公开(公告)号：CN107039881B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201710056430.9

申请日：2017-01-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木洋介 ,  奥贯雄一郎 ,  境野刚 ,  中村直干 ,  铃木凉子

IPC: H01S5/022

Abstract: 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。

公开(公告)号：CN102110953B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201010196843.5

申请日：2010-06-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/2275 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222

Abstract: 本发明能够获得半导体光元件和集成型半导体光元件，其中，在台面条状的层叠体的侧部具有埋入层的半导体光元件和集成型半导体光元件中，能够抑制在埋入层中流过的无效电流，并且实现高速响应特性。形成有在p型半导体衬底(1)上从下层起至少依次层叠了p型包覆层(2)、活性层(3)和n型包覆层(4)的台面条状的层叠体，在层叠体的侧部形成有埋入层，在埋入层中从下层起依次层叠有第一p型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)、Fe掺杂半导体层(7)、第二n型半导体层(8)、低载流子浓度半导体层(9)和第二p型半导体层(10)，Fe掺杂半导体层(7)不在由第一p型半导体层(5)和第一n型半导体层(6)构成的结晶面的(111)B面上生长，第二n型半导体层(8)不在由第一n型半导体层(5)、第一n型半导体层(6)和Fe掺杂半导体层(7)构成的结晶面的(111)B面上生长。

公开(公告)号：CN101499625B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810160916.8

申请日：2008-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/028 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2275

Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够确保良好特性和较高的可靠性的半导体光元件的制造方法。在p型InP覆盖层(12)(第一半导体层)上形成槽(14)。在槽(14)内形成含有Al元素的活性层(15)(第二半导体层)。在p型InP覆盖层(12)和活性层(15)上形成n型InP覆盖层(16)(第三半导体层)。在n型InP覆盖层(16)上，以覆盖活性层15的上方的方式形成绝缘膜(17)。将绝缘膜(17)作为掩模，不使活性层(15)露出地刻蚀p型InP覆盖层(12)和n型InP覆盖层(16)，形成条纹结构(18)。由p型InP埋入层(19)、n型InP埋入层(20)和p型InP埋入层(21)埋入条纹结构(18)。

公开(公告)号：CN101814696A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910212265.7

申请日：2009-11-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/12 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3434

Abstract: 本发明提供一种半导体光元件。在p型InP衬底(10)上依次层叠有p型InP包层(12)、有源层(14)、n型InP包层(16)及n型InP层(18)。在n型InP包层(16)及n型InP层(18)中沿着光波导方向形成有衍射光栅(20)。相向的出射端面(36)和后端面(38)的光的反射率为非对称。有源层(14)的光波导方向的长度L为130μm以下。衍射光栅(20)由具有1200nm以上的PL波长的物质形成。长度L与衍射光栅(20)的耦合常数κ的积即κ L为1.5以上且小于3.0。

公开(公告)号：CN1457121A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03131241.1

申请日：2003-05-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽田英树 ,  境野刚 ,  久义浩

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2277

Abstract: 提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置，包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层，从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度，均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。