-
公开(公告)号：CN110309896B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910141691.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K19/07
Abstract: 提供近场通信集成电路和无线通信装置。所述无线通信装置包括：电池、电源管理集成电路(PMIC)、连接到电池并连接到PMIC的近场通信NFC集成电路以及连接到NFC集成电路并被配置为支持NFC操作的内部装置，其中，NFC集成电路包括供电路径控制电路，被配置为：当NFC集成电路处于接通状态或操作状态时，切断从PMIC到内部装置的第一供电路径，并基于从PMIC提供的第一供应电压的存在或不存在形成从电池到内部装置的第二供电路径以向内部装置供电。
-
公开(公告)号：CN109390324B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201810288882.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金永锡
IPC: H01L23/552
Abstract: 一种半导体封装包括安装在衬底上的接地焊盘及半导体芯片，且半导体封装通过使用包封件覆盖接地焊盘及半导体芯片的上部部分、形成沟槽以及使用电磁干扰屏蔽膜覆盖包封件及沟槽的上部部分来形成。接地焊盘被形成与半导体芯片相邻。包封件密封衬底、半导体芯片及接地焊盘。接地焊盘通过切割工艺被暴露出且沟槽被形成为将半导体芯片彼此隔离。电磁干扰屏蔽膜是通过按压及加热工艺形成，且电磁干扰屏蔽膜的覆盖包封件的表面的一部分包含与电磁干扰屏蔽膜的覆盖沟槽的上部部分的一部分相同的材料。电磁干扰屏蔽膜电连接到接地焊盘。
-
公开(公告)号：CN111384008A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910997715.1
申请日：2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , C09J7/28
Abstract: 公开了一种粘合膜包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上；粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的孔隙；以及多个第一导热构件，分布在第一粘合层中。
-
公开(公告)号：CN102569336A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110455205.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了非易失性半导体存储器件及其制造方法。该器件包括多条下部互连线、横跨在所述多条下部互连线上方的上部互连线、分别布置在所述多条下部互连线与所述多条上部互连线之间的多个相交区域处的多个选择元件、以及布置在所述选择元件与所述上部互连线之间的存储元件，其中，所述多个选择元件的每一个都形成在半导体图案中，所述半导体图案关于平行于所述下部互连线且垂直于所述上部互连线的平面实质呈镜像不对称。
-
公开(公告)号：CN118073316A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311406051.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L29/36 , H01L29/04
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的衬底凹槽；栅极绝缘层，共形地覆盖衬底凹槽的内壁；含金属图案，设置在栅极绝缘层上并填充衬底凹槽的下部；硅图案，设置在衬底凹槽中的含金属图案上；以及在衬底凹槽中的硅图案上的字线覆盖图案，硅图案包括覆盖含金属图案的上表面和栅极绝缘层的侧表面并具有形成在其上的图案凹槽的第一硅图案以及填充图案凹槽的第二硅图案，第一硅图案具有第一杂质浓度，第二硅图案具有比第一杂质浓度小的第二杂质浓度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114639659A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111531384.6
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/31 , G02F1/00 , G02F1/01 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种非导电膜片和半导体封装件以及半导体封装件的制造方法。所述半导体封装件，包括：至少一个半导体器件，所述至少一个半导体器件位于第一基板上；非导电膜(NCF)，所述NCF位于所述至少一个半导体器件上，并且包含不可逆的热变色颜料；以及模制构件，所述模制构件在横向方向上位于所述至少一个半导体器件上，其中，所述NCF中的所述不可逆的热变色颜料的含量相对于所述NCF的重量为约0.1wt％至约5wt％。
-
公开(公告)号：CN114068553A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110778357.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件分隔膜和由所述元件分隔膜限定的有源区；位线结构，所述位线结构位于所述衬底上；沟槽，所述沟槽位于所述元件分隔膜和所述有源区中，所述沟槽位于所述位线结构的至少一侧，并且包括位于所述元件分隔膜中的第一部分和位于所述有源区中的第二部分，所述第一部分的底表面布设为高于所述第二部分的底表面；单晶存储接触，所述单晶存储接触填充所述沟槽；和信息存储元件，所述信息存储元件电连接到所述单晶存储接触。
-
公开(公告)号：CN113049879A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011559377.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种近场通信(NFC)设备，包括具有天线和匹配电路的谐振器、发射机和频率检测器。发射机在谐振器处生成感测电压信号。关于多个测量时段，其中每个测量时段包括开启时段和关断时段，所述发射机在开启时段期间被启用以向谐振器输出射频(RF)信号并且在关断时段期间被禁用。频率检测器基于感测电压信号来检测谐振器的谐振频率。通过在多个测量时段期间测量谐振频率来准确地检测谐振频率。另外，通过使用在NFC设备中建立的发射机生成感测电压信号来有效地检测谐振频率。
-
公开(公告)号：CN105898990B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610084585.9
申请日：2016-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K1/18
Abstract: 提供一种包括电路板的电子装置。一种电子装置包括：电路板，布置在前盖和后盖之间，并且包括嵌入在所述电路板中的导电图案。信号发生或电力供应元件与所述导电图案电连接。粘合层附着到所述电路板上，并且当从所述电路板上方观察时与所述导电图案的至少一部分重叠。第一结构布置在所述粘合层上，并且当从所述电路板上方观察时与所述粘合层的至少一部分重叠。第二结构布置在所述第一结构的顶部，当从所述电路板上方观察时与所述第一结构的至少一部分重叠，并且所述第二结构包括包含金属的底部表面。金属层插在所述第一结构和所述第二结构的所述底部表面之间，以将所述第二结构附着于所述第一结构。
-
公开(公告)号：CN111146100A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910806622.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金永锡
IPC: H01L21/603 , H01L23/488
Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在半导体芯片的表面上形成粘合膜，将半导体芯片安装在基板上使得粘合膜接触基板的上表面，以及通过对设置在基板和半导体芯片之间的粘合膜同时执行热压处理和紫外线照射处理，通过固化粘合膜来接合半导体芯片与基板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.033 seconds)
