公开(公告)号：CN113224127A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535068.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种包括至少一个二维(2D)沟道的晶体管和电子设备。根据一些示例实施方式的晶体管包括彼此分开的第一至第三电极以及与第一电极和第二电极接触、平行于第三电极并且包括至少一个2D沟道的沟道层。所述至少一个2D沟道包括具有不同掺杂浓度的至少两个区域。根据一些示例实施方式的晶体管包括：彼此分开的第一至第三电极；与第一电极和第二电极接触并平行于第三电极的2D沟道层；第一掺杂层，设置在与第一电极对应的二维沟道层下方；以及第二掺杂层，设置在与第二电极对应的2D沟道层下方，其中第一掺杂层和第二掺杂层与2D沟道层接触。

公开(公告)号：CN113161412A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011576877.7

申请日：2020-12-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  张镐元 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。

公开(公告)号：CN105280594B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯‑金属接合结构、制造石墨烯‑金属接合结构的方法和包括该石墨烯‑金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯‑金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。

公开(公告)号：CN105280594A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯-金属接合结构、制造石墨烯-金属接合结构的方法和包括该石墨烯-金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯-金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。

公开(公告)号：CN114141863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111038495.3

申请日：2021-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  李珉贤 ,  权俊荣 ,  申铉振 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种场效应晶体管和制造其的方法。该场效应晶体管包括在衬底上的源电极、与源电极分隔开的漏电极、连接在源电极和漏电极之间的沟道、栅绝缘层、以及栅电极。当在第一截面中看时，沟道可以具有中空闭合的截面结构，第一截面由在垂直于衬底的方向上跨过源电极和漏电极的平面形成。栅绝缘层可以在沟道中。栅电极可以通过栅绝缘层与源电极和漏电极绝缘。

公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN113497138A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011501211.5

申请日：2020-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供了场效应晶体管。一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。

公开(公告)号：CN113224144A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535102.5

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体器件，其使用二维半导体材料作为沟道层。该半导体器件包括：在衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极电介质；在栅极电介质上的沟道层；以及源电极和漏电极，可以电连接到沟道层。栅电极具有高度大于宽度的形状，并且沟道层包括二维半导体材料。

公开(公告)号：CN112750834A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011177930.6

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡 ,  卞卿溵 ,  申铉石 ,  洪锡模

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

公开(公告)号：CN105742358A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。