公开(公告)号：CN112071837A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010079485.3

申请日：2020-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰炯 ,  千宽永 ,  金润镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：有源区，所述有源区从衬底向上突出；多个沟道图案，所述多个沟道图案在所述有源区上沿第一方向彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极在所述有源区上沿所述第一方向延伸并覆盖所述多个沟道图案。所述多个沟道图案中的每个沟道图案包括在与所述有源区的顶表面垂直的方向上彼此间隔开的多个半导体图案。所述栅电极覆盖所述多个沟道图案之间的所述有源区的所述顶表面。

公开(公告)号：CN112071837B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202010079485.3

申请日：2020-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰炯 ,  千宽永 ,  金润镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：有源区，所述有源区从衬底向上突出；多个沟道图案，所述多个沟道图案在所述有源区上沿第一方向彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极在所述有源区上沿所述第一方向延伸并覆盖所述多个沟道图案。所述多个沟道图案中的每个沟道图案包括在与所述有源区的顶表面垂直的方向上彼此间隔开的多个半导体图案。所述栅电极覆盖所述多个沟道图案之间的所述有源区的所述顶表面。

公开(公告)号：CN116053231A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211015762.X

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金润镇 ,  千宽永

IPC: H01L23/48 ,  H01L27/02

Abstract: 一种包括单独源区的单元包括：有源区，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上彼此间隔开；栅极线，在第二方向上跨有源区延伸并且在第一方向上彼此间隔开；第一接触部，布置在每条栅极线在第一方向上的两侧并且与有源区连接；金属线，布置在栅极线和第一接触部上方，该金属线在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第二接触部，将栅极线连接到金属线；以及通孔，将第一接触部连接到金属线。

公开(公告)号：CN112820728A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011296256.3

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡中揆 ,  千宽永 ,  金润镇

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：一对第一和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；一对第一和第二电路有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上间隔开；以及多个线图案，在第二水平方向上延伸并且在第一水平方向上间隔开。所述一对第一和第二虚设有源区可以在所述多个线图案当中的彼此相邻的一对线图案之间。第一和第二虚设有源区中的至少一个可以具有宽度改变部分，在该宽度改变部分中，第一和第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在第二水平方向上改变。