半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN109743882B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN201780056129.6

    申请日:2017-09-20

    Abstract: 一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘基板(52),在上表面和下表面具有导体层(51、53),在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4);底板(1),与下表面的导体层(53)接合;壳体部件(2),包围绝缘基板(52),被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面;作为硅组合物的第一填充材料(9),被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域;以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10),在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部,该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

    功率半导体模块以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN113841237A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN201980096491.5

    申请日:2019-05-30

    Abstract: 导电线(20)在接合部(21)与半导体元件(15)的前面电极(17)接合。第1树脂部件(30)覆盖接合部(21)的两端部(21p、21q)的至少一个端部、前面电极(17)的第1表面(17a)以及导电线(20)的第2表面(20a)。第2树脂部件(33)覆盖第1树脂部件(30)的弯曲部(31)。第1树脂部件(30)具有比第2树脂部件(33)高的断裂伸长率以及高的断裂强度。第2树脂部件(33)的第2拉伸弹性模量高于第1树脂部件(30)的第1拉伸弹性模量。功率半导体模块(1)具有提高的可靠性。

    半导体模块、半导体模块的制造方法以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN113841235A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN201980096496.8

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热构件(7)、半导体封装体(200)、连接构件(8)以及限制构件(9)。连接构件(8)将散热构件(7)与半导体封装体(200)连接。连接构件(8)包含树脂成分。限制构件(9)以包围连接构件(8)的方式被配置于主表面(7a)上。在与主表面(7a)垂直的方向上,限制构件(9)的顶部(9a)的位置与连接构件(8)的半导体封装体(200)侧的表面的外周部的位置相比远离主表面(7a)。

    电力用半导体装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108369927B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201680068081.6

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备:在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2;与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5;将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4;与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1;包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6;密封树脂8,其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域,室温下的树脂强度为0.12MPa以上,微晶化温度为‑55℃以下,在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下,将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。

    功率模块
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108292655A

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201680064838.4

    申请日:2016-11-01

    Abstract: 得到一种功率模块,通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离,能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化,确保绝缘性能。一种功率模块,其特征在于,具备:绝缘基板(2),在上表面搭载有半导体元件(3);基体板(1),与绝缘基板(2)的下表面接合;壳体部件(6),包围绝缘基板(2),粘接到基体板(1);密封树脂(8),填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域,对绝缘基板(2)进行密封;以及压板(9),从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出,紧固于内壁,并与密封树脂(8)相接。

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