公开(公告)号：CN103681322A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210526337.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/6634 ,  H01L21/046 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7825

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，该器件包括：基底，该基底具有一个表面和另一个表面并且由第一导电型漂移层形成，第一导电型扩散层，该第一导电型扩散层在所述基底的一个表面上形成并具有比所述第一导电型漂移层更高的浓度，以及形成的沟槽以便从包括第二导电型阱层的所述基底的一个表面沿厚度方向穿过所述第二导电型阱层和所述第一导电型扩散层。本发明提供的功率半导体器件能够使电导率调变形状最大化。

公开(公告)号：CN103872097B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310182197.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

公开(公告)号：CN104659087A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410337329.7

申请日：2014-07-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀 ,  张昌洙

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件可以包括：基板，包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在基板中并且杂质浓度高于漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的一个表面内；沟槽，从包括阱层的所述基板的一个表面形成，以便在深度方向上穿透扩散层；第一绝缘膜，设置在所述基板的表面上；以及第一电极，设置在沟槽中。扩散层在横向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触沟槽侧面的区域中。

公开(公告)号：CN104465733A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310722649.X

申请日：2013-12-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  严基宙 ,  宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0615

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中，t1/t2为15至18。

公开(公告)号：CN104347614A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410302847.5

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件及其制造方法。其中，该功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区；形成于第一半导体区中并且为第二导电类型的第二半导体区；形成于第二半导体区之上并且为第二导电类型的阱区；以及形成于阱区中并且为第一导电类型的源极区，其中，第二半导体区包括从器件的下部沿该器件的高度方向延伸形成的1至n层，并且在第n层的第二半导体区的最宽宽度为Pn的情况下，P1

公开(公告)号：CN104078494A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310308658.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  张昌洙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括：彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。

公开(公告)号：CN103872097A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310182197.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

公开(公告)号：CN103594501A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210576683.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明公开一种槽栅型功率半导体器件，该槽栅型功率半导体器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的漂移层；形成在漂移层上的阱层；形成为沿厚度方向刺穿阱层的同时到达漂移层的槽；从槽的底面开始直至预定高度的第一绝缘膜；形成在槽中的比第一绝缘膜的高度更低的高度处的第一电极；形成在所述槽中的直至与第一绝缘膜的高度相同的高度的层间电介质；和形成在阱层上的第二电极，与槽对应的所述第一表面的部分突出到槽内以接触层间电介质。

公开(公告)号：CN302550940S

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201330082992.3

申请日：2013-03-26

Applicant: 三星电机株式会社

Designer： 赵银贞 ,  孙晋淑 ,  河乔布 ,  朴在勋 ,  洪昌燮 ,  赵俊亨 ,  郑仁和 ,  郭煐熏 ,  许畅宰

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体器件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于控制变换器，并且与功率电路连接以提供功率至负载。3．本外观设计产品的设计要点：图中所示产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．省略视图：右视图与左视图对称，故省略右视图。

公开(公告)号：CN302535108S

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201330073183.6

申请日：2013-03-20

Applicant: 三星电机株式会社

Designer： 孙莹豪 ,  河乔布 ,  金钟满 ,  方诚晚 ,  尹善禹 ,  李硕浩 ,  李孝真 ,  吴圭焕 ,  朴在勋

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体器件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于控制设置于空调、电冰箱、洗衣机或其类似物内的变换器，该产品能连接至功率电路并将直流功率转变成交流功率而提供给负载。3．本外观设计产品的设计要点：图中所示产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。