公开(公告)号：CN101081393B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710107772.5

申请日：2007-04-29

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 郑溢溶

IPC: B08B3/04

Abstract: 本发明涉及一种湿式清洗设备的防清洗液流出装置，本发明所提供的湿式清洗设备的防清洗液流出装置包含：驱动轴，该驱动轴的从清洗室内部贯通所述清洗室外壁而向外部突出的一端与旋转驱动源结合，由此得到旋转驱动力；设在所述驱动轴轴线上的清除单元，该清除单元朝沿着所述驱动轴流向所述清洗室外部的清洗液喷射干燥空气而将其强制排出。由于本发明防止清洗液沿驱动轴流到清洗室外部，因此可以确保向驱动轴提供旋转驱动力的驱动电机的稳定性，同时可以提高洁净室内的洁净度。

公开(公告)号：CN101067725B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710102206.5

申请日：2007-04-27

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 权晟 ,  金株香 ,  朴云用

IPC: G03F7/16

Abstract: 本发明涉及一种感光液狭缝喷嘴的感光液硬化防止装置及方法，本发明所提供的感光液狭缝喷嘴的感光液硬化防止装置，包含：收容部，用于收容硬化防止液和感光膜涂布喷嘴的狭缝，并使感光膜涂布喷嘴的狭缝不与硬化防止液接触；狭缝接触部件，用于使部分硬化防止液与感光膜涂布喷嘴的末端接触。并且，本发明所提供的感光液狭缝喷嘴的感光液硬化防止方法包含：利用狭缝接触部件使部分硬化防止液产生表面张力的表面张力诱导步骤；使处于待机状态的感光膜涂布喷嘴的狭缝末端与依靠表面张力突出的部分硬化防止液接触的狭缝接触步骤。本发明通过设置狭缝接触部件使得少量硬化防止液与狭缝末端相接触，从而使硬化防止液使用量最小，并延长更换周期。

公开(公告)号：CN1777346B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510125306.0

申请日：2005-11-15

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 申寅澈 ,  张圣基 ,  金兑昱 ,  柳炅昊 ,  郑修然

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明涉及等离子处理装置，更具体来说，涉及可提高等离子密度的均匀性，并可适用于最近基板大型化的趋势的等离子电极构造及其电极制造方法、电极冷却方法。另外，涉及利用上述等离子电极构造的等离子源及等离子处理装置、以及其控制方法。本发明的等离子源，其特征在于，具有多个单位电极单元和一对电极板，所述一对电极板使所述单位电极单元根据被处理物的宽度组装，从而被配置在所述被处理物上。另外，其特征在于，所述单位电极单元包含：单位电极板、形成在所述单位电极板上的电极、和形成在所述单位电极板的一个侧面的间隙槽。

公开(公告)号：CN101469412A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810184442.0

申请日：2008-12-24

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 申寅澈 ,  田英洙

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法，其包括反应室，可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座，装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元，与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元，其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。

公开(公告)号：CN100449725C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200610140234.1

申请日：2006-10-20

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 姜炳州 ,  孙永成 ,  赵显佑 ,  李泰雨 ,  朴美爱

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00 ,  B65G49/00 ,  B65G47/74 ,  B08B11/00 ,  B08B3/04

Abstract: 本发明涉及一种晶片排列装置，该晶片排列装置通过排列晶片在一次清洗众多晶片的过程中使相邻一对晶片相对的表面具有相同性质。依据本发明所提供的晶片排列装置，包含以水平状态接收分别由至少一个晶片所构成的第一晶片组及第二晶片组并将其排列成垂直状态的晶片接收单元和依次接收所述垂直状态的第一晶片组及第二晶片组并加以排列的推送单元，并具有通过所述晶片接收单元或推送单元中某一个单元的旋转使第一晶片组的晶片和第二晶片组的晶片以相反方向交替排列的结构。

公开(公告)号：CN101085446A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710107408.9

申请日：2007-05-10

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 权晟

IPC: B08B3/12 ,  B05C1/08 ,  B05C21/00 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明涉及用于清洗基板涂敷装置的预涂辊子的清洗单元，尤其涉及包含外壳和向所述外壳内部发射超声波的超声波生成单元的清洗单元及包含该清洗单元的基板涂敷装置。本发明具有提高预涂辊子的涂敷液清洗能力并简化清洗装置结构的效果。

公开(公告)号：CN101081396A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710103859.5

申请日：2007-05-17

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 权晟

IPC: B08B7/00

Abstract: 本发明涉及一种用于清除为进行在基板上涂敷光刻胶等多种基板处理作业而固定基板的基板固定盘上表面的杂质的基板固定盘清洗单元、清洗装置及清洗方法。依据本发明所提供的基板固定盘清洗单元，包含：主体；形成在所述主体并向所述基板固定盘喷射清洗剂的喷射孔，以用于分离所述基板固定盘上的杂质；离所述喷射孔间隔预定距离的吸入孔，以用于吸入由所述清洗剂分离的杂质。

公开(公告)号：CN1992160A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171402.3

申请日：2006-12-26

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 赵显祐

IPC: H01L21/00 ,  B08B3/04

Abstract: 本发明涉及将湿式清洗装置中用于清洗抓持基片的自动夹头(RobotChuck)的自动夹头清洗槽和用于冲洗经清洗处理的基片的基片冲洗槽合为一体的兼用作自动夹头清洗槽的基片冲洗槽，以及具有该兼用作自动夹头清洗槽的基片冲洗槽的湿式清洗装置及基片清洗方法。本发明所提供的兼用作自动夹头清洗槽的基片冲洗槽包含上端开放的在内部装有去离子水的容器、可旋动地设置在所述容器上部用于开闭所述容器上端的封盖、设在所述封盖内侧的干燥装置。

公开(公告)号：CN1944496A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610099589.0

申请日：2005-03-11

Applicant: K.C.科技股份有限公司 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金大亨 ,  洪锡敏 ,  全宰贤 ,  金晧性 ,  朴炫洙 ,  白雲揆 ,  朴在勤 ,  金容国

IPC: C08J3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是关于一种抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法。本文描述的是一种化学机械抛光浆料。此种抛光浆料中的抛光粒子，其粒度分布曲线具有分别独立的小颗粒区与大颗粒区，且其粒度均值为50－150nm。本发明所述的抛光浆料具有优化的粒度，其粒度可以通过改变生产条件控制，这对抛光具有精细设计要求的半导体非常有用。本发明还提出了一种抛光浆料及其制备方法，采用这种抛光浆料时，可以通过控制其抛光粒子粒度分布曲线来保证化学机械抛光的精度和减少表面划痕数量。本发明还提供了一种抛光基板的方法。

公开(公告)号：CN1818002B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200510134775.9

申请日：2005-12-16

Applicant: K.C.科技股份有限公司 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金大亨 ,  洪锡敏 ,  金容国 ,  金东炫 ,  徐明源 ,  朴在勤 ,  白云揆

IPC: C09K3/14 ,  C09C1/68 ,  C09C3/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D-RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within-wafer-nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。