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公开(公告)号：CN102517569A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110415109.8
申请日：2011-12-14
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： C23C18/36
摘要： 本发明属于金属基复合材料焊接技术领域，提供了一种铝碳化硅复合材料可焊性化学镀镍的方法，首先对SiC/Al复合材料进行预处理，然后化学镀镍，控制化学镀镍的温度为83℃～90℃，pH为4.5～5.0，化学镀镍时间为30min～120min，最后进行后处理即可。经过本发明化学镀镍的SiC/Al复合材料表面使用普通铅锡焊料焊接氮化铝电子陶瓷基片，焊接孔隙率达到5％以下，大大降低了由于镀金而带来的成本，且得到的SiC/Al复合材料镀镍样品长期存放，焊接性能不下降。
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公开(公告)号：CN102093056A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010578590.8
申请日：2010-12-08
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/74 , C04B35/622
摘要： 一种电子封装用网络互穿结构铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法，原料的组份及体积百分比含量为：增强相碳化硅45～85％，铝基体15～55％，同时使增强相碳化硅和铝基体形成网络互穿结构。首先制备碳化硅预制件素坯，在氩气保护下于约2200℃下恒温1～3时间得网络结构碳化硅预制件；再采用真空压力浸渗工艺将铝合金液体浸渗至所述预制件的孔隙中，制备出网络互穿结构的铝碳化硅复合材料或构件或近净成型构件，最后经过机械加工获得最终形状和尺寸的构件。本发明使产品具有膨胀系数可调节、热导率更高、弹性模量更高、气密性好、成本低廉特点，可广泛应用于混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大电流功率模块等电子器件封装领域。
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公开(公告)号：CN116791012A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310776192.4
申请日：2023-06-28
申请人： 湖南工业职业技术学院 , 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： C22C47/12 , C22C49/02 , C22C49/14 , C22C101/10
摘要： 本发明公开了一种高导热石墨连续纤维增强银铜基复合材料及其制备方法，包括：将高导热石墨连续纤维原料石墨化处理，然后放置于分体式双温区压力浸渗装置的真空气压浸渗炉下腔室，银铜合金置于感应加热炉上腔室；抽真空、加热，浇注；快速撤除上腔室，旋入下腔室炉盖；下腔室通入惰性气体，银铜合金熔液在气压作用下浸渗到石墨连续纤维中，且银铜合金中铬或锆元素与石墨连续纤维反应，在纤维表面形成厚度为50‑200nm的碳化物。由于银铜合金熔点低，流动性好，浸渗过程中石墨连续纤维不发生热损伤，碳化物厚度可精确控制，因此可获得比石墨连续纤维/铜更高密度、高热导的复合材料。1台上腔室能够与2‑5台下腔室组合步进生产，设备效能和产能明显提高。
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公开(公告)号：CN116786794A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310776190.5
申请日：2023-06-28
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司 , 湖南工业职业技术学院
摘要： 本发明公开了一种高导热金刚石/银铜基复合材料及其制备方法，包括以下步骤：将金刚石坯料置于分体式双温区压力浸渗装置的真空气压浸渗炉下腔室，银铜合金置于感应加热炉上腔室，抽真空、加热，待银铜合金熔化后浇注到下腔室中；快速撤除上腔室，旋入下腔室炉盖；下腔室通入惰性气体，银铜合金熔液在气压作用下浸渗到金刚石颗粒中，且银铜合金中铬或锆与金刚石反应，在金刚石表面生成厚度为100‑200nm的碳化物；银铜熔点低，流动性好，浸渗过程中金刚石不发生热损伤，碳化物厚度可精确控制，最终可获得比金刚石/铜更致密、更高热导的复合材料。同时，1台上腔室能够与2‑5台下腔室组合步进生产，设备效能和产能高。
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公开(公告)号：CN113983868B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111257705.8
申请日：2021-10-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学 , 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： F41H5/04 , B22D23/04 , C22C1/10 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B15/14 , B32B3/08 , B32B3/26 , B32B5/02 , B32B7/12 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/00 , B32B38/04 , B32B38/16
摘要： 本发明提供了一种梯度陶瓷柱增强铝基复合装甲板及其制备方法，所述复合装甲板包括陶瓷柱、铝合金基板和铝合金熔渗体；所述铝合金基板包括至少三层，上下两层为完整铝合金板，中间层按指定位置和孔径进行双面铣孔；所述陶瓷柱按并列或错列排布在中间层铝合金基板上，并被上下两层铝合金基板盖住后构成骨架；所述铝合金熔渗体用于填充骨架中的空隙，并连接基板和实现对陶瓷柱的三维约束。本发明提供的梯度陶瓷柱增强铝基复合装甲板的抗多发打击性能和整体性较优，且不存在明显的薄弱区域，在装甲防护领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113983868A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111257705.8
