公开(公告)号：CN103035804A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210308002.8

申请日：2012-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李振燮 ,  金定燮 ,  李成淑 ,  朴泰荣 ,  孙哲守

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/02573 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层。高的输出能够通过在生长第一导电类型的氮化物半导体层期间提高掺杂效率来获得。

公开(公告)号：CN109962060B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201811316171.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  金容一 ,  成汉珪 ,  延智慧 ,  李振燮 ,  崔荣进

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48

Abstract: 提供了发光器件封装和显示设备，发光器件封装包括：单元阵列，包括第一、第二和第三发光器件，每个发光器件包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，该单元阵列具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；透光基板，包括分别与第一发光器件和第二发光器件相对应的第一波长转换部分和第二波长转换部分，并且接合到第一表面；共晶接合层，包括分别与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件相对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，并且将透光基板和第一至第三发光器件彼此接合。

公开(公告)号：CN112768485A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110191729.1

申请日：2017-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  林完泰 ,  朴永洙 ,  金定燮 ,  李振燮 ,  H·柳 ,  卢慧锡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。

公开(公告)号：CN109935666A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811486617.3

申请日：2018-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  金容一 ,  李振燮

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。

公开(公告)号：CN108242483A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711445437.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  金容一 ,  朴永洙 ,  李振燮 ,  林完泰

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供了一种发光器件封装件，其包括发光结构，所述发光结构包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元至第三发光单元中的每一个包括在第一方向上发射第一波长的光的有源层，并且第一发光单元至第三发光单元中的每一个在与第一方向正交的第二方向上彼此分离，第一调光部分包括在第一发光单元的第一凹部中的第一波长转换层，第一波长转换层将第一波长的光转换成第二波长的光，以及第二调光部分包括在第二发光单元的第二凹部中的第二波长转换层，第二波长转换层将第一波长的光转换为第三波长的光。

公开(公告)号：CN106410004A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610630167.5

申请日：2016-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李振燮 ,  金定燮

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。所述方法包括步骤：在衬底上形成下部半导体层的第一区；使用在形成所述第一区时使用的至少一种气体，在已执行形成所述第一区的处理的腔室中原位地对所述第一区的上表面进行刻蚀；在所述第一区上形成下部半导体层的第二区；在下部半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成上部半导体层。