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公开(公告)号：CN104561989A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510004760.4
申请日：2015-01-06
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明提供了一种铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板。该冷喷镀铜方法，包括以下步骤：采用冷喷工艺在铝碳化硅表面形成铜层，冷喷工艺条件为：载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa。本发明提供的方法在载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa下向铝碳化硅表面进行喷涂镀铜，在该温度压力条件下进行喷铜，有利于提高铜颗粒塑性，在颗粒接触铝碳化硅层时，通过塑性变形在铝碳化硅表面形成均匀铜层。使得所得铜层致密厚度均一，附着力强，可焊性好。
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公开(公告)号：CN118242378A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410277261.1
申请日：2024-03-12
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝碳化硅刹车盘及其制备方法，铝碳化硅刹车盘包括盘体，以及与盘体同轴连接的合头，所述盘体为总厚度在28～32mm之间的多层结构，包括上表层、中间层与下表层；其中，上表层与下表层均为SiC体积分数占70～75％的铝碳化硅材料，厚度分别为2～4mm；中间层及合头均为SiC体积分数占45～58％的铝碳化硅材料。本发明提供的铝碳化硅刹车盘的密度仅为铸铁刹车盘用铸铁密度的40％，满足轻量要求，其热导率达到190W/m·k，减小了刹车过程中摩擦性能的高温衰退与热龟裂，并且比传统刹车盘具有更优异的高温摩擦性能、更优异的冲击韧性，以及更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN104658920A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510058322.6
申请日：2015-02-04
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明提供了一种铝碳化硅制备方法及其所得铝碳化硅，铝碳化硅的制备方法，包括填粉和渗铝，填粉步骤包括：将粉料填充至铝基板的凹槽中，形成粉料板；在粉料板的表面铺设厚度为0.5mm的铝箔；铝碳化硅中不加除铝和碳化硅以外的其他添加剂。本发明提供的铝碳化硅制备方法通过在碳化硅粉料的表面铺设0.5mm厚的铝箔，再进行渗铝，可防止渗铝过程中铝液对碳化硅层的冲刷，保证渗铝步骤后所得铝碳化硅材料内部组织均匀。而且本发明提供的方法在未加入任何添加剂的情况下，保持了铝碳化硅材料的抗弯强度，从而将所得铝碳化硅材料的热导率提高至250～280W/mK。
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公开(公告)号：CN104658920B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510058322.6
申请日：2015-02-04
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明提供了一种铝碳化硅制备方法及其所得铝碳化硅，铝碳化硅的制备方法，包括填粉和渗铝，填粉步骤包括：将粉料填充至铝基板的凹槽中，形成粉料板；在粉料板的表面铺设厚度为0.5mm的铝箔；铝碳化硅中不加除铝和碳化硅以外的其他添加剂。本发明提供的铝碳化硅制备方法通过在碳化硅粉料的表面铺设0.5mm厚的铝箔，再进行渗铝，可防止渗铝过程中铝液对碳化硅层的冲刷，保证渗铝步骤后所得铝碳化硅材料内部组织均匀。而且本发明提供的方法在未加入任何添加剂的情况下，保持了铝碳化硅材料的抗弯强度，从而将所得铝碳化硅材料的热导率提高至250～280W/mK。
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公开(公告)号：CN104561989B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510004760.4
申请日：2015-01-06
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
摘要： 本发明提供了一种铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板。该冷喷镀铜方法，包括以下步骤：采用冷喷工艺在铝碳化硅表面形成铜层，冷喷工艺条件为：载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa。本发明提供的方法在载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa下向铝碳化硅表面进行喷涂镀铜，在该温度压力条件下进行喷铜，有利于提高铜颗粒塑性，在颗粒接触铝碳化硅层时，通过塑性变形在铝碳化硅表面形成均匀铜层。使得所得铜层致密厚度均一，附着力强，可焊性好。
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公开(公告)号：CN218827071U
