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公开(公告)号：CN105843262A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610080037.9
申请日：2016-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D3/20
CPC classification number: G05D13/00 , G01B11/26 , G01D5/347 , G01D5/34792 , G01P3/486 , G01P3/54 , G01P13/04 , G01P21/02 , G05B15/02 , G05D3/203
Abstract: 提供一种用于控制旋转设备的方法及其电子装置。提供一种用于控制电子装置中的旋转体的设备和方法。所述方法包括：向旋转体中的具有不同反射率的多个指示器中的至少一个指示器发射光；接收从所述至少一个指示器反射的光；基于从所述至少一个指示器接收的反射光的量来检测旋转体的旋转参数；基于旋转参数控制旋转体。
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公开(公告)号：CN1971917B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610146422.5
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42324
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：衬底，具有单元区；以及单元器件隔离层，位于该衬底的单元区上，以限定单元有源区。浮置栅极可以包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极，而隧道绝缘图形可以位于浮置栅极与单元有源区之间。控制栅电极可以位于该浮置栅极上，而且阻挡绝缘图形可以位于该控制栅电极与浮置栅极之间。更具体地说，上部浮置栅极可以包括位于该下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分两边向上延伸的壁部分。此外，由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度可以大于该空间下部的宽度。还讨论了相关方法。
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公开(公告)号：CN100414417C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510109953.2
申请日：2005-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1339
Abstract: 一种ACF供给装置，涉及用于在LCD、PDP等平板显示器(FPD)基板上，粘接驱动器IC或TAB封装的ACF供给装置，包括供给由ACF层和ACF支持层构成的ACF带的供给部、从所述供给部引出所述ACF带，在作业台上接合所述ACF层的接合部、回收分离了ACF层的所述ACF支持层的回收部。本发明中，所述供给部，包括：多个卷轴安置架，在同一平面内，可旋转地支持卷绕ACF带的多个ACF卷轴；夹持机构，将从放置在所述多个卷轴安置架中的任何一个上的ACF卷轴上引出的ACF带的引出端部，定位在规定的供给待机位置上。由此在装置的运转中也能够替换用完的ACF卷轴，能够使ACF卷轴替换造成的装置的运转停止最小化。
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公开(公告)号：CN110581711B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201811501649.6
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种均衡器和包括均衡器的发送器。一种用于根据信道从串行数据生成均衡信号的集成电路包括：移位寄存器，从串行数据提取符号序列。数据存储器存储与对应于滤波器系数序列的潜在符号序列对应的均衡数字信号的值。查找表输出与提取的符号序列对应的值均衡数字信号。数模转换器(DAC)将均衡数字信号转换为均衡信号。控制器响应于控制信号基于存储在数据存储器中的值和包括在查找表中的值中的至少一个来刷新查找表。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118259552A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311713206.4
申请日：2023-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种光刻胶涂覆装置，包括：光刻胶收集罐，临时存储光刻胶；光刻胶供应管道，连接到光刻胶收集罐；泵，连接到光刻胶供应管道；光刻胶加压设备，在泵的后部处连接到光刻胶供应管道；光刻胶循环管道，在光刻胶加压设备的后部处，该光刻胶循环管道将光刻胶供应管道连接到光刻胶收集罐；光刻胶排出管道，在光刻胶循环管道的后部处连接到光刻胶供应管道；光刻胶排出阀，连接到光刻胶排出管道；以及光刻胶排出喷嘴，连接到光刻胶排出阀。
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公开(公告)号：CN109285839B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201810515712.5
申请日：2018-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路器件，其包括：在衬底上在垂直方向上彼此重叠的多个字线、在衬底的一区域上在垂直方向上延伸穿过所述多个字线的多个沟道结构、在所述多个沟道结构上的多个位线接触垫、以及多个位线，其中所述多个位线包括在所述区域的中央区中以第一节距布置并彼此平行延伸的多个第一位线、以及在所述区域的边缘区中以第二节距布置的多个第二位线，第二节距不同于第一节距。
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公开(公告)号：CN109300908B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810812055.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括包含堆叠在衬底上的导电层的堆叠结构。而且，该半导体器件包括穿透堆叠结构的台阶区域的虚设结构。虚设结构的一部分包括第一区段和第二区段。第一区段在平行于衬底的上表面的平面中沿第一方向延伸。第二区段在所述平面中沿交叉第一方向的第二方向从第一区段突出。
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公开(公告)号：CN108701297B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201780007864.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种电子装置，包括：MST模块；显示器；无线通信模块；和处理器，其中，处理器被配置为：识别电子装置的位置；识别支付请求；响应于所述支付请求，确定与所述位置相应的支付传输方案；并在根据所述支付传输方案改变支付信息的数据集或传输周期时，通过使用MST模块向外部电子装置发送与支付有关的支付信息。可以通过说明书识别的其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN113314539A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110219013.8
申请日：2021-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括下水平层和上水平层，并且具有单元阵列区和连接区；电极结构，其包括堆叠在衬底上方并且从单元阵列区延伸至连接区的电极；单元阵列区上的垂直沟道结构，其贯穿电极结构，并且连接至衬底；以及连接区上的分离结构，其贯穿电极结构。下水平层具有：与分离结构的第一部分接触的第一顶表面，与分离结构的第二部分接触的第二顶表面，以及拐点，在该拐点处，下水平层的高度在第一顶表面与第二顶表面之间突然改变。
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