6

申请日：2000-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广 ,  宫坂光敏

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。

公开(公告)号：CN1218367C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN01141002.7

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  时冈秀忠 ,  小川哲也

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 在形成非晶半导体膜后，在固相状态使其结晶，其后，照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大、其照射能量密度为至少使固相生长半导体膜表面熔化的强度以上、且其波长为370nm～710nm的脉冲激光，使半导体膜的一部分熔化。

公开(公告)号：CN1179401C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN00800825.6

申请日：2000-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广 ,  宫坂光敏

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。

公开(公告)号：CN1156894C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00800777.2

申请日：2000-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。

公开(公告)号：CN1338770A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01141002.7

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  时冈秀忠 ,  小川哲也

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 用比较低的温度制造优良的多晶薄膜半导体器件。在形成非晶半导体膜后,在固相状态使其结晶,其后,照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大的脉冲激光,使半导体膜的一部分熔化。

公开(公告)号：CN1304547A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800777.2

申请日：2000-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。

公开(公告)号：CN100355026C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN00816776.1

申请日：2000-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  西前顺一 ,  冈本达树 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  宫坂光敏 ,  次六宽明

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/24

Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。