公开(公告)号：CN102237330A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110128509.0

申请日：2011-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相昱 ,  金南锡 ,  白承德

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了晶片级封装。在一个实施例中，晶片级封装包括形成在半导体基底上的重布图案和设置在重布图案上的第一包封剂图案。第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔。所述封装还包括形成在重布图案的暴露部分上的外部连接端子。通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁可以分开间隙距离。该间隙距离可以向包封剂图案的上表面增加。

公开(公告)号：CN1246731A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99100256.3

申请日：1999-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南锡 ,  张东铉 ,  姜思尹 ,  权兴奎

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 根据本发明,芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外,为改善CSP的可靠性,提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力,并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后,锯切半导体晶片,得到单个CSP。