申请日：2021-10-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学 , 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： F41H5/04 , B22D23/04 , C22C1/10 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B15/14 , B32B3/08 , B32B3/26 , B32B5/02 , B32B7/12 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/00 , B32B38/04 , B32B38/16
摘要： 本发明提供了一种梯度陶瓷柱增强铝基复合装甲板及其制备方法，所述复合装甲板包括陶瓷柱、铝合金基板和铝合金熔渗体；所述铝合金基板包括至少三层，上下两层为完整铝合金板，中间层按指定位置和孔径进行双面铣孔；所述陶瓷柱按并列或错列排布在中间层铝合金基板上，并被上下两层铝合金基板盖住后构成骨架；所述铝合金熔渗体用于填充骨架中的空隙，并连接基板和实现对陶瓷柱的三维约束。本发明提供的梯度陶瓷柱增强铝基复合装甲板的抗多发打击性能和整体性较优，且不存在明显的薄弱区域，在装甲防护领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110576232A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910739111.7
申请日：2019-08-12
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料与铝硅合金的钎焊方法，包括以下步骤：S1、对碳化硅颗粒增强铝基复合材料与铝硅合金的待焊面进行表面清理；S2、在步骤S1处理后的铝硅合金的待焊面预置陶瓷粉；S3、将钎料放置在铝硅合金和碳化硅颗粒增强铝基复合材料的待焊面之间，组成待焊件；S4、保护气氛下，将待焊件加热升温，保温并加压至5～20MPa，继续保温保压，随后随炉冷却至室温。本发明的钎焊方法，利用硬质陶瓷粉辅助金属钎料破除碳化硅颗粒增强铝基复合材料与铝硅合金表面的氧化膜，钎料在碳化硅颗粒增强铝基复合材料与铝硅合金表面得到充分润湿、铺展，促使碳化硅颗粒增强铝基复合材料与铝硅合金的连接表面的冶金结合。
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公开(公告)号：CN104561989B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510004760.4
申请日：2015-01-06
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明提供了一种铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板。该冷喷镀铜方法，包括以下步骤：采用冷喷工艺在铝碳化硅表面形成铜层，冷喷工艺条件为：载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa。本发明提供的方法在载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa下向铝碳化硅表面进行喷涂镀铜，在该温度压力条件下进行喷铜，有利于提高铜颗粒塑性，在颗粒接触铝碳化硅层时，通过塑性变形在铝碳化硅表面形成均匀铜层。使得所得铜层致密厚度均一，附着力强，可焊性好。
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公开(公告)号：CN105924178A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610239053.8
申请日：2016-04-18
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
发明人： 肖浩
IPC分类号： C04B35/565 , C04B41/88
CPC分类号： C04B35/565 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2235/5436 , C04B2235/616 , C04B41/4525
摘要： 本发明公开了一种铝碳化硅复合材料的制备方法，包括以下步骤：将粗碳化硅颗粒和细碳化硅颗粒混匀，加入两种碳化硅颗粒总质量1～3％的磷酸二氢铝水溶液和5％的水，加热进行湿混捏至湿度为10％，得到混合料，磷酸二氢铝水溶液的质量百分数为50％。将混合料烘干，造粒，陈腐得到粉料。将粉料填充至模具中，在10Mpa的压力下成型，形成近成型素坯。将带素坯的模具包套封装后烧结，素坯形成预制件。将装有预制件的模具包套封装浸铝，得到铝碳化硅复合材料。原料中不添加石蜡微乳液，同时减少磷酸二氢铝的量，素坯的空隙高，制得材料铝体积分数大，提升了热导率。该制备方法，简化了工艺路线，节省了成本，提高了铝碳化硅复合材料的热导率。
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公开(公告)号：CN102515781A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110422990.4
申请日：2011-12-16
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： C04B35/63 , C04B35/565
摘要： 本发明公开一种基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法。本方法以磷酸二氢铝、石蜡乳液和去离子水组成水基粘结剂，首先将碳化硅颗粒和水基粘结剂分别预热；其次将它们加入50℃～70℃捏合机中边加热边搅拌混合同时使水分挥发；当混合料含水率为4％～6％时，将混合料从捏合机中取出置于90℃～120℃烘箱中烘干；然后将烘干的混合料进行过筛造粒，造粒粉料经干压成型和烧结处理制得碳化硅预制件。此方法具有工艺过程简单，造粒粉流动性好，烧结温度低，可成型制备大尺寸预制件，且预制件具有高开口孔隙率和高强度。
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