公开(公告)号：CN115588647A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210288474.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李瑌真 ,  李钟旼 ,  李全一

IPC: H01L21/768

Abstract: 根据一些示例实施例的半导体器件包括：衬底；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述衬底；晶体管，所述晶体管位于所述衬底和所述绝缘结构之间；通路绝缘层，所述通路绝缘层延伸穿过所述绝缘结构和所述衬底；多个通路结构，所述多个通路结构延伸穿过所述通路绝缘层；多个导电结构，所述多个导电结构分别连接到所述多个通路结构；以及多个凸块，所述多个凸块分别连接到所述导电结构。

公开(公告)号：CN113451281A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110145563.X

申请日：2021-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  韩正勋 ,  李瑌真 ,  李钟旼 ,  张志熏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 半导体封装件可以包括：半导体芯片，位于基板上；和底部填充层，位于半导体芯片与基板之间。所述半导体芯片可以包括：半导体基板，包括第一区域和第二区域；以及层间介电层，可以覆盖半导体基板并且可以在其中包括连接线。第一导电焊盘可以位于第一区域上，并且可以电连接到所述连接线中的一些连接线。第二导电焊盘可以位于第二区域上，并且可以与所有连接线电隔离。所述半导体芯片还可以包括钝化层，钝化层可以覆盖层间介电层并且可以包括可以分别暴露第一导电焊盘和第二导电焊盘的第一孔。在第二区域上，底部填充层可以包括可以位于第一孔中的一个第一孔中并且与第二导电焊盘中的一个第二导电焊盘接触的部分。

公开(公告)号：CN112951804A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010751146.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔慜贞 ,  卢晙镛 ,  李瑌真 ,  韩正勋

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一部分和第二部分；存储器单元，设置在第一部分上；绝缘层，设置在第一部分和第二部分上，绝缘层覆盖存储器单元，绝缘层的位于第二部分上的部分包括台阶侧壁；以及第一图案组，设置在第二部分上并且设置在绝缘层的所述部分和基底中。半导体装置的第一侧壁对应于台阶侧壁，台阶侧壁包括上侧壁、下侧壁和将上侧壁连接到下侧壁的连接表面。设置在上侧壁下的下侧壁比上侧壁靠近基底，并且具有与上侧壁的表面粗糙度不同的表面粗糙度。