公开(公告)号：CN107958869A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710804253.8

申请日：2017-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  金知勇 ,  李呈焕 ,  边大锡 ,  林炫锡

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/1157 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/764

Abstract: 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。