一种以LED灯为引诱光源的溺水捕杀害虫的方法及装置

    公开(公告)号:CN102599128A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110458675.7

    申请日:2011-12-31

    Inventor: 李抒智 杨卫桥

    Abstract: 一种以LED灯为引诱光源的溺水捕杀害虫的方法及装置,属捕捉或杀灭昆虫装置领域。其通过设置水槽、空心立柱、发光部件承载台和LED发光部件,使得LED发光部件的出光向下射入液体中;在水槽底部的内表面,设置反光层,用于对LED发光部件发出的光线进行漫反射;通过漫反射的方式来形成出光光源,吸引害虫;其采用溺水扑杀的方式,用充有液体的水槽来构成杀虫装置;利用水槽中的液体、空心立柱和发光部件承载台,构成LED发光部件的冷却部件,将LED发光部件工作时所产生的热量传导和散出。其提高了诱虫灯工作时的安全性与可靠性,具有良好的捕杀效率,达到了安全、节能、环保的效果。可广泛用于农、林业捕捉/杀灭有害昆虫领域。

    一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置

    公开(公告)号:CN101625400B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200910056425.3

    申请日:2009-08-14

    Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置,属测试领域。其在各光电探测器信号输出端,设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块,在终端微机系统信号输入端,设置一个受单片机控制的无线数据接收模块;无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元;将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射,无线数据接收模块在单片机的控制下,对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统;终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据,对每一被测灯具,实施测试管理和集中数据处理。

    一种POSS/环氧纳米杂化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN101985513A

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN201010179346.4

    申请日:2010-05-20

    Inventor: 游波 唐勇 潘倩

    Abstract: 本发明属于化工及光电技术领域,具体涉及一种高耐热POSS/环氧纳米杂化材料及其制备方法和应用。高耐热POSS/环氧纳米杂化材料包含:(a)至少一种环氧树脂,(b)至少一种多面体低聚硅倍半氧烷(POSS),(c)至少一种酸性固化剂,(d)非必须有机硅烷,(e)非必须助剂。本发明制备的POSS/环氧纳米杂化材料没有相分离现象,既具有环氧树脂粘结性好、机械强度和抗剪强度高、可加工性好的特点,同时又具有POSS耐热性高、绝缘性好、弹性强、耐老化性好、透明性好的特点,生产和制备过程简单且易于控制、生产过程不含任何溶剂,是一种环保、节能的POSS/环氧纳米杂化材料绿色合成方法。用于胶黏剂、LED封装材料、光电转换材料、绝缘材料、涂层材料、电路保护材料、光学保护材料等。

    一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN101954617A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910055069.3

    申请日:2009-07-20

    Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。

    GaN基LED外延片、芯片及器件

    公开(公告)号:CN101931037A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN201010244358.0

    申请日:2010-08-03

    Abstract: 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片,包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层,该外延片基于非极性衬底;所述有源层包括多个量子阱组,所述量子阱组中包括量子阱,所述量子阱包括势垒层和势阱层,所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出,在本发明实施例中,基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强,也就不会产生强度较高的内建极化电场,从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率,进而提高了内量子效率及发光效率。

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