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202222588427.0
申请日：2022-09-29
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , B22D17/22
摘要： 本实用新型公开了一种用于芯片封装的散热结构、模具及芯片封装装置，散热结构包括：散热基座，散热基座呈板状且散热基座用于与芯片的封装结构相匹配；散热基体，散热基体与基座为一体成型构造，散热基体于基座上对应各芯片的封装位置排布，散热基体用于与对应的芯片进行膨胀匹配进而保持不同温度状态下的贴合。本散热结构中散热基座与芯片封装结构相匹配，仅需在散热基座上加工与封装结构相适配的安装结构，无需在铝基陶瓷的表面覆铝层进行加工或对铝基陶瓷材料进行加工，大幅降低加工成本；本散热结构相比现有电子封装的散热结构对于复杂结构具有更强的适用性，且材料、制备、加工等各项成本均大幅降低，可更为广泛的应用。
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公开(公告)号：CN204303795U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420800114.X
申请日：2014-12-16
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/367
摘要： 本实用新型提供了一种铝碳化硅底板及具有该底板的电子器件，铝碳化硅底板，包括铝碳化硅板和铝柱，铝碳化硅板中包括两相对面，其中一面为散热面，铝柱均布于铝碳化硅板的散热面上；铝柱与铝碳化硅板为一体压铸成型形成。本实用新型提供铝碳化硅底板由铝碳化硅制成，由于铝碳化硅的热膨胀系数与陶瓷基板及半导体芯片的热膨胀匹配良好，在组装过程中，即使底板和陶瓷基板和芯片均受热，三者膨胀变形后的差异液较小，因而能提高了所得电子器件的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN205414362U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620246844.9
申请日：2016-03-29
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
发明人： 王黎明
IPC分类号： B22D17/20 , B22D19/00 , H01L23/373
摘要： 本实用新型公开了一种用于压铸铝碳化硅底板的模具，模具的顶面开设有从上至下依次连通的用于容纳碳化硅预制件的基板腔、用于容纳铝板的铝板槽和用于压铸时铝液渗入形成铝柱的柱孔，柱孔为盲孔。上述用于压铸铝碳化硅底板的模具，模具内开设有基板腔、铝板槽和柱孔，基板腔内容纳碳化硅预制件，铝板槽容纳铝板。压铸时，外加铝液从碳化硅预制件中渗入与碳化硅预制件形成铝碳化硅基板，同时渗入柱孔形成铝柱，并且铝板处于熔融状态，冷却后铝板、铝碳化硅基板和铝柱结为一体。铝柱直接固定在铝板上，铝板与碳化硅基板结合相比铝柱与碳化硅基板结合面积增大，上述模具，结构简单，可用于制备得到散热效果好、铝柱连接牢固的铝碳化硅底板。
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公开(公告)号：CN205393491U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620248276.6
申请日：2016-03-29
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
发明人： 王黎明
IPC分类号： B22D17/20 , B22D19/00 , H01L23/373
摘要： 本实用新型公开了一种铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的组件，组件包括模具和碳化硅预制件，模具的表面开设有用于容纳碳化硅预制件的基板腔，基板腔的底部设有多个用于压铸时外加铝液渗入形成铝柱的柱孔，柱孔为盲孔。碳化硅预制件上朝向基板腔底部的一面开设有用于镶嵌铝板的容纳槽。压铸时，外加铝液从碳化硅预制件中渗入与碳化硅预制件形成铝碳化硅基板，同时渗入柱孔形成铝柱，并且铝板处于熔融状态，冷却后铝板、铝碳化硅基板和铝柱结为一体。铝板与碳化硅基板结合相对之前铝柱与碳化硅基板结合面积增大，因而铝柱不易从铝碳化硅基板掉落，铝柱的强度增大。上述用于压铸铝碳化硅底板的组件，结构简单，可用于制备得到铝柱连接牢固的铝碳化硅底板。
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公开(公告)号：CN204303816U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201520002405.9
申请日：2015-01-05
申请人： 湖南浩威特科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本实用新型提供了一种曲面铝碳化硅基板及具有该基板的IGBT模块，该曲面铝碳化硅基板，基板为铝碳化硅基板，基板包括：第一面和第二面，第一面和第二面为两相对面；第一面为分散应力面，第二面为装配面；第一面的纵向截面为弧线，第一面的中心区域向外突出；基板周缘设有多个安装用U形卡槽。本实用新型提供的基板面积较大的两相对面中的一面为截面具有弧度的曲面，使得装配后的基板所受应力分布均匀。同时曲面还能降低基板上中心点附近区域的变形量，从而使得采用该基板组装得到的IGBT模块更稳定的物理面，整体可靠性得到加强。
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