半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统

    公开(公告)号:CN118900568A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410479295.9

    申请日:2024-04-19

    Abstract: 一种半导体器件,包括:板层;栅电极,在板层上;层间绝缘层,与栅电极交替地堆叠;以及沟道结构,延伸到栅电极中,其中,沟道结构包括沟道填充层、至少部分地围绕沟道填充层的沟道层、在栅电极和沟道层之间的电荷存储层、在栅电极和电荷存储层之间的第一介电层、以及在沟道层和电荷存储层之间第二介电层,其中,沟道层包括第一凸形部分,该第一凸形部分从沟道层的与沟道填充层接触的侧面朝向沟道填充层延伸,并且其中,第一凸形部分的顶点处于第一方向上的第一高度处,该第一高度在一对相邻栅电极的高度之间。

    多芯片封装件
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107978581B

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201710945679.5

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 提供一种多芯片封装件,所述多芯片封装件包括:封装基底,包括第一基底焊盘;第一组半导体芯片,堆叠在封装基底上,第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘;第一螺柱凸部,布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上;第一导电布线,从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸,并且连接到第一基底焊盘;第二导电布线,从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸,并且顺序地连接到第一螺柱凸部。

    可变电阻存储器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111009546A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910949959.2

    申请日:2019-10-08

    Abstract: 本申请提供了一种可变电阻存储器装置及其制造方法,所述方法包括:在衬底上形成存储器单元的阵列,其中,各个存储器单元包括可变电阻结构和开关元件;以及形成覆盖开关元件的侧壁的侧壁绝缘层。形成侧壁绝缘层的步骤包括:向开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预备步骤;以及执行工艺循环多次的主步骤,工艺循环包括供应硅源和供应反应气体。在预备步骤中供应硅源的持续时间长于在主步骤中的工艺循环中供应硅源的持续时间。

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