公开(公告)号：CN1779990A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510108400.5

申请日：2005-10-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  具在本

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)和有机场致发光(EL)显示装置。该OTFT包括作为有机发射元件的像素电极(阳极电极)的漏电极，使得有机EL显示装置的制造工艺被简化。在一个实施例中，有机EL显示装置包括：i)基板，包括发射区域和非发射区域；ii)有机薄膜晶体管，其包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层，并且位于非发射区域内，源电极和漏电极分别与栅电极的两侧部交迭；iii)有机光发射元件，包括下电极、有机层和上电极。在一个实施例中，OTFT的源电极和漏电极中的一个延伸到发射区域，半导体层具有暴露部分延伸的电极的开口，延伸的电极的暴露的部分充当有机光发射元件的下电极(像素电极或阳极电极)。

公开(公告)号：CN1979912A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610159524.0

申请日：2006-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  安泽

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0015 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 源极和漏极具有双层结构以支持使用激光束来形成有机半导体层的图案的一种有机薄膜晶体管，以及具有该有机薄膜晶体管的一种平板显示设备。该有机薄膜晶体管包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并形成有电连接至源极和漏极的图案部分的有机半导体层；以及形成在源极和漏极上的保护层。

公开(公告)号：CN1592518A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068249.2

申请日：2004-08-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  具在本 ,  朴商一

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/26 ,  H05B33/08 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3279 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光显示装置，通过利用低阻值金属同时形成反射膜和电源元件而防止电压降和电源元件之间的短路。本发明提供了一种有机电致发光显示装置，包括：形成在绝缘衬底上的栅极线、数据线和电源元件，由栅极线、数据线和电源元件限定的象素区，以及设置在象素区上并包括反射膜和象素电极的象素，其中反射膜与电源元件形成在同一层上。

公开(公告)号：CN100459218C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410028710.1

申请日：2004-03-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宽熙 ,  柳承润 ,  李宪贞 ,  朴商一 ,  具在本

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明公开一种高效有机电致发光显示器及其制造方法，该显示器包括：设置在基板上的、彼此分开的R、G和B单元像素的阳极电极；形成在阳极电极上的R、G和B单元像素的有机薄膜层；和形成在基板整个表面上的阴极电极。R、G和B单元像素中的至少一个单元像素的阳极电极具有不同于其它单元像素的阳极电极的厚度。每个单元像素的阳极电极包括具有高反射率的第一膜和用于调节功函数的第二膜。单元像素中至少一个单元像素的第二膜具有不同于其它单元像素第二膜的厚度。R单元像素第二膜比其它单元像素的第二膜厚。

公开(公告)号：CN101350313A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810133317.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑棕翰 ,  郑在景 ,  朴镇成 ,  牟然坤 ,  梁熙元 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  申铉秀 ,  李宪贞

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。

公开(公告)号：CN100442569C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410046556.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  李宪贞 ,  金尚彻 ,  金昌树

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明公开了一种采用多层型像素电极的有机电致发光器件及其制造方法。该有机电致发光器件包括：衬底；位于该衬底上预定区域中的第一像素电极；以及位于该第一像素电极上且完全覆盖该第一像素电极的第二像素电极。于是，消除了因原电池现象导致的膜破损。

公开(公告)号：CN1773717A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510116879.7

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  徐旼徹 ,  具在本

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/10 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种具有有机薄膜晶体管(OTFT)的有机场致发光显示装置和构造该装置的方法。通过将有机绝缘层用作栅极绝缘层并且将无机绝缘层用作电容器介质，显示装置可保持TFT的绝缘性质同时确保足够的电容。在一个实施例中，有机场致发光显示装置包括：衬底，具有电容器区域和晶体管区域；TFT，形成在衬底的晶体管区域内并具有栅极、有机半导体层、源极和漏极；电容器，形成在衬底的电容器区域内并具有下电极和上电极；显示元件，连接到TFT源/漏极的一个。在一个实施例中，形成在TFT的栅极下面或形成在栅极上的栅极绝缘层至少包括有机绝缘层，电容器的上电极和下电极之间的电容器介质包括无机绝缘层。

公开(公告)号：CN1753202A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510104810.2

申请日：2005-09-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  具在本

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管，一种平板显示装置以及制造它们的方法。有机薄膜晶体管包括：源和漏电极以及有机半导体层，形成在基板的表面上；栅电极，与源和漏电极以及有机半导体层绝缘；栅极，至少形成在每个源极和漏极的上方和有机半导体层的通道区域的上方，其中，在源和漏电极上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度大于在有机半导体层的通道区域上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度。

公开(公告)号：CN1901206A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106171.8

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑在景 ,  具在本 ,  申铉秀 ,  牟然坤 ,  郑棕翰 ,  李宪贞 ,  金成珍

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5338

Abstract: 一种有机发光显示设备，其包括柔性基片和多个在该基片上形成的薄膜晶体管(TFT)。该多个在基片上形成的TFT包括用于驱动像素的像素晶体管和用于驱动驱动器电路的驱动器电路晶体管，并且像素晶体管的沟道区的纵向与弯曲基片的方向成第一预定角度。因此，能够最小化在柔性基片上形成的TFT的电特性的变化，从而减少在TFT沟道中流动的电流量的变化。

公开(公告)号：CN1870235A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610099617.9

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT)，一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中，由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极，而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异，所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜，通过蚀刻缓冲膜，在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元，在缓冲膜上形成电极层，使用光刻工艺，通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极，在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。