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公开(公告)号：CN104790012B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510121736.9
申请日：2015-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明涉及一种超薄自支撑TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法。包括如下步骤：处理金属钛片；配制电解质溶液；二次阳极氧化法制备自支撑TiO2纳米管薄膜；膜分离：通过选择表面张力比较小的有机溶剂和表面张力大的水分子将纳米管与金属Ti基底分离，并实现膜转移。本发明制模工艺简单，操作简单；薄膜结构排列规则，厚度均一，骨架稳定，且孔径均一，有序面积较大。通过控制氧化时间，可以制备不同厚度的TiO2纳米管薄膜，最薄可达600nm左右。
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公开(公告)号：CN103966638B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410189562.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积晶态和非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线的制备方法，本发明使用胶体晶体为模板，通过电沉积的方法在模板中沉积五氧化二钒；采用有机溶剂去除聚苯乙烯小球以后，直接通过热处理在导电的基体上获得大面积晶态和非晶核壳结构的五氧化二钒纳米线；使用该种方法制备的五氧化二钒纳米线既能克服非晶态五氧化二钒导电性差的缺点，又能获得大面积薄膜，从而该种方法获得的薄膜在电致变色、电容器和锂离子电池领域具有较强的使用价值。(56)对比文件Katsunori Takahashi等.Synthesis andElectrochemical Properties of Single-Crystal V2O5 Nanorod Arrays by Template-Based Electrodeposition《.J. Phys. Chem.B》.2004,第108卷(第28期),第9796页实验部分、图4.Ying Wang等.Synthesis andElectrochemical Properties of VanadiumPentoxide Nanotube Arrays《.J. Phys. Chem.B,》.2005,第109卷(第8期),第3085-3088页.
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公开(公告)号：CN103966594B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201410189466.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于层层自组装技术，在金表面制备聚苯胺/磺化石墨烯复合薄膜的方法。本发明以易吸附于金表面的修饰剂、磺化石墨烯和聚苯胺苯胺为原料。首先，对基底进行表面处理；利用磁控溅射的方法在处理后的基底上得到一定厚度的金膜，用修饰剂修饰金表面；制备聚苯胺溶液和磺化石墨烯溶液；最后，用层层自组装技术制备复合薄膜。此方法简单，易于操作，产物组成均匀易于控制，可通过调节浸渍循环的次数来调节复合薄膜的厚度。所获得的薄膜表面平整，厚度可调节，结构和性能可控。可用于制备电致变色器件、传感器、发光器件、聚合物电极、场效应晶体管、变发射率热控器件等领域。
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公开(公告)号：CN103985836B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410227507.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在镍纳米针锥阵列上制备锗负极材料的方法。本发明的制备方法如下：首先在镍基体上利用水溶液电沉积的方法制备一定高度的镍纳米针锥阵列，然后在厌氧厌水的环境中，利用离子液体电沉积的方法制备锗负极材料，喷碳处理后组装电池，测试其电化学性能。本发明在镍纳米针锥阵列上利用离子液体电沉积的方法，制备高比容量、长循环寿命和高库伦效率的锗负极材料，离子液体电沉积过程中，电流密度较小，制备的锗膜均匀；而且制备的材料为纳米级的粒子，减少了材料循环过程中的粉化，制备的负极材料与基体（镍纳米针锥阵列）基础面积大，结合力好，制备方法工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103966667B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410227508.5
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种三维有序大孔锗/碳复合材料的制备方法。本发明选择在镍箔上生长聚苯乙烯胶体晶体模板，最终采用电阻炉高温煅烧使聚苯乙烯胶体晶体模板碳化，得到三维有序大孔的锗/碳的复合电极材料。本发明利用聚苯乙烯模板能够一定程度的防止锗氧化，将沉积在聚苯乙烯模板上沉积的锗薄膜直接放入真空管式炉里进行煅烧，将聚苯乙烯直接碳化附着在三维有序大孔锗的表面。这样很好地起到终止氧化的作用。并且聚苯乙烯碳化后，能够对的三维有序大孔锗薄膜表面进行很好的修饰和改性，有利于作为锂离子电池负极材料进行电化学性能测试。本发明方法工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105967224A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610300899.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗酸钙纳米片的制备方法，本发明涉及锗酸钙纳米片的制备方法。本发明要解决目前锗酸钙纳米材料的制备工艺复杂，不可控制，产量少，产物纯度低且无法实现纳米片结构制备的技术问题。方法：一、处理泡沫金属基板；二、制备水热前驱液；三、水热合成锗酸钙纳米片；四、处理锗酸钙纳米片。本发明用水热合成的方法，首次制备出比表面积比纳米线大的纳米片结构，将在纳米光学器件、电子器件、电化学传感器件、晶体管等方面具有很好的应用前景，锗酸钙纳米片结构，填补了国际上锗酸钙纳米片制备的空白，对实现工业化生产有着重要的指导性作用。本发明用于制备一种锗酸钙纳米片。
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公开(公告)号：CN104005069B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410255702.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种羟基多元酸辅助电沉积制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体的方法，本发明涉及一种羟基多元酸辅助电沉积制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体的方法。方法：配制四价钛盐浊液，向浊液中加入羟基多元酸和硝酸钾生成无色透明溶液，向无色透明溶液中加入过氧化氢得到红色透明溶液；采用三电极进行电沉积，得到黑色有金属光泽的薄膜；将薄膜转入马弗炉中进行焙烧，得到二氧化钛薄膜。垂直沉积制备PS胶体晶体，采用三电极进行电沉积，得到黑色TiO2/PS三维光子晶体；三维光子晶体自然晾干，转入马弗炉中焙烧，保温机制为500℃保温两小时，得到二氧化钛三维光子晶体。本发明用于制备二氧化钛薄膜及二氧化钛三维光子晶体。
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公开(公告)号：CN105908229A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610280254.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。
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公开(公告)号：CN103981566B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410227016.6
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种椭球型光子晶体的自组装制备方法。是将磁性γ?Fe2O3/SiO2椭球型胶体颗粒的乙醇溶液垂直滴加在置于两块磁铁中间的基板的表面，待乙醇溶剂全部挥发，组装结束，即自组装得到本发明的椭球型光子晶体。本发明的自组装方法组装时间短至1~2小时，溶剂挥发结束即可完成自组装过程，同时制备单位产物相对于现有技术中的制备方法所需要的样品量为1/10?1/20，同时本发明的设备简单，极大地提高生产效率并且降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105734614A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610179522.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法，它涉及一种制备锗纳米线簇的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备锗纳米线成本高、工艺复杂的问题。方法：一、配制电解液；二、将工作电极浸入到电解液中，再将紫外灯固定到电解池上方，再连接电化学工作站；三、对电解液照射；四、进行循环伏安扫描；五、恒压沉积：六、清洗、干燥，在工作电极表面得到锗纳米线簇。本发明方法工艺简单，操作方便，不需要使用模板剂，容易实施；本发明制备的锗纳米线簇的长为400nm～500nm，直径70nm～90nm。本发明可获得一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法。
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