公开(公告)号：CN118629455A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410248395.0

申请日：2024-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  朴判济

IPC: G11C11/4074

Abstract: 提供了一种半导体单元架构，所述半导体单元架构包括多个单元、多个背侧电源轨和多条金属线，其中，背侧电源轨在单元长度方向上延伸，并且在平面图中，至少一个背侧电源轨与至少一个单元的内部区域竖直叠置，而与至少一个单元的下边界或上边界不竖直叠置。

公开(公告)号：CN109686737B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201811215341.5

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  梁在锡 ,  金煐勳 ,  李海王 ,  千宽永

IPC: H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括衬底、第一栅极结构、第一接触塞及电源轨。衬底包括在第一方向上延伸的第一单元区及第二单元区以及连接到第一单元区及第二单元区的在第二方向上相对的两端中的每一端的电源轨区。第一栅极结构在第二方向上从第一单元区与第二单元区之间的边界区域延伸到电源轨区。第一接触塞形成在电源轨区上且接触第一栅极结构的上表面。电源轨在电源轨区上在第一方向上延伸且电连接到第一接触塞。电源轨通过第一接触塞对第一栅极结构供应关断信号以将第一单元区与第二单元区电绝缘。本公开的半导体装置的相邻的单元区即使在具有高集成度的条件下，也可彼此有效地绝缘。

公开(公告)号：CN116053231A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211015762.X

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金润镇 ,  千宽永

IPC: H01L23/48 ,  H01L27/02

Abstract: 一种包括单独源区的单元包括：有源区，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上彼此间隔开；栅极线，在第二方向上跨有源区延伸并且在第一方向上彼此间隔开；第一接触部，布置在每条栅极线在第一方向上的两侧并且与有源区连接；金属线，布置在栅极线和第一接触部上方，该金属线在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第二接触部，将栅极线连接到金属线；以及通孔，将第一接触部连接到金属线。

公开(公告)号：CN105448910A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510595156.3

申请日：2015-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金秀泰 ,  金东铉 ,  金夏永 ,  都桢湖 ,  朴善暎 ,  白尚训 ,  崔在完

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L23/52

Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。