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公开(公告)号：CN101740118B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200910253065.6
申请日：2009-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/1018 , G11C8/18 , G11C11/5678 , G11C13/00 , G11C13/0004
Abstract: 本发明提供一种相变和阻变随机存取存储器设备，该存储器设备包括相变或阻变存储器单元阵列和配置为放大从所述相变存储器单元阵列读取的数据的读出放大器。这些随机存取存储器设备配置为从所述相变或阻变存储器单元阵列的第一字线读取数据，并且在突发模式操作期间当第一边界跨越发生时，插入其中没有数据读取的伪突发。也提供了一种在突发模式中操作相变和/或阻变随机存取存储器设备的相关方法。
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公开(公告)号：CN101149971B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200710154773.5
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/046 , G11C13/0004
Abstract: 根据示例实施例，一种包含在内容可寻址存储器(CAM)中的CAM单元可以包括相变存储器件、连接器、和/或显现器。所述相变存储器件可以配置用于存储数据。所述相变存储器件可以具有可根据所存储的数据的逻辑电平而变化的电阻。所述连接器可以配置用于控制向所述相变存储器件写数据以及从所述相变存储器件读数据。所述显现器可以配置用于在其中将存储在所述相变存储器件中的数据与搜索数据进行比较的搜索模式下控制从所述相变存储器件读数据。
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公开(公告)号：CN101246734B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN1959846B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610159878.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
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公开(公告)号：CN1933023B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610132291.5
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 相变存储装置，包括具有相变材料的存储单元、适于在编程间隔期间向存储单元供应编程电流的写入驱动器；以及适于在编程间隔期间增强写入驱动器的电流供应能力的泵电路。泵电路响应于外部控制信号在编程间隔期间之前激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246734A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN1959847A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610144770.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变随机存取存储器设备包括含有多个相变存储器单元的存储器阵列，每个相变存储器单元都包括相变材料和二极管，多个将位线连接到相应数据线的列选择晶体管，所述位线被连接到相变存储器单元，以及将数据线连接到读出放大器单元的控制节点。在写操作模式时，通过提升第一电压获得的控制电压被分别施加到控制节点以及列选择晶体管的栅极，地电压被施加到所选择的一个相变存储器单元的字线。在待机模式时，连接到存储器阵列的相变存储器单元的字线和位线被维持在同一电压。
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公开(公告)号：CN109841248B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN112992226A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010996175.8
申请日：2020-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李光振
Abstract: 提供一种神经形态器件和存储器件，所述神经形态器件包括：控制器，被配置为通过将二进制数据的每个位转换为三进制位来生成三进制数据；以及存储器件，被配置为存储所述三进制数据，其中，所述存储器件包括：第一存储单元阵列，所述第一存储单元阵列包括形成在下字线与位线之间的第一存储单元，其中，每个所述第一存储单元包括第一开关元件和第一电阻元件；以及第二存储单元阵列，所述第二存储单元阵列包括形成在上字线与所述位线之间的第二存储单元，其中，每个所述第二存储单元包括第二开关元件和第二电阻元件，其中，所述三进制数据的每个位由存储在所述第一存储单元中的数据位和存储在所述第二存储单元中的屏蔽位的组合来标识。
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公开(公告)号：CN107767913A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710695642.1
申请日：2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0604 , G06F3/0679 , G06F13/16 , G11C7/1063 , G11C7/20 , G11C7/22 , G11C16/0483 , G11C16/20 , G11C16/32 , G11C16/16 , G11C16/28
Abstract: 提供了一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。该装置包括：状态信号生成电路，生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号；以及状态信号输出控制电路，接收第一信号，并且基于芯片使能信号或初始设置的功能命令或这两者将第二信号输出到输出焊盘。第一信号指示两个状态中的一个状态，并且第二信号指示三个状态中的一个状态。
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