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公开(公告)号：CN106469758A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610585329.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/1233 , H01L29/66795 , H01L29/7846 , H01L29/7854 , H01L29/7855
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括限定有源区的深沟槽和在有源区内突出的鳍型图案。鳍型图案具有下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部。所述半导体器件还包括围绕下部的第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部的第二场绝缘膜。
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