-
公开(公告)号：CN1324696C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
-
公开(公告)号：CN1848391A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510119172.1
申请日：2005-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/5253
Abstract: 提供了一种具有TFT的塑料衬底的制造方法，一种根据该方法制造的衬底，一种平板显示器的制造方法以及一种根据该方法制造的平板显示器，可以被用到柔性平板显示器上。该方法包括：制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；将TFT电连接到薄膜上的导电图案；在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。
-
公开(公告)号：CN1828924A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200510137342.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/0096 , H01L51/52 , H01L2251/5338
Abstract: 一种平板显示装置，其通过使用由金属箔制成的导电基板作为电源层来防止线路故障以及电压降，该装置包含：导电基板；形成在该基板一侧上的并具有可暴露一部分导电基板的接触孔的第一绝缘层；具有形成在该第一绝缘层上的半导体层的薄膜晶体管(TFT)，栅电极和源电极与漏电极；以及具有与该TFT的源电极与漏电极中的一个相连接的像素电极的显示元件。该TFT的源电极和漏电极中的另一个通过接触孔与该导电基板电连接。
-
公开(公告)号：CN1266659C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410032888.3
申请日：2004-04-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L29/786 , G09G3/20 , H05B33/00
CPC classification number: H01L27/1222 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3216 , H01L27/3218 , H01L27/3262 , H01L29/78624
Abstract: 公开了一种具有改进的白平衡的平板显示器，通过使每个像素的R、G和B单位像素中驱动晶体管的漏极偏置区的掺杂浓度或偏置区的形状和尺寸有差异而能够增强白平衡。一种平板显示器包括多个像素，每个像素包括R、G和B单位像素以分别体现红(R)、绿(G)和蓝(B)色。每个单位像素包括一个具有源极/漏极区的晶体管。R、G和B单位像素的至少两个单位像素的晶体管具有不同几何结构的漏极区。在每个单位像素中，晶体管中用来驱动具有最高发光效率的发光器件的晶体管的漏极区的电阻值高于用来驱动具有较低发光效率的发光器件的晶体管的漏极区的电阻值。
-
公开(公告)号：CN1805154A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510137310.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0272 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L29/78603
Abstract: 一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板，包括：设置在该基板一个表面上的变形防止层。该基板可以包括设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管和变形防止层，该变形防止层设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1783501A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510137064.7
申请日：2004-01-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L27/15 , H01L27/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1296 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。
-
公开(公告)号：CN1779990A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108400.5
申请日：2005-10-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0052 , H01L51/0516
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)和有机场致发光(EL)显示装置。该OTFT包括作为有机发射元件的像素电极(阳极电极)的漏电极，使得有机EL显示装置的制造工艺被简化。在一个实施例中，有机EL显示装置包括：i)基板，包括发射区域和非发射区域；ii)有机薄膜晶体管，其包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层，并且位于非发射区域内，源电极和漏电极分别与栅电极的两侧部交迭；iii)有机光发射元件，包括下电极、有机层和上电极。在一个实施例中，OTFT的源电极和漏电极中的一个延伸到发射区域，半导体层具有暴露部分延伸的电极的开口，延伸的电极的暴露的部分充当有机光发射元件的下电极(像素电极或阳极电极)。
-
公开(公告)号：CN1767193A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510103852.4
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/124 , H01L27/283 , H01L51/56 , H01L2227/323
Abstract: 一种能最小化串扰的半导体装置和包含这种半导体装置的平板显示装置，这种半导体装置包含两个薄膜晶体管。这种半导体装置包括：第一电极，在同一平面上包围第一电极的第二电极，在同一平面上包围第二电极的第三电极，在同一平面上包围第三电极的第四电极，与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极分离的另一平面上的第一栅极，第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔，与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极的平面分离的另一平面上的第二栅极，第二栅极对应于第三电极和第四电极之间的间隔，以及与第一栅极和第二栅极绝缘并且与第一到第四电极接触的半导体层。
-
公开(公告)号：CN1731597A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510091070.3
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0516
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管(TFT)，其能防止由于机械应力导致的变形或分离；和一种包括有机TFT的平板显示装置。有机TFT包括栅电极；与栅电极绝缘的源电极和漏电极；与栅电极绝缘、并与源电极和漏电极接触的有机半导体层；和使栅电极与源电极、漏电极和有机半导体层绝缘的栅绝缘层。栅绝缘层被构图成岛状形状以允许基板的相邻部分自由地弯曲，因此减小了有机TFT和其组成层的应力和变形。
-
公开(公告)号：CN1717133A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082110.8
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L51/0541 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种改进的有机发光显示器(OLED)的制造方法以及通过该方法制造的OLED。所述方法可以包括以任何适当的次序执行的以下步骤。第一步，提供具有至少一个单元区的基板。第二步，在所述单元区上形成具有至少一个发光器件的发光器件部分。第三步，在所述发光器件部分上形成钝化层。第四步，在所述钝化层上形成薄膜晶体管(TFT)部分。所述TFT部分具有与每个所述发光器件电连接的有机TFT(OTFT)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
117
records
(took 0.046 seconds)
