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公开(公告)号：CN119143073A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411270338.9
申请日：2024-09-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 何腾腾
Abstract: 本公开实施例提供一种密集线圈制备方法及密集线圈，该方法包括：提供晶圆，晶圆的功能面设置有焊盘；在晶圆的功能面上形成种子层；在种子层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行图形化以形成开窗，开窗的顶壁横截面尺寸小于开窗的底壁横截面尺寸；采用第一电流密度在开窗内电镀形成第一金属凸块，第一金属凸块通过种子层与所述焊盘电连接；采用第二电流密度在第一金属凸块上电镀形成第二金属凸块，以形成线圈本体，其中，所第二电流密度大于第一电流密度；去除残余的光刻胶层和部分种子层。通过该密集线圈制备方法得到的密集线圈可以避免线圈脱落，可靠性高。
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公开(公告)号：CN115302101B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211062054.1
申请日：2022-08-31
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本公开涉及晶圆镭射领域，提供一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质，方法包括：提供待切割的晶圆，晶圆设置有多个芯片以及位于多个芯片之间设置有测试互连层的切割道；根据晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；根据切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度；根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，将测试互连层分割为多段子测试互连层；根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成多个芯片的分割。本公开可提升良品数量、产品良率、产品品质、产品的应力和强度，还可提高产线产能。
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公开(公告)号：CN117995773A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410115969.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆切割方法及晶粒，该方法包括：提供晶圆和遮挡环，晶圆的边缘区域具有预设固定区域；在晶圆的第一表面形成正性光刻胶层；将遮挡环放置于正性光刻胶层，遮挡环的位置与预设固定区域的位置相对应；对正性光刻胶层进行曝光；去除遮挡环；对曝光后的正性光刻胶层进行显影，图形化正性光刻胶层；采用等离子切割工艺对晶圆进行切割，以在晶圆上形成多个切割槽；去除正性光刻胶层，并对切割后的晶圆进行减薄和扩膜形成多个晶粒。由于遮挡环遮挡区域的正性光刻胶层未被曝光，显影后可完整的保留在晶圆的预设固定区域，可以在等离子切割过程中对预设固定区域起到保护作用而不被切割，保证了晶圆边缘区域的强度，提高晶圆切割效果。
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公开(公告)号：CN116435245A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310452812.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种用于芯片散热片贴附的取标头和贴附设备，其中取标头包括：架体，所述架体包括底面、与所述底面相对的顶面以及位于所述底面和顶面之间的四周侧面；贯穿所述架体的部分底面表面且位于所述架体中的第一容纳槽；贯穿所述架体的部分底面表面且位于所述架体中的内部安装空间，所述内部安装空间的底部与所述第一容纳槽的底部通过第一贯穿孔连通；位于所述第一容纳槽中的压合组件；固定于所述内部安装空间内壁上的位置调节组件，所述位置调节组件包括可动端，所述可动端与所述压合组件固定连接，所述可动端上下移动时，相应的使得所述压合组件在所述第一容纳槽中上下移动。减少散热片贴附时孔隙的产生，提高贴附后的散热片的散热效果。
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公开(公告)号：CN116422651A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310426311.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈纬铭
Abstract: 本公开实施例提供一种薄膜覆晶封装结构电路卷带激光清洁设备及清洁方法，该设备包括承载台、激光发射源、保护罩和集尘装置，承载台用于承载待清洁电路卷带；激光发射源可移动地设置于承载台上方，用于将激光束发射至待清洁电路卷带表面的目标清洁区域，以将目标清洁区域的污染物清除；保护罩罩设于激光发射源，用于防止激光发射源发射的激光束外溢；集尘装置用于收集激光束将目标清洁区域的污染物进行清除时产生的挥发物和粉尘。该装置可以有效清除线路区污染物，不会破坏原线路电性功能，不会造成线路破坏的风险或移除物堵塞线路间等问题；该清洁方法不会产生其他的物质，不会引起待清洁电路卷带表面的成分变化，保证了电路卷带线路的电性功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116275585A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310388822.0
申请日：2023-04-12
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本公开提供一种晶圆切割方法及装置、电子设备，属于晶圆切割技术领域。晶圆切割方法包括：提供待切割的晶圆，晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于多个芯片之间的切割道，切割道具有测试互连结构；使用窄带镭射以不同角度对切割道进行两次镭射，以在切割道的长度方向上形成两组窄沟槽；使用宽带镭射以不同角度对切割道进行两次镭射，以将两组窄沟槽镭射为宽沟槽，并将其作为切割沟槽；沿切割沟槽切割晶圆，以完成多个芯片的分割。本发明通过优化镭射工艺，在维持原有设备的基础上，有效缩短切割时间，提高产线产能，增加镭射后IC应力。
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公开(公告)号：CN116190247A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310084911.6
申请日：2023-02-07
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 何腾腾
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , C25D7/12
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体凸块的制备方法、半导体凸块及封装结构，所述方法包括：提供基板；其中，所述基板设置有钝化层，并且所述钝化层具有开口；采用第一电流密度在所述钝化层和所述开口中电镀形成中间半导体凸块；采用第二电流密度在所述中间半导体凸块上电镀形成最终的半导体凸块；其中，所述第一电流密度小于所述第二电流密度。本公开实施例采用较低的第一电流密度保证钝化层的开口侧壁金外形平滑形成中间半导体凸块，增强填充效应，避免电镀孔洞形成；采用较高的第二电流密度电镀剩余的半导体凸块，在不改变退火温度保证应力释放充分，降低凸块硬度下降幅度，满足半导体凸块硬度需求。
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公开(公告)号：CN111638625B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010509455.1
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G03F1/00
Abstract: 本公开提出一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件，掩膜版包括掩膜基板，掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域；至少一个有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域，无效开窗区域能够使得通过对应的有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形。本公开的掩膜版，在空旷区设计无效开窗区域，使得通过该无效开窗区域曝光显影后得到光刻胶上的显影非开窗区，将烘烤工艺的热膨胀效应转移至该显影非开窗区域，保护通过掩膜版上正常开窗区得到的光刻胶上的显影开窗区不受光阻膨胀效应影响，由于无效开窗区宽度小，曝光后的光刻胶层显影时无法显开，后续无法生产Bump，不会影响产品。
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公开(公告)号：CN111640734B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010501160.X
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 张文斌
IPC: H01L23/60 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装体，该芯片封装体包括：基板、芯片和再布线层。其中，芯片位于基板一侧，且芯片的非功能面朝向基板，芯片的非功能面上设有第一凹槽，第一凹槽自芯片的非功能面延伸至芯片的功能面上的接地焊盘；再布线层位于基板和芯片之间，再布线层一面与从第一凹槽中露出的接地焊盘电连接，另一面与基板上的接地区域电连接。通过上述方式，本申请能够增大芯片上接地焊盘与基板上接地区域的接触面积，提高芯片的抗干扰和防静电场冲击性能，降低芯片被静电场击穿的风险。
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公开(公告)号：CN111524464B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010531366.7
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本申请公开了一种显示装置，包括显示区和位于显示区外围的非显示区，其中，显示装置具体包括：衬底，衬底位于非显示区的一侧表面设置有至少一个凹槽；至少一个第一金属凸块，设置于凹槽内，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；芯片，设置于衬底设置有第一金属凸块的一侧表面，且芯片的功能面上的第二金属凸块与第一金属凸块电连接。在形成本申请提供的显示装置时，上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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